修正光学线宽量测准确性的方法技术

本发明专利技术提供一种修正光学线宽量测准确性的方法，包括：提供一半导体结构，其形成有器件工艺膜层；于器件工艺膜层的表面形成OCD图形，OCD图形包括间隔设置的OCD量测图形及辅助图形，OCD量测图形包括至少两种材料，各材料交替且周期性地形成于器件工艺膜层的表面，辅助图形的数目与OCD量测图形所采用的材料种类数目相同，各辅助图形均是由单种材料形成的平面结构；进行OCD量测，获取OCD量测图形的OCD光谱及各辅助图形的辅助光谱；从辅助光谱中获取各材料的透射率和吸光系数；将各材料的透射率和吸光系数输入至OCD光谱进行解析以准确计算出所需量测的关键尺寸。通过本发明专利技术解决了现有的OCD量测结果准确性较低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种修正光学线宽量测准确性的方法。

技术介绍

1、光学线宽量测技术(optical critical dimension，ocd)是集成电路制造过程中非常重要的量测和表征手段，其根据量测图形的实际结构构建模型，之后通过严格耦合波算法(rigorous coupled wave analysis，rcwa)计算理论光谱，并把机台端收集到的实际光谱与之比对，计算出要量测的图形或结构的关键尺寸(如线宽、深度等)。该方法是目前广泛应用的量测手段中唯一可以在非破坏情况下实现纵深方向关键尺寸的表征方式。而实际光谱受量测图形的结构和材料所影响，量测图形的结构影响不同波长入射光的衍射效率、衍射角度等信息，量测图形的材料决定了光的透射率和反射率。图形结构往往可以从设计层面获得完整的信息(如每一层图形对应光栅的空间周期或图形种类)，且通过这些信息可以进行严格的光学计算和分析。虽然每一层材料的信息同样可以获得，并由此得到理论上的透射率n和吸光系数k，但实际生长的材料的n、k值和理论上的n、k值不同，且不同批次生长的材料也不同。并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，在所述OCD量测图形中，紧邻设置的各种材料的一个总宽度值为所述OCD量测图形的周期，且所述关键尺寸为所述周期的1/3～2/3。

3.根据权利要求2所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述关键尺寸为所述周期的1/2。

4.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，在进行OCD量测的过程中，利用入射光源依次照射所述OCD量测图形及所述辅助图形以获取所述OCD光谱及所述辅助光谱。

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【技术特征摘要】

1.一种修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，在所述ocd量测图形中，紧邻设置的各种材料的一个总宽度值为所述ocd量测图形的周期，且所述关键尺寸为所述周期的1/3～2/3。

3.根据权利要求2所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述关键尺寸为所述周期的1/2。

4.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，在进行ocd量测的过程中，利用入射光源依次照射所述ocd量测图形及所述辅助图形以获取所述ocd光谱及所述辅助光谱。

5.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述ocd量测图形包括两种材料，分别为第一材料及第二材料；所述辅助图形的数目包括两个，分别为第一辅助图形及第二辅助图形。

6.根据权利要求5所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：卞玉洋，刘必秋，张聪，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：