【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体加工，具体地涉及一种碳化硅晶体的粘接方法及一种碳化硅晶体的粘接装置。
技术介绍
1、随着电子技术的不断发展，人们生活中应用的电子设备越来越多，而电子设备由大量的半导体装置构成，因此催生了对半导体装置的大量需求。
2、半导体装置的生产和制造离不开各种材料，其中碳化硅作为半导体产业中的衬底材料，由于其各方面的优越性能而在各个领域被广泛应用。在碳化硅的加工生产过程中，涉及到多种加工制造工艺，其中包括多线切割工序。在现有的多线切割工序中，需要多锭晶体同时进行粘接，然而现有技术主要采用人工进行，因此精度无法满足实际需求。
3、具体的，首先将晶体放于加热平台，加热到指定温度后涂抹松香石蜡，然后手动摞到一起，用手按压，把多余的松香石蜡挤压出，最终把晶体放于石墨托条上，并用刀口尺测量晶体的垂直与水平偏差，并完成对碳化硅晶体的切割操作。然而采用人工操作的方式存在操作精度低、操作速度慢的技术问题，无法满足实际的工业需求，因此成为碳化硅多线切割工序的瓶颈。
技术实现思路
1、为了克服现有技术中存在的上述技术问题，本专利技术实施例提供一种碳化硅晶体的粘接方法及粘接装置，通过对碳化硅晶体的粘接流程进行标准化和自动化处理，从而实现碳化硅晶体的自动化粘接，提高了粘接效率和粘接良品率。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种碳化硅晶体的粘接方法，所述方法包括：确定基准碳化硅晶体；在托底材料上确定预设基准位，所述托底材料为石墨材质；将所述基准碳化硅晶体按
3、优选地，所述将所述基准碳化硅晶体按照预设朝向放置于所述预设基准位，包括：将所述基准碳化硅晶体的硅面朝向所述预设粘接方向放置于所述预设基准位；所述将待粘接碳化硅晶体以所述基准碳化硅晶体为初始晶体，按照预设粘接方向依次贴合放置于所述托底材料上，包括：将所述待粘接碳化硅晶体的碳面朝向所述预设粘接方向的相反方向预置，获得预置后晶体；按照第一预设温度对所述基准碳化硅晶体和所述预置后晶体进行加热；将所述基准碳化硅晶体和所述预置后晶体贴合设置于所述托底材料上。
4、优选地，所述将所述基准碳化硅晶体和所述预置后晶体贴合设置于所述托底材料上，包括：对每个预置后晶体的硅面涂抹预设表面材料；将所述基准碳化硅晶体的碳面与第一预置后晶体的硅面按照所述预设朝向贴合设置于所述托底材料上；依次将其余预置后晶体的碳面与前一贴合后的预置后晶体的硅面按照所述预设朝向贴合设置于所述托底材料上。
5、优选地，所述对所述基准碳化硅晶体和所述待粘接碳化硅晶体执行粘接操作，生成粘接后晶体，包括：对所述基准碳化硅晶体和所述待粘接碳化硅晶体执行对齐操作，获得对齐后晶体；静置所述对齐后晶体，判断所述对齐后晶体的温度是否降至第二预设温度；在确定所述对齐后晶体的温度降至所述第二预设温度的情况下，对所述对齐后晶体和所述托底材料执行分离和清洁操作，获得清洁后晶体和清洁后托底；在所述清洁后托底表面敷设预设粘接材料，获得敷设后托底；将所述清洁后晶体放置于所述敷设后托底上，按照预设按压力度按压所述清洁后晶体，获得粘接后托底；在粘接基板上敷设所述预设粘接材料，按照所述预设按压力度将所述粘接后托底压设于所述粘接基板上，生成预粘接晶体；对所述预粘接晶体执行校准操作，生成粘接后晶体。
6、优选地，所述方法还包括：在执行所述粘接操作之前，确定待粘接的晶体数量；获取所有碳化硅晶体的属性参数；获取预设按压力度计算规则；基于所述晶体数量、所述属性参数以及所述预设按压力度计算规则计算确定最佳按压力度；将所述最佳按压力度作为所述预设按压力度。
7、相应的，本专利技术还提供一种碳化硅晶体的粘接装置，所述装置包括：晶体确定单元，用于确定基准碳化硅晶体；位置确定单元，用于在托底材料上确定预设基准位，所述托底材料为石墨材质；放置单元，用于将所述基准碳化硅晶体按照预设朝向放置于所述预设基准位；贴合单元，用于将待粘接碳化硅晶体以所述基准碳化硅晶体为初始晶体，按照预设粘接方向依次贴合放置于所述托底材料上；粘接单元，用于对所述基准碳化硅晶体和所述待粘接碳化硅晶体执行粘接操作，生成粘接后晶体。
8、优选地，所述放置单元具体用于：将所述基准碳化硅晶体的硅面朝向所述预设粘接方向放置于所述预设基准位；所述贴合单元具体用于：将所述待粘接碳化硅晶体的碳面朝向所述预设粘接方向的相反方向预置，获得预置后晶体；按照第一预设温度对所述基准碳化硅晶体和所述预置后晶体进行加热；将所述基准碳化硅晶体和所述预置后晶体贴合设置于所述托底材料上。
