【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单晶硅生产制造，尤其涉及一种掺杂机构及其掺杂方法。
技术介绍
1、目前生产中镓元素的首次掺杂一般都在硅料融化前完成，例如首次装料可以将镓元素与硅料一起装入石英坩埚中，在第一根单晶生长完成后，需要复投硅料时将镓元素放入复投桶内，镓元素随着复投料一起加入石英坩埚中。此种镓元素掺杂方法均在硅料未完全融化时就加入镓元素，而生产时熔料时间都很长，例如36寸热场投料重量可以达到900kg，熔料时间长达10小时以上，镓元素在未掺杂进入硅溶液前需要经过数小时高温，因此掺杂效率低。
2、而镓元素补掺时采取的方法是利用籽晶在硅液面进行降功率结晶扩片，然后将结晶片提出单晶炉外，在结晶片上面放好镓粒，再通过净化、高温将结晶片及镓粒熔化于硅液中，此过程需要先降低溶液温度进行结晶，结晶完成后在上升功率，保证硅溶液温度。整个补掺过程需要花费3-4小时，严重滞后生产节奏，影响效益产出；另一方面由于镓的物理熔点只有29.8℃，在结晶扩片补掺过程中易熔化流失，不能保证全部掺杂，对电阻率控制产生一定影响。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种掺杂机构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述连接组件包括：
3.根据权利要求2所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装本体还具有第二通孔，所述第二通孔设置在所述盛装本体靠近所述连接组件的一侧，所述连接件穿设于所述第二通孔。
4.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装本体上还设置有：
5.根据权利要求4所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装组件还包括盛装件，所述盛装件设置在所述第一容纳腔中，且所述盛装件位于所述底板靠近所述连接组件的一侧，所述盛装件放置在所述底板上。
...【技术特征摘要】
1.一种掺杂机构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述连接组件包括：
3.根据权利要求2所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装本体还具有第二通孔，所述第二通孔设置在所述盛装本体靠近所述连接组件的一侧，所述连接件穿设于所述第二通孔。
4.根据权利要求1所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装本体上还设置有：
5.根据权利要求4所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装组件还包括盛装件，所述盛装件设置在所述第一容纳腔中，且所述盛装件位于所述底板靠近所述连接组件的一侧，所述盛装件放置在所述底板上。
6.根据权利要求5所述的掺杂机构，其特征在于，所述盛装件具有第二容纳腔，所述第二容纳腔用于收容所述掺杂剂；
7....
【专利技术属性】
技术研发人员：邹凯，陈亮亮，田栋东，李长营，莫磊，张德林，
申请(专利权)人：甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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