【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别涉及一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置。
技术介绍
1、化学气相沉积（cvd）是一种可以获得固态薄膜的技术，是利用气态物质在固体表面发生化学反应、生成固态沉积物的过程。化学气相沉积的过程可以在常压下进行，也可以在低压下进行。与物理气相沉积（pvd）不同的是：化学气相沉积中，沉积粒子来源于化合物的气体分解反应，在相当高的温度下，混合气体与基体的表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。化学气相沉积工艺中，沉积薄膜的均匀性极为重要，薄膜的均匀性主要受到炉内气体分布的影响。化学气相沉积过程是一个极为复杂的化学过程，气体是否均匀分布会对工艺的沉积速率、膜层的致密性、薄膜均匀性等都会产生较大影响。通常来说，化学气相沉积受多种工艺因素（如气体流场）影响，难以保证均匀性，为了提高涂层均匀性，一般采用石墨盘旋转工艺，可以达到稳定生产的目的。
2、现有技术的石墨盘旋转装置通常包括石墨盘和底座，底座中主气道和两个倾斜气孔直接连接，用于产生旋转气体推动石墨盘悬浮并转动，倾斜气孔一个在前，一个在后，流经前气孔的阻力比后气孔的阻力小，因而流过前气孔的气体多，前气孔受到工艺气体的腐蚀也大，导致前气孔孔径变大影响到气体流量均匀性，从而容易影响到石墨盘的正常悬浮和旋转，导致装置失效。
技术实现思路
1、本技术的主要目的为提供一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，以解决现有气体悬浮装置容易出现石墨盘悬浮和旋转异常、导致装置失效的问题。>
2、为实现上述目的，本技术提供了一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，包括石墨基底、底座；所述底座位于所述石墨基底的下方；所述底座的内部设置有匀气室、主进气道；所述主进气道用于输送推动所述石墨基底旋转的气体；所述主进气道连通所述匀气室、所述底座的侧表面；所述底座的上表面设置有多组出气道；所有所述出气道，绕所述匀气室的中心呈圆周分布，还绕所述石墨基底的中心呈圆周分布；所述出气道连通所述匀气室和所述底座的上表面；所述出气道为斜向通道；沿着所述匀气室的高度方向，所述出气道的中心轴斜穿所述匀气室。
3、可选的，所述底座包括主座体、镶块；所述主座体的上表面设置有与所述镶块适配的镶块安装槽；所述镶块与所述主座体固定且密封配合；所述主座体位于所述石墨基底的下方；所述匀气室设置在所述主座体的上表面；所述匀气室位于所述镶块安装槽的下方，并与所述镶块安装槽连通；各组所述出气道均设置在所述镶块上。
4、可选的，所述主座体与所述镶块过盈配合。
5、可选的，所述匀气室的内部空间形状为正多边体。
6、可选的，所述主进气道与所述匀气室的底部连通，且所述主进气道与所述匀气室的连通位置位于所述匀气室的中部。
7、可选的，所述一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置还包括旋转中心限定组件；所述旋转中心限定组件用于限定所述石墨基底的旋转中心。
8、可选的，所述旋转中心限定组件包括旋转中心轴、与所述旋转中心轴适配的旋转中心孔；所述底座和所述石墨基底，其一固设有所述旋转中心轴，另一设置有所述旋转中心孔。
9、可选的，各组所述出气道的内壁均涂有防腐蚀涂层。
10、可选的，所述防腐蚀涂层或为碳化硅涂层、或为氮化硅涂层、或为氮化铝涂层、或为氧化铝涂层。
11、本技术提供的装置，石墨基底可以正常悬浮和旋转，有更稳定的工作性能。具体的，气体经由主进气道进入匀气室，在匀气室中散开，再经由各组出气道向外流出、推动石墨基底旋转，通过增设匀气室，使得各组出气道中气体的流量更趋于一致，从而对石墨基底的驱动力也更趋于一致；同时所有出气道呈圆周分布，保证了气体的流动阻力一致；最终使得石墨基底的悬浮效果良好、旋转顺畅，可以显著提高薄膜均匀性以及质量，并有效延长装置的使用周期。
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1.一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，包括石墨基底、底座；所述底座位于所述石墨基底的下方；其特征在于，所述底座的内部设置有匀气室、主进气道；所述主进气道用于输送推动所述石墨基底旋转的气体；所述主进气道连通所述匀气室、所述底座的侧表面；所述底座的上表面设置有多组出气道；所有所述出气道，绕所述匀气室的中心呈圆周分布，还绕所述石墨基底的中心呈圆周分布；所述出气道连通所述匀气室和所述底座的上表面；所述出气道为斜向通道；沿着所述匀气室的高度方向，所述出气道的中心轴斜穿所述匀气室。
2.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，其特征在于，所述底座包括主座体、镶块；所述主座体的上表面设置有与所述镶块适配的镶块安装槽；所述镶块与所述主座体固定且密封配合；所述主座体位于所述石墨基底的下方；所述匀气室设置在所述主座体的上表面；所述匀气室位于所述镶块安装槽的下方，并与所述镶块安装槽连通；各组所述出气道均设置在所述镶块上。
3.根据权利要求2所述的一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，其特征在于，所述主座体与所述镶块过盈配合。
4.根据权利要求1所述的一种用
5.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，其特征在于，所述主进气道与所述匀气室的底部连通，且所述主进气道与所述匀气室的连通位置位于所述匀气室的中部。
6.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，其特征在于，所述一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置还包括旋转中心限定组件；所述旋转中心限定组件用于限定所述石墨基底的旋转中心。
7.根据权利要求6所述的一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，其特征在于，所述旋转中心限定组件包括旋转中心轴、与所述旋转中心轴适配的旋转中心孔；所述底座和所述石墨基底，其一固设有所述旋转中心轴，另一设置有所述旋转中心孔。
8.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，其特征在于，各组所述出气道的内壁均涂有防腐蚀涂层。
9.根据权利要求8所述的一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，其特征在于，所述防腐蚀涂层或为碳化硅涂层、或为氮化硅涂层、或为氮化铝涂层、或为氧化铝涂层。
...【技术特征摘要】
1.一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，包括石墨基底、底座；所述底座位于所述石墨基底的下方；其特征在于，所述底座的内部设置有匀气室、主进气道；所述主进气道用于输送推动所述石墨基底旋转的气体；所述主进气道连通所述匀气室、所述底座的侧表面；所述底座的上表面设置有多组出气道；所有所述出气道，绕所述匀气室的中心呈圆周分布，还绕所述石墨基底的中心呈圆周分布；所述出气道连通所述匀气室和所述底座的上表面；所述出气道为斜向通道；沿着所述匀气室的高度方向，所述出气道的中心轴斜穿所述匀气室。
2.根据权利要求1所述的一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，其特征在于，所述底座包括主座体、镶块；所述主座体的上表面设置有与所述镶块适配的镶块安装槽；所述镶块与所述主座体固定且密封配合；所述主座体位于所述石墨基底的下方；所述匀气室设置在所述主座体的上表面；所述匀气室位于所述镶块安装槽的下方，并与所述镶块安装槽连通；各组所述出气道均设置在所述镶块上。
3.根据权利要求2所述的一种用于气相沉积炉的气体悬浮装置，其特征在于，所述主座体与所述镶块过盈配合。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁永红，欧志强，林浩，
申请(专利权)人：东莞市志橙半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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