9、优选地，所述将所述基准碳化硅晶体和所述预置后晶体贴合设置于所述托底材料上，包括：对每个预置后晶体的硅面涂抹预设表面材料；将所述基准碳化硅晶体的碳面与第一预置后晶体的硅面按照所述预设朝向贴合设置于所述托底材料上；依次将其余预置后晶体的碳面与前一贴合后的预置后晶体的硅面按照所述预设朝向贴合设置于所述托底材料上。
10、优选地，所述粘接单元包括：对其模块，用于对所述基准碳化硅晶体和所述待粘接碳化硅晶体执行对齐操作，获得对齐后晶体；判断模块，用于静置所述对齐后晶体，判断所述对齐后晶体的温度是否降至第二预设温度；清洁模块，用于在确定所述对齐后晶体的温度降至所述第二预设温度的情况下，对所述对齐后晶体和所述托底材料执行分离和清洁操作，获得清洁后晶体和清洁后托底；敷设模块，用于在所述清洁后托底表面敷设预设粘接材料，获得敷设后托底；第一按压模块，用于将所述清洁后晶体放置于所述敷设后托底上，按照预设按压力度按压所述清洁后晶体，获得粘接后托底；第二按压模块，用于在粘接基板上敷设所述预设粘接材料，按照所述预设按压力度将所述粘接后托底压设于所述粘接基板上，生成预粘接晶体；校准模块，用于对所述预粘接晶体执行校准操作，生成粘接后晶体。
11、优选地，所述装置还包括计算单元，所述计算单元具体用于：在执行所述粘接操作之前，确定待粘接的晶体数量；获取所有碳化硅晶体的属性参数；获取预设按压力度计算规则；基于所述晶体数量、所述属性参数以及所述预设按压力度计算规则计算确定最佳按压力度；将所述最佳按压力度作为所述预设按压力度。
12、通过本专利技术提供的技术方案，本专利技术至少具有如下技术效果：
13、通过对碳化硅晶体的粘接过程进行分析，采用标准化和自动化的方式进行粘接，从而替换了传统的人工粘接过程，有效避免了人工粘接过程存在的误差和低效率，同时有效提高了粘接后碳化硅晶体的良品率，提高了企业的经营效益。
14、本专利技术实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体的粘接方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述基准碳化硅晶体按照预设朝向放置于所述预设基准位，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述基准碳化硅晶体和所述预置后晶体贴合设置于所述托底材料上，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述基准碳化硅晶体和所述待粘接碳化硅晶体执行粘接操作，生成粘接后晶体，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.一种碳化硅晶体的粘接装置，其特征在于，所述装置包括：
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述放置单元具体用于：
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述将所述基准碳化硅晶体和所述预置后晶体贴合设置于所述托底材料上，包括：
9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述粘接单元包括：
10.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括计算单元，所述计算单元具体用于：
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体的粘接方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述基准碳化硅晶体按照预设朝向放置于所述预设基准位，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述基准碳化硅晶体和所述预置后晶体贴合设置于所述托底材料上，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述基准碳化硅晶体和所述待粘接碳化硅晶体执行粘接操作，生成粘接后晶体，包括：
5.根据权利要求4所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海伦，王锡铭，蔡立志，赵然，曹智，杨晨皓，车新广，
申请(专利权)人：北京粤海金半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。