锗区熔提纯用高频感应加热炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种锗区熔提纯用高频感应加热炉，包括基座、切换电机、切换盘、石英管和限位块，所述基座的一端侧表面固定安装有切换电机，且基座的一端内侧表面安装有转动的切换盘，所述切换盘的外表面连接有石英管，所述压力筒的侧表面连接有伸出杆的一端。该锗区熔提纯用高频感应加热炉，石英管通过限位块与切换盘快速卡合实现快速的上下料，通过石英管与切换盘卡合安装的方式，在操作下料过程中无需借助辅助工具即可将装有锗的石英管拆下完成对锗的下料，将提纯完成后装有锗的石英管通过夹具支架夹住滑动拆下，待锗完全冷却后再将锗从石英管中取出，避免了高温状态下对锗下料可能产生的烫伤。可能产生的烫伤。可能产生的烫伤。

【技术实现步骤摘要】
锗区熔提纯用高频感应加热炉


[0001]本技术涉及锗区熔提纯
，具体为一种锗区熔提纯用高频感应加热炉。

技术介绍

[0002]锗从矿石经过冶炼
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蒸馏
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还原等工序得到了金属锗，整个生产工艺都是采用化学方法来分离、提纯的，在这些过程中，需要使用大量的如焦炭、化学试剂等其他物质，受到这些物质纯度的影响，就不可能得到能够满足半导体、红外光学、航天等学科需要的纯度极高的金属锗，因此必须借助物理提纯方法进一步提纯，目前区域熔化方法已成为提纯金属锗最普遍采用的方法，区熔提纯是利用分凝现象来分离杂质的采用石英管配合移动的通电线圈，利用高频感应对锗块进行局部加热，使得杂质能够向一侧沉积，通过同方向多次的加热分离，最终能够获得纯度极高的锗原料，此时通过将沉积杂质的端部取出的方式将杂质与锗彻底分离。
[0003]但是由于锗加热熔融后需要经过一段时间的冷却才能充分的使杂质沉积凝固，保证分离的效果，因此在区熔提纯法提纯时，加热的频次受到锗块冷却速度的限制，造成提纯的效率不高，而频繁更换锗块的方式又容易弄错锗块的方向导致提纯失败，在经过多次加热提纯后的石英管在锗块熔融产生的热量影响下表面温度较高，此时立即将锗块从石英管中取出，过程中存在石英管掉落以及未完全凝固的熔融锗块滴落与操作者肢体接触导致烫伤的事故隐患。所以针对以上问题，需要一种避免烫伤的下料方式来提高安全性。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种锗区熔提纯用高频感应加热炉，以解决上述
技术介绍
中提出的提纯效率不佳以及下料过程中容易烫伤的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种锗区熔提纯用高频感应加热炉，包括基座、切换电机、切换盘、石英管和限位块，所述基座的一端侧表面固定安装有切换电机，且基座的一端内侧表面安装有转动的切换盘，所述切换盘的外表面连接有石英管，且石英管的一端外表面固定设置有限位块，所述基座的一端外表面固定安装有位移电机，且位移电机的输出轴一端贯穿基座的侧表面连接有位移杆，所述基座的一端内侧表面固定连接有导向杆，所述位移杆和导向杆的一端均贯穿位移座的外表面，且位移座的上表面固定安装有加热线圈，所述基座的一端外表面固定安装有压力筒，且压力筒的一端被滑杆所贯穿，并且滑杆的一端固定连接有供气筒，所述压力筒的侧表面连接有伸出杆的一端，且伸出杆的另一端连接有连接软管一端，并且连接软管的另一端贯穿供气筒的外表面。
[0006]优选的，所述切换电机的输出轴贯穿基座的侧表面与切换盘的转轴固定连接，且切换盘通过限位块与石英管卡合连接，并且两个石英管关于切换盘转轴的轴向中心线对称分布，所述切换盘所在的基座一端下表面为斜面设计。
[0007]采用上述技术方案，使得石英管转动时能够被基座下端内斜面挤压，使得石英管
相对加热线圈的距离一定，保证加热线圈对石英管的加热区域准确。
[0008]优选的，所述位移杆与位移座螺纹连接，且位移座与导向杆滑动连接。
[0009]采用上述技术方案，使得位移杆能够通过与位移座的螺纹连接带动加热线圈移动进行区域加热。
[0010]优选的，所述压力筒与滑杆为滑动摩擦连接，且压力筒的一端设置有气管接口。
[0011]采用上述技术方案，使得压力筒内部通入带压保护气体时能够推动滑杆滑动。
[0012]优选的，所述供气筒的一端贯穿基座的外侧表面，且供气筒贯穿基座外侧表面的一端与石英管卡合连接。
