【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构和半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、为提高半导体结构的集成度，可以在同一封装结构内放置一个以上的结构件，并将很多结构件堆叠并焊接在一起，例如高带宽内存(high bandwidth memory，hbm)和三维堆叠(3-dimensional stack，3ds)存储器。由此，可以将原本一维的布局扩展到三维，进而大幅度提高了结构件的密度。
2、然而，随着集成度和i/o数的逐步提高，焊料层的尺寸不断减小，倒装焊接工艺已无法满足精度的要求。此外，在焊接的过程中，可能出现结构件发生翘曲、焊料层高度不一致、多个结构件出现相对位移、相邻焊料层发生桥连现象等问题。因此，亟需一种半导体结构和半导体结构的制造方法，以提高焊接第一结构件和第二结构件的可靠性。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，至少有利于提高焊接第一结构件和第二结构件的可靠性。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：堆叠设置且相互焊接的第一结构件和第二结构件；所述第一结构件朝向所述第二结构件的表面具有焊盘；所述焊盘朝向所述第二结构件的表面具有多个相互分立的凸起部；所述焊盘与所述第二结构件之间还具有焊料层，所述焊料层覆盖所述凸起部。
3、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构的制造方法，制造方法包括：提供第一结构件和第二结构件；所述第一结构件的表
4、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：多个相互分立的凸起部有利于增加与焊料之间的作用面积，从而增加表面作用力。这种较大的表面作用力可以降低第一结构件和第二结构件发生翘曲的程度并避免二者发生相对位移。此外，由于二者的翘曲程度得到控制，因而多个焊料层的高度可以保持相对一致。此外，这种表面作用力可以阻挡焊料朝向焊盘的外部流动，从而避免发生桥连的问题。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述凸起部之间的间距大于所述凸起部的宽度，所述凸起部的宽度方向平行于所述焊盘的上表面。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述凸起部之间的间距为0.7um～1.3um；所述凸起部的宽度为0.3um～0.7um。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部的高度大于所述凸起部的宽度，所述凸起部的高度方向垂直于所述焊盘的上表面，所述凸起部的宽度方向平行于所述焊盘的上表面。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部的高度与所述凸起部的宽度之比为2～4。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部的高度为1um～2um。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述焊盘边缘区域的所述凸起部的高度大于所述焊盘中心区域的所述凸起部的高度；或者，
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在平行于所述焊盘上表面的方向上，位于所述焊盘边缘
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述焊盘边缘区域的所述凸起部的密度大于所述焊盘中心区域的所述凸起部的密度。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述焊盘的上表面包括凸点区和空白区，所述凸点区上具有多个所述凸起部，所述空白区上不设有所述凸起部；
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在平行于所述焊盘上表面的方向上，多个所述凸起部的横截面的总面积与所述焊盘的上表面的面积之比为0.2～0.5。
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一结构件与所述第二结构件均为芯片；或者，所述第一结构件为基板，所述第二结构件为芯片。
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部的横截面的形状包括三角形、正方形、矩形、五边形、六边形或圆形；和/或，
14.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，采用热压键合工艺压合所述第一结构件和所述第二结构件；所述热压键合工艺后，还包括：采用回流焊工艺焊接所述第一结构件和所述第二结构件。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述凸起部之间的间距大于所述凸起部的宽度，所述凸起部的宽度方向平行于所述焊盘的上表面。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述凸起部之间的间距为0.7um～1.3um；所述凸起部的宽度为0.3um～0.7um。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部的高度大于所述凸起部的宽度，所述凸起部的高度方向垂直于所述焊盘的上表面，所述凸起部的宽度方向平行于所述焊盘的上表面。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部的高度与所述凸起部的宽度之比为2～4。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述凸起部的高度为1um～2um。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述焊盘边缘区域的所述凸起部的高度大于所述焊盘中心区域的所述凸起部的高度；或者，
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在平行于所述焊盘上表面的方向上，位于所述焊盘边缘区域的所述凸起部的横截面的面积大于所述焊盘中心区域的所述凸起部的横...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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