【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路领域，尤其涉及一种沟槽电容器及其制备方法。
技术介绍
1、随着社会各应用领域的快速发展，对半导体集成电路器件的性能要求越来越高，因此导致半导体集成电路器件的集成度越来越高，单个器件的尺寸越来越小。半导体工艺从业人员一直在致力于不断挑战更小的器件尺寸。但作为一个常用的电路元器件，电容往往在空间极其有限的硅片上要占据相当大的一部分面积，造成很高的芯片成本。因此缩小电容尺寸（芯片占用面积）是提高芯片集成度的一个重要措施。
2、业内开发出了一种深沟槽电容器（deep trench capacitor，dtc），将平面型的芯片面积占用改为向硅片内部的纵向发展，形成3d的电容器，电容器的性能指标参数可以通过层数的不同以及不同材料的控制来实现。
3、但是，现有的深沟槽电容器应力较大，无法满足用户的需求。
技术实现思路
1、本公开实施例所要解决的技术问题是，提供一种沟槽电容器及其制备方法，其能够降低沟槽电容器的应力。
2、为了解决上述问题，本公开实施例提供了一种沟槽电容器，包括：衬底，所述衬底具有沟槽；电容结构，包括设置在所述沟槽内壁的堆叠层，所述堆叠层由交替堆叠的导电层与介电层构成；填充层，填充所述沟槽，且所述填充层具有封闭气隙；多个导电连接结构，分别与不同层的所述导电层电连接。
3、在一实施例中，所述封闭气隙为形成所述填充层时自然形成的气隙。
4、在一实施例中，所述填充层为由正硅酸乙酯分解形成的二氧化硅层。
<...【技术保护点】
1.一种沟槽电容器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，所述封闭气隙为形成所述填充层时自然形成的气隙。
3.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，所述填充层为由正硅酸乙酯分解形成的二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，所述堆叠层还设置在所述衬底的上表面，多个所述导电连接结构分别与位于所述衬底上表面的所述导电层电连接。
5.根据权利要求4所述的沟槽电容器，其特征在于，所述导电层位于所述衬底上表面的至少一部分作为接触垫，用于与所述导电连接结构电连接，所述接触垫上方未被其他导电层覆盖。
6.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，还包括附着层，所述附着层位于所述电容结构与所述衬底之间。
7.根据权利要求6所述的沟槽电容器，其特征在于，所述电容结构的最底层为导电层，所述附着层位于底层的所述导电层与所述衬底之间。
8.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，还包括层间介质层，所述层间介质层至少覆盖所述导电层位于所述衬底上表面的区域，所述导
9.一种沟槽电容器的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的沟槽电容器的制备方法，其特征在于，形成填充层的步骤包括：在所述沟槽内填充满绝缘材料，以形成所述填充层，其中，所述绝缘材料在沉积过程中自然形成所述封闭气隙。
11.根据权利要求10所述的沟槽电容器的制备方法，其特征在于，所述绝缘材料未经退火处理。
12.根据权利要求9所述的沟槽电容器的制备方法，其特征在于，形成多个导电连接结构的步骤进一步包括：
13.根据权利要求12所述的沟槽电容器的制备方法，其特征在于，图形化位于所述衬底上表面的填充层和堆叠层的方法包括：自最顶层导电层起依次图形化所述导电层及其下方的介电层。
14.根据权利要求12所述的沟槽电容器的制备方法，其特征在于，图形化位于所述衬底上表面的填充层和堆叠层的步骤之后，还包括：形成层间介质层，所述层间介质层至少覆盖所述导电层位于所述衬底上表面的区域；
15.根据权利要求9所述的沟槽电容器的制备方法，其特征在于，在形成所述电容结构的步骤之前还包括：在所述沟槽内壁形成附着层。
...【技术特征摘要】
1.一种沟槽电容器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，所述封闭气隙为形成所述填充层时自然形成的气隙。
3.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，所述填充层为由正硅酸乙酯分解形成的二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，所述堆叠层还设置在所述衬底的上表面，多个所述导电连接结构分别与位于所述衬底上表面的所述导电层电连接。
5.根据权利要求4所述的沟槽电容器，其特征在于，所述导电层位于所述衬底上表面的至少一部分作为接触垫，用于与所述导电连接结构电连接，所述接触垫上方未被其他导电层覆盖。
6.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，还包括附着层，所述附着层位于所述电容结构与所述衬底之间。
7.根据权利要求6所述的沟槽电容器，其特征在于，所述电容结构的最底层为导电层，所述附着层位于底层的所述导电层与所述衬底之间。
8.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其特征在于，还包括层间介质层，所述层间介质层至少覆盖所述导电层位于所述衬底上表面的区域，所述导电连接结构穿过所述层间介质...
【专利技术属性】
技术研发人员：付友，刘志拯，李宗翰，吴双双，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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