【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长，具体地涉及一种基于包裹物控制的碳化硅晶体生长装置。
技术介绍
1、现代人们的生活与各种电子设备息息相关，而电子设备的正常运行离不开半导体材料，半导体材料的构成多种多样，而碳化硅晶体由于其优异的电气和物理性能，而受到广泛应用。
2、在碳化硅晶体的生长过程中，通过对粉源施加预设的温度和预设的压力，以控制其生成对应的生长前驱物，该生长前驱物在梯度的驱动力条件下向上输运，并在籽晶处沉积生长，形成碳化硅晶体。
3、而在实际应用过程中，现有的碳化硅晶体生长过程必然包括粉源逐渐石墨化的过程，以及所产生的反应气体与籽晶相结合进行反应的过程，然而在上述过程中会形成包裹物，而包裹物的产生会形成位错或微管等缺陷，将对碳化硅晶体在器件中的使用造成恶劣的影响，降低产品性能，而现有碳化硅晶体的生长方案中并未涉及对包裹物的清理方案，因此现有碳化硅晶体生长技术无法满足实际需求。
技术实现思路
1、为了克服现有技术中存在的上述技术问题，本专利技术实施例提供一种基于包裹物控制的碳化硅晶体生长装置，通过对现有的坩埚结构进行改进，从而对碳化硅晶体中的碳颗粒进行有效过滤，使得最后进行碳化硅晶体生长的气氛具有最佳纯净度，提高了碳化硅晶体的生长质量。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种基于包裹物控制的碳化硅晶体生长装置，所述装置包括坩埚和原料，在所述坩埚的顶部粘接有籽晶，所述装置还包括：第一隔板，配置于所述坩埚的顶部且位于籽晶下方，所述第一隔板上设置多个第
3、优选地，所述第一通孔和所述第二通孔均为倾斜设置，且所述第一通孔和所述第二通孔的倾斜方向不同。
4、优选地，所述第一通孔和所述第二通孔的倾斜角为30°-60°。
5、优选地，所述装置还包括扰流板，所述扰流板固定配置于每个通孔位于所述通道的开口处。
6、优选地，所述扰流板包括挡板和支撑板，所述支撑板的下端与对应的通孔口连接，上端与所述挡板连接，所述支撑板的下端长度与所述通孔的直径相同，上端与所述挡板的长度相同，所述挡板的长度大于通孔的直径。
7、优选地，所述通道的高度大于所述挡流板的高度的2倍。
8、优选地，所述通孔的数量基于所述坩埚的尺寸确定。
9、优选地，所述通孔的直径为8-20mm。
10、优选地，所述坩埚的顶部设置凹槽，所述第一隔板和所述第二隔板的外径与所述凹槽的内径匹配设置，所述环结构卡接于所述凹槽。
11、优选地，所述籽晶与所述第一隔板之间的距离为10～15cm。
12、通过本专利技术提供的技术方案，本专利技术至少具有如下技术效果：
13、通过对现有的坩埚结构进行改进，采用具有双重隔板的坩埚结构，使得碳化硅晶体在生长的过程中，其反应气体中的碳颗粒被有效沉降，使得最终与籽晶进行生长反应的气体具有最佳的纯净度，使得最终生长出的碳化硅晶体中无碳夹杂的产生，大大提高了碳化硅晶体的质量，满足了企业的实际需求。
14、本专利技术实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于包裹物控制的碳化硅晶体生长装置，所述装置包括坩埚(10)和原料(20)，在所述坩埚(10)的顶部粘接有籽晶(30)，其特征在于，所述装置还包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一通孔(101)和所述第二通孔(201)均为倾斜设置，且所述第一通孔(101)和所述第二通孔(201)的倾斜方向不同。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一通孔(101)和所述第二通孔(201)的倾斜角为30°-60°。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括扰流板(400)，所述扰流板(400)固定配置于每个通孔位于所述通道的开口处。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述扰流板(400)包括挡板(410)和支撑板(420)，所述支撑板(420)的下端与对应的通孔口连接，上端与所述挡板(410)连接，所述支撑板(420)的下端长度与通孔的直径相同，上端与所述挡板(410)的长度相同，所述挡板(410)的长度大于通孔的直径。
6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述通道的高
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一通孔(101)和所述第二通孔(201)的数量基于所述坩埚(10)的尺寸确定。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所有通孔的直径为8-20mm。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述坩埚(10)的顶部设置凹槽(11)，所述第一隔板(100)和所述第二隔板(200)的外径与所述凹槽(11)的内径匹配设置，所述环结构(300)卡接于所述凹槽(11)。
10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述籽晶(30)与所述第一隔板(100)之间的距离为10～15cm。
...【技术特征摘要】
1.一种基于包裹物控制的碳化硅晶体生长装置，所述装置包括坩埚(10)和原料(20)，在所述坩埚(10)的顶部粘接有籽晶(30)，其特征在于，所述装置还包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一通孔(101)和所述第二通孔(201)均为倾斜设置，且所述第一通孔(101)和所述第二通孔(201)的倾斜方向不同。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一通孔(101)和所述第二通孔(201)的倾斜角为30°-60°。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括扰流板(400)，所述扰流板(400)固定配置于每个通孔位于所述通道的开口处。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述扰流板(400)包括挡板(410)和支撑板(420)，所述支撑板(420)的下端与对应的通孔口连接，上端与所述挡板(410)连接，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬冬，刘振洲，鲍慧强，黄立文，王增泽，杨帅，井琳，张皓，张玮，商晨雨，叶欣怡，
申请(专利权)人：北京粤海金半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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