提高光源和掩膜版协同优化效率的方法技术

本发明专利技术提供一种提高光源和掩膜版协同优化效率的方法，产生

【技术实现步骤摘要】
提高光源和掩膜版协同优化效率的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种提高光源和掩膜版协同优化效率的方法
。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造领域，随着技术的不断发展，光刻机透镜投影曝光所使用光源的形状也在不断变化，经历了从在轴照明到离轴照明，圆形光源到环形光源
、
四极照明
、
偶极照明的快速发展
。
当半导体技术节点进入
28nm
以下的技术节点后，常规的照明光源形状已经无法满足先进曝光技术的需求，不同的芯片设计规则需要使用与之密切相关的照明光源形状，基于此国际上主要的
EDA(Electronic Design Automation
，电子设计自动化
)
软件供应商开发出了新的技术
——SMO
技术
(Source Mask Optimization
，光源和掩模版同步优化
)
，其可以决定光源形状上每一个像素点是否点亮，从而能够实现照明光源形状在设计上的完全自由化
。
[0003]SMO
技术可调整的输入参数非常多，其中包括：模拟计算图形
、
初始
OPC(Optical Proximity Correction
，光学临近修正
)
模型
、
不同的焦距和能量的条件
、
光源形状对称性
、
偏振方向
、
光瞳像素填充度和光瞳像素填充区域范围等等
。
由于
SMO
的计算过程是通过整个光瞳区间不同像素点是否打开来优化光源形状，同时还需要调整输入图形对应的掩模版，因此计算量非常庞大
。SMO
技术的难点之一就是如何快速调整输入参数从而得到满足工艺要求的光源形状
。
[0004]为解决上述问题，需要提出一种新型的提高光源和掩膜版协同优化效率的方法
。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种提高光源和掩膜版协同优化效率的方法，用于解决现有技术中光源和掩膜版协同优化效率低的问题
。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种提高光源和掩膜版协同优化效率的方法，包括：
[0007]步骤一
、
产生
OPC
初始模型，并产生模拟计算图形；
[0008]步骤二
、
按照
SMO
流程对各种参数进行相关设置，得到
n
组
SMO
任务，每组
SMO
任务中设置有不同的
SMO
对模拟计算图形的优化区域，所述优化区域的参数设置不同，其他类型的参数设置相同；
[0009]步骤三
、
同时运行
n
个已经完成参数设置的
SMO
任务，得到
n
个
SMO
任务的过程记录以及
SMO
的初步结果；
[0010]步骤四
、
对比
n
个
SMO
照明光源形状的相似度，并比较评价参数和时间；
[0011]步骤五
、
确定最优化的
SMO
对模拟计算图形的优化区域，进行
SMO
优化
。
[0012]优选地，步骤一中还包括以下步骤：
[0013]步骤
S11、
收集实际掩模版三维结构参数和薄膜的光学参数
、
光刻机棱镜系统的数
值孔径
、
晶圆上光阻和薄膜材料的光学参数，根据这些信息产生相应的初始
OPC
光学模型；
[0014]步骤
S12、
根据线宽或孔层级的设计规则，整理线宽或孔的关键尺寸表格，规划一维和二维模拟计算图形以及特殊计算图形，并产生所有的模拟计算图形
。
[0015]优选地，步骤二中在工艺窗口条件界面设置
n
个不同的内环半径和外环半径数值的组合
。
[0016]优选地，步骤二中照
SMO
流程对各种参数进行相关设置，得到
n
组
SMO
任务，每组
SMO
任务中设置有内环半径和外环半径数值的组合，内环半径和外环半径用于定义出
SMO
对模拟计算图形的优化区域，其他类型的参数设置相同
。
[0017]优选地，步骤二中不同的内环半径和外环半径数值的组合的设置方法包括：每组
SMO
任务中的外环半径相同，内环半径不同
。
[0018]优选地，步骤二中不同的内环半径和外环半径数值的组合的设置方法包括：每组
SMO
任务中的内环半径相同，外环半径不同
。
[0019]优选地，步骤二中不同的内环半径和外环半径数值的组合的设置方法包括：每组
SMO
任务中的内
、
外环半径均不相同
。
[0020]优选地，步骤三中的
SMO
的初步结果包括：
n
个
SMO
照明光源的形状
、
相对应的所有模拟计算图形的评价参数的数值结果，以及完成
n
个
SMO
任务所使用的
CPU
资源和时间
。
[0021]优选地，步骤三中的所述评价参数包括
CDOF、ILS、NILS
或
MEEF。
[0022]优选地，步骤四中的所述时间为完成
SMO
任务所需要的时间
。
[0023]优选地，步骤五中确定最优化的内环半径和外环半径数值的组合的方法包括：根据所述评价参数和所述时间获取每组所述内环半径和外环半径数值中最优化的组合
。
[0024]如上所述，本专利技术的提高光源和掩膜版协同优化效率的方法，具有以下有益效果：
[0025]本专利技术在模拟计算
SMO
图形的图形参数后，基于
CDOF(Common Depth ofFocus
共同的聚焦深度
)、ILS(Image Log Slope
图像光强对数斜率
)、NILS(Normalized Image Log Slope
归一化图像光强对数斜率
)、MEEF(MaskError Enhancement Factor
掩模版误差增强因子
)
等参数在图形参数空间中的分布情况，选取其中关键模拟计算图形，并通过调整内环和外环半径范围，从而减小
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提高光源和掩膜版协同优化效率的方法，其特征在于，至少包括：步骤一
、
产生
OPC
初始模型，并产生模拟计算图形；步骤二
、
按照
SMO
流程对各种参数进行相关设置，得到
n
组
SMO
任务，每组
SMO
任务中设置有不同的
SMO
对模拟计算图形的优化区域，所述优化区域的参数设置不同，其他类型的参数设置相同；步骤三
、
同时运行
n
个已经完成参数设置的
SMO
任务，得到
n
个
SMO
任务的过程记录以及
SMO
的初步结果；步骤四
、
对比
n
个
SMO
照明光源形状的相似度，并比较评价参数和时间；步骤五
、
确定最优化的
SMO
对模拟计算图形的优化区域，进行
SMO
优化
。2.
根据权利要求1所述的提高光源和掩膜版协同优化效率的方法，其特征在于：步骤一中还包括以下步骤：步骤
S11、
收集实际掩模版三维结构参数和薄膜的光学参数
、
光刻机棱镜系统的数值孔径
、
晶圆上光阻和薄膜材料的光学参数，根据这些信息产生相应的初始
OPC
光学模型；步骤
S12、
根据线宽或孔层级的设计规则，整理线宽或孔的关键尺寸表格，规划一维和二维模拟计算图形以及特殊计算图形，并产生所有的模拟计算图形
。3.
根据权利要求1所述的提高光源和掩膜版协同优化效率的方法，其特征在于：步骤二中在工艺窗口条件界面设置
n
个不同的内环半径和外环半径数值的组合
。4.
根据权利要求1所述的提高光源和掩膜版协同优化效率的方法，其特征在于：步骤二中照
SMO
流程对各种参数进行相关设置，得到
n
组

【专利技术属性】
技术研发人员：俞海滨，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：