【技术实现步骤摘要】
本技术涉及锗单晶制备设备，具体为一种自取料锗单晶制备炉。
技术介绍
1、锗单晶具有光学品质好、折射率高、化学稳定性好、机械强度高等特点，是8～12μm红外热成像系统窗口和透镜的首选材料。提高红外热成像系统的分辨率和灵敏度，特别是长距离探测的准确性，不仅需要大直径高质量的锗单晶，而且对单晶的光学性能均匀性和力学性能提出了更高要求。
2、直拉法生长单晶硅时，需要使用到单晶炉，通过加热器对放在坩埚中的硅料加热至熔体，随后利用提拉头将籽晶浸入硅熔体中，在籽晶下方生长并提拉单晶棒，现有的单晶炉在制备好锗单晶后，需要人工将副炉体进行转动，随后将副炉体内的锗单晶取出，如此不便于人们将锗单晶取出。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种自取料锗单晶制备炉，以解决上述
技术介绍
中提出的直拉法生长单晶硅时，需要使用到单晶炉，通过加热器对放在坩埚中的硅料加热至熔体，随后利用提拉头将籽晶浸入硅熔体中，在籽晶下方生长并提拉单晶棒，现有的单晶炉在制备好锗单晶后，需要人工将副炉体进行转动，随后将副炉体内的锗单晶取出，如此不便于人们将锗单晶取出的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：自取料锗单晶制备炉，包括底座、主炉体、副炉体、定位架和步进控制电机，所述底座的顶端外表面安装设置有主炉体，所述底座的顶端一侧外表面纵向固定安装设置有定位架，所述定位架的顶端外表面安装设置有步进控制电机，且步进控制电机的底端输出端固定安装设置有螺纹杆，所述主炉体的顶端一侧设置有副炉体，且副炉体的一
3、优选的，所述螺纹杆靠近安装架的一侧外部贯穿安装设置有限位块，且限位块的两侧滑动卡合安装在定位架的两侧外部，所述限位块靠近定位齿轮的底端一侧外表面安装有抱闸步进电机，且抱闸步进电机的输出端与定位齿轮底端中间位置固定，所述限位齿轮底端一侧转动安装在限位块的顶端一侧；
4、采用上述技术方案使得整体在进行使用时，能够通过定位齿轮转动带动一侧限位齿轮和副炉体整体转动，从而能够将副炉体整体转动偏移主炉体的顶端，从而进行自动进行提升脱离转动取出操作。
5、优选的，所述副炉体的底端外表面等间距贯穿固定设置有密封环，所述副炉体的底端插设在连接管的顶端一侧内部，所述密封环的一侧内壁贴合；
6、采用上述技术方案使得整体在进行使用时，能够保证主炉体和副炉体之间对接的密封性，保证整体使用效果。
7、优选的，所述密封盒的一侧边缘处内部转动安装设置有丝杆，且丝杆的一端转动贯穿密封安装在密封盒的一侧外部，所述连接管位于密封盒内部的一侧贯穿导通设置有抵触孔，所述密封盒靠近抵触孔的一侧滑动卡合安装设置有密封板；
8、采用上述技术方案使得整体在进行使用时，能够通过密封板的移动，从而对连接管内部进行堵塞关闭或者移动打开，整体使用效果好。
9、优选的，所述密封板靠近丝杆的一侧外表面固定安装设置有螺母块，且螺母块的一侧贯穿安装在丝杆的一侧外部，所述密封板的表面积大于抵触孔的开口面积；
10、采用上述技术方案使得整体在进行使用时，能够通过丝杆的转动带动螺母块移动，从而带动一侧的密封板进行移动调节。
11、优选的，所述丝杆的转动贯穿端固定安装设置有驱动齿轮，所述驱动齿轮的一侧啮合连接设置有限位齿条，且限位齿条的顶端一侧固定安装在副炉体的一侧外表面上；
12、采用上述技术方案使得整体在进行使用时，能够通过副炉体的移动抬升或者抵触下降，带动限位齿条移动使得驱动齿轮转动，从而控制一侧的密封板进行移动。
13、与现有技术相比，本技术的有益效果是：该自取料型锗单晶制备用单晶炉：
14、1.该锗单晶制备炉使用时，通过定位架、步进控制电机、螺纹杆、限位块和安装架的设置，从而使得整体制备结束后能够自动将副炉体与主炉体脱离，同时通过抱闸步进电机、定位齿轮和限位齿轮的设置，从而能够将脱离后的副炉体整体转动一定角度，从而能够自动进行提升脱离转动取出操作，整体操作简单，使用方便，提高整体的制备加工效率；
15、2.该锗单晶制备炉使用时，通过连接管、密封盒、丝杆、抵触孔、密封板、螺母块、驱动齿轮和限位齿条的设置，从而使得主炉体与副炉体脱离过程中能够带动一侧的丝杆转动，从而将主炉体与连接管之间进行密封，从而使得整体在取料时能够对主炉体进行密封，防止热量流失，保证再整体的使用效果，降低能源损耗；
