本技术提供一种碳化硅石墨基座，其包括基座本体和设置在所述基座本体上的多个用于容纳外延片的口袋，多个口袋以所述基座本体的中心为圆心，均匀设置在所述基座本体上。所述口袋包括从边缘向底部延伸的负角结构，所述负角结构的底部设置环形台阶，所述环形台阶自所述负角结构向所述口袋的外边缘设置，所述口袋还包括多个间隔设置的凸台结构，多个所述凸台结构从所述环形台阶上水平延伸并间隔均匀设置，所述凸台结构用于支撑衬底。本技术提供的碳化硅石墨基座有效增强了负角结构处的涂层强度，解决负角结构加工难的问题，减少口袋在使用过程中由于此处缺陷导致的破孔，进而提高了碳化硅石墨基座的使用寿命和使用效率，降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及石墨基座，特别涉及一种碳化硅石墨基座。
技术介绍
1、目前，随着led产业迅猛发展，其上游环节的led外延片的技术和市场也发展迅速，其产能快速提升，技术水平不断进步。led外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片上所生长出的特定单晶薄膜，其是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。用于生产的衬底结构基座一般都采用石墨基座。
2、石墨基座具有很多个pocket(口袋)，用于放置衬底。碳化硅石墨基座作为mocvd设备中的核心零部件之一，是衬底基片的承载体和发热体，其热稳定性、热均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用，直接决定薄膜材料的均匀性和纯度，因此其品质直接影响了外延片的制备，同时随着使用次数增加、工况环节变化，又极容易损耗，其中pocket边缘破孔是制约其寿命的主要因素，pocket边缘破孔主要有2大因素造成：一是碳化硅石墨基座在高速旋转下，衬底与石墨盘pocket边缘产生摩擦及碰撞，造成崩缺。二是pocket边缘负角设计，导致cvd过程中此处的涂层处在缺陷，且强度差，在使用过程中容易破孔。同时，现有的sic涂层石墨基座的膜厚一般在80-120um之间，比较薄，基盘在旋转的过程中，衬底会对pocket的边缘撞击，易出现针孔，针孔一出现，氨气就会腐蚀石墨，最终产生大洞，造成基座报废。现有的解决办法均是通过改善涂层工艺或者设备来提高cvd均匀性，减少负角处的涂层缺陷，然而如此不仅投入大，且验证周期长，成本高。
3、因此，现有技术有必要进行改进。
/>技术实现思路
1、现有技术中，现有的石墨基座由于使用次数增加、工况环节变化和极容易损耗，且衬底会对pocket的边缘撞击，易出现针孔，容易导致口袋边缘破孔，影响石墨基座寿命，因此，本技术提供一种碳化硅石墨基座用于解决上述问题。
2、本技术提供一种碳化硅石墨基座，其包括基座本体和设置在所述基座本体上的多个用于容纳外延片的口袋，多个口袋以所述基座本体的中心为圆心，均匀设置在所述基座本体上，所述口袋包括从边缘向底部延伸的负角结构，所述负角结构的底部设置环形台阶，所述环形台阶自所述负角结构向所述口袋的外边缘设置，所述口袋还包括多个间隔设置的凸台结构，多个所述凸台结构从所述环形台阶上水平延伸并间隔均匀设置，所述凸台结构用于支撑衬底。
3、在一种实现方式中，所述负角结构的倾斜角度为2~10度。
4、在一种实现方式中，所述环形台阶的最外边缘与所述口袋的最外边缘的垂直等距，所述环形台阶与所述口袋的外边缘平行设置。
5、在一种实现方式中，所述凸台结构的高度与所述环形台阶的厚度相同。
6、在一种实现方式中，所述环形台阶外边缘为圆弧状结构。
7、在一种实现方式中，每一所述口袋包括6-9个均匀间隔设置的所述凸台结构。
8、有益效果：本技术提供的碳化硅石墨基座，通过在所述负角结构下设置所述环形台阶和所述凸台结构，解决了涂层时负角结构处因气流及生产的堆垛方式产生的涂层缺陷，有效增强了负角结构处的涂层强度，也解决了负角结构加工难的问题，进而减少口袋在使用过程中由于此处缺陷导致的破孔，进而提高了碳化硅石墨基座的使用寿命，降低了生产成本，间接地提高了碳化硅石墨基座的使用效率。
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【技术保护点】
1.一种碳化硅石墨基座，其特征在于，包括基座本体和设置在所述基座本体上的多个用于容纳外延片的口袋，多个口袋以所述基座本体的中心为圆心，均匀设置在所述基座本体上，所述口袋包括从边缘向底部延伸的负角结构，所述负角结构的底部设置环形台阶，所述环形台阶自所述负角结构向所述口袋的外边缘设置，所述口袋还包括多个间隔设置的凸台结构，多个所述凸台结构从所述环形台阶上水平延伸并间隔均匀设置，所述凸台结构用于支撑衬底。
2.根据权利要求1所述的碳化硅石墨基座，其特征在于，所述负角结构的倾斜角度为2~10度。
3.根据权利要求1所述的碳化硅石墨基座，其特征在于，所述环形台阶的最外边缘与所述口袋的最外边缘的垂直等距，所述环形台阶与所述口袋的外边缘平行设置。
4.根据权利要求1所述的碳化硅石墨基座，其特征在于，所述凸台结构的高度与所述环形台阶的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的碳化硅石墨基座，其特征在于，所述环形台阶外边缘为圆弧状结构。
6.根据权利要求1所述的碳化硅石墨基座，其特征在于，每一所述口袋包括6-9个均匀间隔设置的所述凸台结构。p>...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅石墨基座，其特征在于，包括基座本体和设置在所述基座本体上的多个用于容纳外延片的口袋，多个口袋以所述基座本体的中心为圆心，均匀设置在所述基座本体上，所述口袋包括从边缘向底部延伸的负角结构，所述负角结构的底部设置环形台阶，所述环形台阶自所述负角结构向所述口袋的外边缘设置，所述口袋还包括多个间隔设置的凸台结构，多个所述凸台结构从所述环形台阶上水平延伸并间隔均匀设置，所述凸台结构用于支撑衬底。
2.根据权利要求1所述的碳化硅石墨基座，其特征在于，所述负角结构的倾斜角度为2~...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄春立，王绥俊，季加伟，
申请(专利权)人：东莞市志橙半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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