本技术涉及加热器领域，公开了一种加热组件及加热器，加热组件包括加热底座和石墨制成的加热导体，加热导体包括沿径向方向依次套设的多个弧形板段，加热底座包括底盘和设置在底盘上的多个弧形挡板，弧形挡板分割出设置弧形板段的容置空间，容置空间设置有...

本技术涉及热电偶测温领域，公开了一种铠装热电偶测温系统和工业炉，该测温系统包括通过热电偶法兰安装至炉体并延伸至该炉体内腔中的铠装热电偶，所述热电偶法兰包括连接至所述炉体的法兰盘和从该法兰盘的背离所述炉体的一侧延伸的法兰凸台，所述铠装热电...

本发明属于碳化硅生长技术领域，尤其涉及一种低缺陷高质量碳化硅生长方法及生长系统，包括生长装置准备、真空准备、温度时序控制和冷却取锭，所述温度时序控制包括变压升温、晶体生长和变压降温退火阶段；且在料源上方设定籽晶生长区，所述料源放置在坩埚...

本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种基于包裹物控制的碳化硅晶体生长装置，所述装置包括坩埚和原料，在所述坩埚的顶部粘接有籽晶，所述装置还包括：第一隔板，配置于所述坩埚的顶部且位于籽晶下方，所述第一隔板上设置多个第一通孔；第二隔板，配置于...

本发明公开一种用于碳化硅晶体生长的坩埚、生长控制系统、控制方法，涉及晶体生长技术领域，包括：外部框架，包括坩埚盖和坩埚主体，坩埚盖扣合于坩埚主体上方以形成密封腔，密封腔顶部设置籽晶托，籽晶托表面固定设置籽晶；导流环，外侧贴合于外部框架的...

本发明公开一种基于独立温度控制的SiC晶体生长装置、控制方法、装置，包括：外部包覆结构，包括不锈钢腔体，不锈钢腔体的顶部设上法兰，底部设下法兰；第一加热装置，包括第一铜电极、第一石墨电极和轴向加热部，轴向加热部环设于不锈钢腔体内部；第二...

本发明涉及碳化硅生长技术领域，公开了一种碳化硅晶体生长的热场和和碳化硅单晶生长方法，其中，碳化硅晶体生长的热场包括坩埚，坩埚内部为用于填装碳化硅原料的中空结构，坩埚的顶部设置有供测温模块探测籽晶温度的上测温孔，坩埚的底部设置有供测温模块...

本发明实施例公开了一种碳化硅晶体的粘接方法及粘接装置，应用于晶体加工技术领域，所述方法包括：确定基准碳化硅晶体；在托底材料上确定预设基准位，所述托底材料为石墨材质；将所述基准碳化硅晶体按照预设朝向放置于所述预设基准位；将待粘接碳化硅晶体...