16、3. 该锗单晶制备炉使用时，通过连接管的设置以及在副炉体插设在连接管内部的底端外表面等间距贯穿固定设置的密封环，从而使得整体在进行使用时能够保证主炉体与副炉体之间的安装密封性，保证整体加热熔化制备效果，整体使用效果更好。
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1.自取料锗单晶制备炉，包括底座（1）、主炉体（2）、副炉体（3）、定位架（4）和步进控制电机（5），其特征在于：所述底座（1）的顶端外表面安装设置有主炉体（2），所述底座（1）的顶端一侧外表面纵向固定安装设置有定位架（4），所述定位架（4）的顶端外表面安装设置有步进控制电机（5），且步进控制电机（5）的底端输出端固定安装设置有螺纹杆（6），所述主炉体（2）的顶端一侧设置有副炉体（3），且副炉体（3）的一侧外表面贯穿固定设置有安装架（11），所述安装架（11）靠近螺纹杆（6）的一侧外表面固定安装设置有限位齿轮（10），且限位齿轮（10）的一侧啮合设置有定位齿轮（9），所述主炉体（2）的顶端外表面导通安装设置有连接管（12），且连接管（12）靠近底端的内部贯穿安装设置有密封盒（14）。
2.根据权利要求1所述自取料锗单晶制备炉，其特征在于：所述螺纹杆（6）靠近安装架（11）的一侧外部贯穿安装设置有限位块（7），且限位块（7）的两侧滑动卡合安装在定位架（4）的两侧外部，所述限位块（7）靠近定位齿轮（9）的底端一侧外表面安装有抱闸步进电机（8），且抱闸步进电机（8）的输出端
3.根据权利要求1所述自取料锗单晶制备炉，其特征在于：所述副炉体（3）的底端外表面等间距贯穿固定设置有密封环（13），所述副炉体（3）的底端插设在连接管（12）的顶端一侧内部，所述密封环（13）的外表面与连接管（12）的一侧内壁贴合。
4.根据权利要求1所述自取料锗单晶制备炉，其特征在于：所述密封盒（14）的一侧边缘处内部转动安装设置有丝杆（15），且丝杆（15）的一端转动贯穿密封安装在密封盒（14）的一侧外部，所述连接管（12）位于密封盒（14）内部的一侧贯穿导通设置有抵触孔（16），所述密封盒（14）靠近抵触孔（16）的一侧滑动卡合安装设置有密封板（17）。
5.根据权利要求4所述自取料锗单晶制备炉，其特征在于：所述密封板（17）靠近丝杆（15）的一侧外表面固定安装设置有螺母块（18），且螺母块（18）的一侧贯穿安装在丝杆（15）的一侧外部，所述密封板（17）的表面积大于抵触孔（16）的开口面积。
6.根据权利要求4所述自取料锗单晶制备炉，其特征在于：所述丝杆（15）的转动贯穿端固定安装设置有驱动齿轮（19），所述驱动齿轮（19）的一侧啮合连接设置有限位齿条（20），且限位齿条（20）的顶端一侧固定安装在副炉体（3）的一侧外表面上。
...【技术特征摘要】
1.自取料锗单晶制备炉，包括底座（1）、主炉体（2）、副炉体（3）、定位架（4）和步进控制电机（5），其特征在于：所述底座（1）的顶端外表面安装设置有主炉体（2），所述底座（1）的顶端一侧外表面纵向固定安装设置有定位架（4），所述定位架（4）的顶端外表面安装设置有步进控制电机（5），且步进控制电机（5）的底端输出端固定安装设置有螺纹杆（6），所述主炉体（2）的顶端一侧设置有副炉体（3），且副炉体（3）的一侧外表面贯穿固定设置有安装架（11），所述安装架（11）靠近螺纹杆（6）的一侧外表面固定安装设置有限位齿轮（10），且限位齿轮（10）的一侧啮合设置有定位齿轮（9），所述主炉体（2）的顶端外表面导通安装设置有连接管（12），且连接管（12）靠近底端的内部贯穿安装设置有密封盒（14）。
2.根据权利要求1所述自取料锗单晶制备炉，其特征在于：所述螺纹杆（6）靠近安装架（11）的一侧外部贯穿安装设置有限位块（7），且限位块（7）的两侧滑动卡合安装在定位架（4）的两侧外部，所述限位块（7）靠近定位齿轮（9）的底端一侧外表面安装有抱闸步进电机（8），且抱闸步进电机（8）的输出端与定位齿轮（9）底端中间位置固定，所述限位齿轮（10）底端一侧转动安装在限位块（7）的顶端一侧。
【专利技术属性】
技术研发人员：唐安雄，梁小刚，李艳，唐联云，邹德刚，徐海春，
申请(专利权)人：昆明汇泉高纯半导材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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