一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座制造技术

本实用新型专利技术提供了一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，包括主盘及多个载盘，所述主盘与所述载盘为分体式，所述载盘与所述主盘采用可拆卸可安装的方式连接。本实用新型专利技术的有益效果是：采用分体式设置，既能满足生产需求，也能满足工艺开发的设计调整，极大地提高了外延基座的使用效率，避免了浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座
本技术涉及石墨基座，尤其涉及一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座。
技术介绍
目前，现有能用于大批量生产的GaN的外延石墨基座，基本为一体式的碳化硅石墨基座，因此，在开发工艺过程中，批量性的生产基座有一定的工艺调整局限性，为此，往往会重新设计新的盘。由于碳化硅石墨基座成本很高，而往往用于开发工艺的基座使用次数并不多，这导致生产开发GaN工艺成本高，并且造成了很大的浪费。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座。本技术提供了一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，包括主盘及多个载盘，所述主盘与所述载盘为分体式，所述载盘与所述主盘采用可拆卸可安装的方式连接。作为本技术的进一步改进，所述主盘位于所述碳化硅石墨基座的底部，具有承载、传递热量的作用。作为本技术的进一步改进，所述主盘的顶部分布着若干与所述载盘一一对应的凹槽，每个所述凹槽承载一个所述载盘。作为本技术的进一步改进，所述凹槽与所述载盘通过定位结构装配。作为本技术的进一步改进，所述定位结构包括相配合的定位柱和定位孔。作为本技术的进一步改进，所述凹槽沿所述主盘的周向间隔均匀布置。作为本技术的进一步改进，所述载盘上承载有晶圆。作为本技术的进一步改进，所述载盘的外侧形状为圆形、三角形、正方形、矩形、多边形、跑道形中的任意一种。作为本技术的进一步改进，所述主盘、载盘的外表面均涂覆碳化硅薄膜涂层。本技术的有益效果是：通过上述方案，采用分体式设置，既能满足生产需求，也能满足工艺开发的设计调整，极大地提高了外延基座的使用效率，避免了浪费。附图说明图1是本技术一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的分解示意图。具体实施方式下面结合附图说明及具体实施方式对本技术作进一步说明。如图1所示，一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，包括分体式设计的一个主盘1及多个载盘2，所述载盘2与所述主盘1连接，所述载盘2与所述主盘1采用可拆卸可安装的方式装配。本分体式设计既能满足生产需求，也能满足工艺开发的设计调整，极大地提高了外延基座的使用效率。碳化硅石墨基座是一种以石墨为基材原料，根据设计并加工后表面涂覆一层碳化硅薄膜的基座。如图1所示，一般主盘1的大直径尺寸都根据机台是固定的，而载盘2的局部设计则是工艺开发的关键，为此，本技术提出了一种分体式设计，采用主盘1跟多个载盘2的结合，在正常情况下，载盘2的尺寸设计可以按照批量基座跟开发设计的尺寸设计，在使用过程中，把各个载盘2放入主盘1的指定位置，组合成一个整体基座，即可放入机台上，像一体式基座那样正常使用，生长MOCVD（金属有机化合物化学气相沉淀）工艺。通常情况下，载盘2的尺寸设计可以按照批量基座和开发设计的尺寸进行设计，在使用过程中，只需将各个载盘2放入主盘1指定位置便可构成一个完整的基座，便可放入机台正常使用生长MOCVD工艺，由于本基座采用了分体式结构，所以在使用过程中如发现损坏只需更换相应的配件便可，大大降低了生产成本，本分体式设计既能满足生产需求，也能满足工艺开发的设计调整，可根据独特的载盘设计，可以同时开发多个不同款式的载盘，极大的降低了开发工艺成本，提高了外延基座的使用效率。各组件的详细叙述如下：1.主盘主盘1位于碳化硅石墨基座底部，主要起到承载、传递热量的作用，主盘1的大小是根据机台而设定，主盘1的顶部分布着若干与载盘2相对应的凹槽11，主要起承载的作用，每个凹槽12的中间都有一个销钉11与载盘2底部的背孔相对应，该销钉11主要起到定位和固定载盘2的作用。在使用过程中只需将载盘2投放入凹槽11便可。2.载盘载盘2位于碳化硅石墨基座顶部，主要起到承载晶圆的作用，载盘2使用时投放入主盘1的凹槽11中，载盘2的pocket可根据需求设计为2寸、4寸、6寸…，可一盘一个或是一盘多个同时使用，通用性强，同时每个载盘2外侧形状可根据需求设计成圆形，三角形，正方形，矩形，及其他多边形，更有甚者为跑道形（如图1所示），所有外侧形状不仅限于此。由于载盘2设计的多样化极大地提高了开发进度，对产品性能的提高也有很大的帮助。主盘1的直径范围为290～820mm，载盘2pocket尺寸包括2寸，4寸，6寸，8寸晶圆片，主盘1跟载盘2可以根据实际需要决定是否全部涂覆碳化硅薄膜涂层。本技术提供的一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，是一种通用性强的可以满足MOCVD工艺生长GaN用到的外延基座，主盘1跟多个载盘2的分体式设计，既能满足生产，也能满足工艺工程开发的要求设计。极大地提升了基座的使用效率，还有降低了开发工艺的成本。并且根据独特的载盘设计，可以同时开发多个不同款式，极大地提高了开发的进度，对产品性能的提高有很大的帮助。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，其特征在于：包括主盘及多个载盘，所述主盘与所述载盘为分体式，所述载盘与所述主盘采用可拆卸可安装的方式连接, 所述主盘位于所述碳化硅石墨基座的底部，具有承载、传递热量的作用, 所述主盘的顶部分布着若干与所述载盘一一对应的凹槽，每个所述凹槽承载一个所述载盘, 所述凹槽与所述载盘通过定位结构装配, 所述定位结构包括相配合的定位柱和定位孔, 所述凹槽沿所述主盘的周向间隔均匀布置, 所述载盘上承载有晶圆。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，其特征在于：包括主盘及多个载盘，所述主盘与所述载盘为分体式，所述载盘与所述主盘采用可拆卸可安装的方式连接,所述主盘位于所述碳化硅石墨基座的底部，具有承载、传递热量的作用,所述主盘的顶部分布着若干与所述载盘一一对应的凹槽，每个所述凹槽承载一个所述载盘,所述凹槽与所述载盘通过定位结构装配,所述定位结构包括相配合的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林培英，黄春立，朱佰喜，
申请(专利权)人：东莞市志橙半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44