【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶片加工，具体涉及一种碳化硅籽晶及其制备方法、碳化硅晶体生长方法。
技术介绍
1、近年来，碳化硅(sic)因其具有宽禁带、高击穿电场、高导热性、高热稳定性和高化学惰性等优异性能备受关注。目前，在碳化硅产业链中，碳化硅衬底高昂的成本制约其广泛应用；而碳化硅衬底成本中，碳化硅晶体的生长成本占比较大，碳化硅晶体的生长良率影响着碳化硅晶体的生长成本。
2、现有技术中，碳化硅晶体生长主要采用物理气相输运法(pvt)进行生长。物理气相输运法的基本原理是将碳化硅原料粉末加热至高温，使其在惰性气体下蒸发，再向上运输到低温的籽晶上重新结晶成单晶。采用物理气相输运法进行晶体生长的过程中，需要将籽晶黏贴于坩埚盖上，籽晶与坩埚盖的热膨胀系数不一样，导致晶体生长过程中容易开裂，造成生长良率低。
技术实现思路
1、本申请提供的籽晶及其制备方法、晶体生长方法，以提高晶体的生长良率。
2、为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶包括相对设置的...
【技术保护点】
1.一种碳化硅籽晶，其特征在于，所述碳化硅籽晶包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面为多孔结构。
2.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述第一表面的孔隙率为20％-50％。
3.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述多孔结构中的孔的孔径为10nm-100nm。
4.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，在所述第二表面至所述第一表面的方向上，所述多孔结构整体的厚度为所述碳化硅籽晶的厚度的1％-10％。
5.根据权利要求1或4所述的碳化硅籽晶，其特征在于，在所述第二表面至所述第一表面的方向...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅籽晶，其特征在于，所述碳化硅籽晶包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面为多孔结构。
2.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述第一表面的孔隙率为20％-50％。
3.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述多孔结构中的孔的孔径为10nm-100nm。
4.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，在所述第二表面至所述第一表面的方向上，所述多孔结构整体的厚度为所述碳化硅籽晶的厚度的1％-10％。
5.根据权利要求1或4所述的碳化硅籽晶，其特征在于，在所述第二表面至所述第一表面的方向上，所述多孔结构整体的厚度为5μm-100μm；和/或，在所述第二表面至所述第一表面的方向上，所述碳化硅籽晶的厚度为500μm-1000μm。
6.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述第一表面为硅面，所述第二表面为碳面。
7.一种碳化硅籽晶，其特征在于，所述碳化硅籽晶的一表面为多孔结构，所述多孔结构通过对所述表面进行电解处理得到。
8.根据权利要求7所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述表面的孔隙率为20％-50％。
9.根据权利要求7所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述多孔结构中的孔的孔径为10nm-100nm；
10.根据权利要求7所述的碳化硅籽晶，其特征在于，所述表面为硅面。
11.一种碳化硅籽晶的制备方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的碳化硅籽晶的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：江文宇，汪良，张洁，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。