单晶炉降低热场功耗的装置制造方法及图纸

技术编号:39932301 阅读:4 留言:0更新日期:2024-01-08 21:55
本技术公开了一种单晶炉降低热场功耗的装置,涉及单晶炉设备技术领域,主要目的是降低单晶拉制过程中的功耗。本技术的主要技术方案为:单晶炉降低热场功耗的装置,该装置包括:内层保温桶、中间层保温桶和外保温层;所述保温桶设置于单晶炉热场外围;所述中间层保温桶包裹于所述内层保温桶的外侧,所述中间层保温桶的桶壁内形成有真空夹层结构;所述外保温层包裹于所述中间层保温桶的外侧。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单晶炉设备,尤其涉及一种单晶炉降低热场功耗的装置


技术介绍

1、低成本、高品质的单晶硅片是单晶硅制造企业的核心竞争力。为进一步降低成本,大尺寸热场及大尺寸硅片应运而生,但大热场随之带来了功耗高的问题。功耗高不仅会引起拉晶成本上升,还会影响单晶生长的稳定性。单晶炉中影响功耗的主要是热量利用和热量损耗两个方面,热场保温系统使用的pan毡保温性能差,黏胶基高效毡保温性能比pan毡好,但是其价格昂贵,不利于推广使用。碳碳复合材料具有低的导热系数,但成本是石墨的2倍以上,无法推广。

2、现有技术中的单晶炉使用石英坩埚为硅料的容器,热场外围使用碳碳毡包裹,以此来降低热场热量的流失,成本较高。


技术实现思路

1、有鉴于此,本技术提供一种单晶炉降低热场功耗的装置,主要目的是降低单晶拉制过程中的功耗,降低成本。

2、为达到上述目的,本技术主要提供如下技术方案:

3、本技术提供了一种单晶炉降低热场功耗的装置,该装置包括:内层保温桶、中间层保温桶和外保温层;

4、所述保温桶设置于单晶炉热场外围;

5、所述中间层保温桶包裹于所述内层保温桶的外侧,所述中间层保温桶的桶壁内形成有真空夹层结构;

6、所述外保温层包裹于所述中间层保温桶的外侧。

7、本技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

8、可选的,所述中间层保温桶采用不锈钢材质。

9、可选的,所述中间层保温桶的表面热浸镀有银镀层。

10、可选的,所述中间层保温桶的表面热浸镀有铝镀层。

11、可选的,所述内层保温桶采用碳碳复合材料,所述外保温层采用软毡材质。

12、借由上述技术方案,本技术至少具有下列优点:

13、在单晶拉制过程中,中间层保温桶的真空夹层结构避免热对流,有效降低热传导,降低单晶炉热场的热量损耗,降低单晶拉制过程中的平均功耗,同时,中间层保温桶采用真空夹层结构,在单晶炉有限的空间内减少了保温材料实体部分的投入成本。

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【技术保护点】

1.一种单晶炉降低热场功耗的装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的单晶炉降低热场功耗的装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的单晶炉降低热场功耗的装置,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的单晶炉降低热场功耗的装置,其特征在于,

5.根据权利要求1至4任一项所述的单晶炉降低热场功耗的装置,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种单晶炉降低热场功耗的装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的单晶炉降低热场功耗的装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的单晶炉降低热场功耗...

【专利技术属性】
技术研发人员:童翔贺琪梁国东廖运龙曹国维
申请(专利权)人:新疆其亚硅业有限公司
类型:新型
国别省市:

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