温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种碳化硅籽晶及其制备方法、碳化硅晶体生长方法，其中碳化硅籽晶包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面为多孔结构。通过将碳化硅籽晶的第一表面设有多孔结构，多孔结构能够作为缓冲层吸收碳化硅籽晶与坩埚盖之间因热膨胀系数而导致的应力...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。