【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单晶硅生产制造，尤其涉及一种掺杂机构及其掺杂方法。
技术介绍
1、目前生产中镓元素的首次掺杂一般都在硅料融化前完成，例如首次装料可以将镓元素与硅料一起装入石英坩埚中，在第一根单晶生长完成后，需要复投硅料时将镓元素放入复投桶内，镓元素随着复投料一起加入石英坩埚中。此种镓元素掺杂方法均在硅料未完全融化时就加入镓元素，而生产时熔料时间都很长，例如36寸热场投料重量可以达到900kg，熔料时间长达10小时以上，镓元素在未掺杂进入硅溶液前需要经过数小时高温，因此掺杂效率低。
2、而镓元素补掺时采取的方法是利用籽晶在硅液面进行降功率结晶扩片，然后将结晶片提出单晶炉外，在结晶片上面放好镓粒，再通过净化、高温将结晶片及镓粒熔化于硅液中，此过程需要先降低溶液温度进行结晶，结晶完成后在上升功率，保证硅溶液温度。整个补掺过程需要花费3-4小时，严重滞后生产节奏，影响效益产出；另一方面由于镓的物理熔点只有29.8℃，在结晶扩片补掺过程中易熔化流失，不能保证全部掺杂，对电阻率控制产生一定影响。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供了一种掺杂机构及其掺杂方法，旨在解决现有技术中的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案如下：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种掺杂机构，包括：
4、连接组件，所述连接组件与外部提升机构连接；
5、盛装组件，所述盛装组件设置在所述连接组件远离所述外部提升机构的一端，所述盛装组件包括盛装
6、在第一方面的其中一个实施例中，所述连接组件包括：
7、连接件，所述连接件的一端与外部提升机构连接，所述连接件穿设于所述盛装组件；
8、底盘，所述底盘设置在所述连接件靠近所述盛装组件的一端，所述底盘与所述盛装组件靠近连接组件的部分内壁贴合。
9、在第一方面的其中一个实施例中，所述盛装本体还具有第二通孔，所述第二通孔设置在所述盛装本体靠近所述连接组件的一侧，所述连接件穿设于所述第二通孔。
10、在第一方面的其中一个实施例中，所述盛装本体上还设置有：
11、第三通孔，所述第三通孔设置在所述盛装本体与所述连接组件相邻的侧壁上，且所述第三通孔与所述第一容纳腔连通；
12、第四通孔，所述第四通孔设置在所述盛装本体与所述连接件相邻的侧壁上，且所述第四通孔与所述第三通孔相对设置，所述第四通孔与所述第一容纳腔连通；
13、第一开口，所述第一开口设置在所述盛装本体远离所述连接件的一端；
14、其中，所述底板依次穿设于所述第三通孔和所述第四通孔，架于所述盛装本体上。
15、在第一方面的其中一个实施例中，所述盛装组件还包括盛装件，所述盛装件设置在所述第一容纳腔中，且所述盛装件位于所述底板靠近所述连接组件的一侧，所述盛装件放置在所述底板上。
16、在第一方面的其中一个实施例中，所述盛装件具有第二容纳腔，所述第二容纳腔用于收容所述掺杂剂；
17、所述盛装件还设置有第二开口，所述第二开口位于所述盛装件远离所述底板的一端，所述第二容纳腔通过第二开口与所述第一容纳腔连通。
18、在第一方面的其中一个实施例中，所述盛装本体远离所述连接组件一端的内壁上设置有卡槽，所述底板与所述卡槽卡接。
19、在第一方面的其中一个实施例中，所述盛装组件还设置有第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部分别设置在所述盛装本体远离所述连接组件一端的外壁上，且所述第一连接部与所述第二连接部相对设置。
20、在第一方面的其中一个实施例中，所述底板还包括第三连接部和第四连接部，所述第三连接部和所述第四连接部分别与所述第一连接部和所述第二连接部对应设置，所述第三连接部与所述第一连接部可转动连接，所述第四连接部与所述第二连接部连接。
21、第二方面，本申请实施例提供了一种掺杂方法，使用上述任一个实施例中的所述掺杂机构，所述掺杂方法包括：
22、将所述连接组件与所述盛装组件连接；
23、向所述第一容纳腔中放入所述掺杂剂；
24、在所述盛装本体远离所述连接组件的一端安装所述底板，使得所述掺杂剂置于所述底板上；
25、将所述连接组件与所述外部提升机构连接；
26、操作所述外部提升机构使所述掺杂机构靠近硅溶液，并将所述盛装组件置于硅溶液中，使所述第一容纳腔中的所述掺杂剂落入所述硅溶液中，并与所述硅溶液进行掺杂。
27、相对于现有技术，本申请的有益效果是：本申请提出一种掺杂机构及其掺杂方法。其中，所述掺杂机构包括连接组件和盛装组件，所述连接组件与外部提升机构连接。所述盛装组件设置在所述连接组件远离所述外部提升机构的一端，所述盛装组件包括盛装本体和底板，所述盛装本体具有第一容纳腔，所述第一容纳腔用于收容掺杂剂，所述底板设置在所述盛装本体远离所述连接组件的一端，所述底板与所述盛装本体连接，所述底板用于支撑所述掺杂剂。本申请通过将盛装本体中放置掺杂剂，并在掺杂完成后，所述盛装本体可以循环使用，降低了其生产成本，同时在掺杂过程中不会引入新的杂质。此外，本实施例的掺杂机构可在硅料熔料完成后进行掺杂，减少了长时间高温导致的掺杂剂损失，同时提高了电阻率掺杂准确性，并且本实施例的掺杂机构适用于多种场景。
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1.一种掺杂机构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述连接组件包括：
3.根据权利要求2所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装本体还具有第二通孔，所述第二通孔设置在所述盛装本体靠近所述连接组件的一侧，所述连接件穿设于所述第二通孔。
4.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装本体上还设置有：
5.根据权利要求4所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装组件还包括盛装件，所述盛装件设置在所述第一容纳腔中，且所述盛装件位于所述底板靠近所述连接组件的一侧，所述盛装件放置在所述底板上。
6.根据权利要求5所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装件具有第二容纳腔，所述第二容纳腔用于收容所述掺杂剂；
7.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装本体远离所述连接组件一端的内壁上设置有卡槽，所述底板与所述卡槽卡接。
8.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装组件还设置有第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部分别设置在所述盛装本体远离所述连接组件
9.根据权利要求8所述的掺杂机构，其特征在于，所述底板还包括第三连接部和第四连接部，所述第三连接部和所述第四连接部分别与所述第一连接部和所述第二连接部对应设置，所述第三连接部与所述第一连接部可转动连接，所述第四连接部与所述第二连接部连接。
10.一种掺杂方法，其特征在于，使用权利要求1至9中任一项所述的掺杂机构，所述掺杂方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种掺杂机构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述连接组件包括：
3.根据权利要求2所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装本体还具有第二通孔，所述第二通孔设置在所述盛装本体靠近所述连接组件的一侧，所述连接件穿设于所述第二通孔。
4.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装本体上还设置有：
5.根据权利要求4所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装组件还包括盛装件，所述盛装件设置在所述第一容纳腔中，且所述盛装件位于所述底板靠近所述连接组件的一侧，所述盛装件放置在所述底板上。
6.根据权利要求5所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装件具有第二容纳腔，所述第二容纳腔用于收容所述掺杂剂；
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【专利技术属性】
技术研发人员：邹凯，陈亮亮，田栋东，李长营，莫磊，张德林，
申请(专利权)人：甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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