[0013]采用上述技术方案，使得供气筒能够向石英管内部注入保护气体。
[0014]优选的，所述伸出杆为中空设计，且伸出杆与压力筒连接的一端贯穿压力筒的内侧表面。
[0015]采用上述技术方案，使得滑杆滑动露出伸出杆与压力筒连接的一端时，保护气体能够通过伸出杆和连接软管注入供气筒。
[0016]与现有技术相比，本技术的有益效果是：该锗区熔提纯用高频感应加热炉：
[0017]1.石英管通过限位块与切换盘快速卡合实现快速的上下料，利用基座一端下表面的斜面对石英管的挤压使得石英管能够与切换盘精准定位，保证切换盘与石英管的相对位置，通过石英管与切换盘卡合安装的方式，在操作下料过程中无需借助辅助工具即可将装有锗的石英管拆下完成对锗的下料，将提纯完成后装有锗的石英管通过夹具支架夹住滑动拆下，待锗完全冷却后再将锗从石英管中取出，避免了高温状态下对锗下料可能产生的烫伤；
[0018]2.通过在切换盘上同时安装两个石英管的方式，在提纯过程中，通过两个石英管交替轮换的方式，使得一组加热线圈能够不需要等待锗块冷却持续进行加热熔融，从而使得两个锗块能够获得充分的冷却后再被加热，保证杂质与锗块分离的效果；
[0019]3.通过压力筒中通入保护带压的保护气体的方式，使得供气筒能够被压力推动插入石英管的一端，即达到了通入保护气体的目的，又使得供气筒不会阻碍石英管的转动和安装。
附图说明
[0020]图1为本技术整体立体结构示意图；
[0021]图2为本技术切换盘与石英管连接立体结构示意图；
[0022]图3为本技术石英管与供气筒连接剖切面立体结构示意图；
[0023]图4为本技术图3中A处放大结构示意图；
[0024]图5为本技术压力筒与滑杆连接剖切面立体结构示意图；
[0025]图6为本技术图5中B处放大结构示意图。
[0026]图中：1、基座；2、切换电机；3、切换盘；4、石英管；5、限位块；6、位移电机；7、位移杆；8、导向杆；9、位移座；10、加热线圈；11、压力筒；12、滑杆；13、供气筒；14、伸出杆；15、连接软管。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]请参阅图1
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6，本技术提供一种技术方案：一种锗区熔提纯用高频感应加热炉，包括基座1、切换电机2、切换盘3、石英管4、限位块5、位移电机6、位移杆7、导向杆8、位移座9、加热线圈10、压力筒11、滑杆12、供气筒13、伸出杆14和连接软管15，基座1的一端侧表面固定安装有切换电机2，且基座1的一端内侧表面安装有转动的切换盘3，切换盘3的外表面连接有石英管4，且石英管4的一端外表面固定设置有限位块5，基座1的一端外表面固定安装有位移电机6，且位移电机6的输出轴一端贯穿基座1的侧表面连接有位移杆7，基座1的一端内侧表面固定连接有导向杆8，位移杆7和导向杆8的一端均贯穿位移座9的外表面，且位移座9的上表面固定安装有加热线圈10，切换电机2的输出轴贯穿基座1的侧表面与切换盘3的转轴固定连接，且切换盘3通过限位块5与石英管4卡合连接，并且2个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.锗区熔提纯用高频感应加热炉，包括基座（1）、切换电机（2）、切换盘（3）、石英管（4）和限位块（5），其特征在于：所述基座（1）的一端侧表面固定安装有切换电机（2），且基座（1）的一端内侧表面安装有转动的切换盘（3），所述切换盘（3）的外表面连接有石英管（4），且石英管（4）的一端外表面固定设置有限位块（5），所述基座（1）的一端外表面固定安装有位移电机（6），且位移电机（6）的输出轴一端贯穿基座（1）的侧表面连接有位移杆（7），所述基座（1）的一端内侧表面固定连接有导向杆（8），所述位移杆（7）和导向杆（8）的一端均贯穿位移座（9）的外表面，且位移座（9）的上表面固定安装有加热线圈（10），所述基座（1）的一端外表面固定安装有压力筒（11），且压力筒（11）的一端被滑杆（12）所贯穿，并且滑杆（12）的一端固定连接有供气筒（13），所述压力筒（11）的侧表面连接有伸出杆（14）的一端，且伸出杆（14）的另一端连接有连接软管（15）一端，并且连接软管（15）的另一端贯穿供气筒（13）的外表面。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐安雄，李光洪，梁小刚，高丽，李艳，
申请(专利权)人：昆明汇泉高纯半导材料有限公司，
类型：新型
国别省市：