【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种修正光学线宽量测准确性的方法。
技术介绍
1、光学线宽量测技术(optical critical dimension，ocd)是集成电路制造过程中非常重要的量测和表征手段，其根据量测图形的实际结构构建模型，之后通过严格耦合波算法(rigorous coupled wave analysis，rcwa)计算理论光谱，并把机台端收集到的实际光谱与之比对，计算出要量测的图形或结构的关键尺寸(如线宽、深度等)。该方法是目前广泛应用的量测手段中唯一可以在非破坏情况下实现纵深方向关键尺寸的表征方式。而实际光谱受量测图形的结构和材料所影响，量测图形的结构影响不同波长入射光的衍射效率、衍射角度等信息，量测图形的材料决定了光的透射率和反射率。图形结构往往可以从设计层面获得完整的信息(如每一层图形对应光栅的空间周期或图形种类)，且通过这些信息可以进行严格的光学计算和分析。虽然每一层材料的信息同样可以获得，并由此得到理论上的透射率n和吸光系数k，但实际生长的材料的n、k值和理论上的n、k值不同，且不同批次生长的材料也不同。并且在生长过程中会由于在硅片(wafer)面内的控制不同，n、k值在晶圆面内也可能有较大差异。这些由材料本身引起的n、k值的差异可能导致最终ocd量测结果准确性降低。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种修正光学线宽量测准确性的方法，用于解决现有的ocd量测结果准确性较低的问题。
2、
3、提供一半导体结构，其形成有器件工艺膜层；
4、于所述器件工艺膜层的表面形成ocd图形，且所述ocd图形包括间隔设置的ocd量测图形及辅助图形，其中，所述ocd量测图形包括至少两种材料，各种材料交替且周期性地形成于所述器件工艺膜层的表面，且一个周期内其中一种材料的宽度值为需要进行量测的关键尺寸，所述辅助图形的数目与所述ocd量测图形中所采用的材料种类数目相同，且各所述辅助图形均是由单种材料形成的平面结构，所用材料与所述ocd量测图形所用材料相同；
5、进行ocd量测，分别获取所述ocd量测图形的ocd光谱及各所述辅助图形的辅助光谱；
6、从各所述辅助图形的辅助光谱中获取各材料的透射率和吸光系数；
7、将各材料的透射率和吸光系数输入至所述ocd光谱进行解析以准确计算出所需量测的关键尺寸。
8、可选地，在所述ocd量测图形中，紧邻设置的各种材料的一个总宽度值为所述ocd量测图形的周期，且所述关键尺寸为所述周期的1/3～2/3。
9、可选地，所述关键尺寸为所述周期的1/2。
10、可选地，在进行ocd量测的过程中，利用入射光源依次照射所述ocd量测图形及所述辅助图形以获取所述ocd光谱及所述辅助光谱。
11、可选地，所述ocd量测图形包括两种材料，分别为第一材料及第二材料；所述辅助图形的数目包括两个，分别为第一辅助图形及第二辅助图形。
12、可选地，所述第一材料包括氧化物，所述第二材料包括金属铜；所述第一辅助图形由所述氧化物形成，所述第二辅助图形由所述金属铜形成。
13、可选地，所述ocd量测图形、所述第一辅助图形及所述第二辅助图形的排列方式包括：所述ocd量测图形位于所述第一辅助图形与所述第二辅助图形中间或所述第一辅助图形位于所述ocd量测图形与所述第二辅助图形中间。
14、可选地，所述ocd量测图形的周期为120nm。
15、可选地，在所述ocd量测图形中，一个周期内的所述金属铜的宽度值为所需量测的所述关键尺寸，其包括40nm～80nm。
16、可选地，半导体结构还包括衬底，且所述器件工艺膜层形成于所述衬底的表面。
17、如上所述，本专利技术的修正光学线宽量测准确性的方法，采用具有ocd量测图形及辅助图形的ocd图形进行ocd量测，在量测过程中同时获得ocd量测图形的ocd光谱和辅助图形的辅助光谱，由辅助光谱获取各材料的透射率n和吸光系数k，并将n、k值反馈给ocd光谱的解析过程，通过上述方法可以提高ocd量测结果的准确性。而且，通过上述方法还可以降低ocd建模过程中材料n、k值的调整时间，提高ocd建模的效率。
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1.一种修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，在所述OCD量测图形中，紧邻设置的各种材料的一个总宽度值为所述OCD量测图形的周期，且所述关键尺寸为所述周期的1/3～2/3。
3.根据权利要求2所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述关键尺寸为所述周期的1/2。
4.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，在进行OCD量测的过程中，利用入射光源依次照射所述OCD量测图形及所述辅助图形以获取所述OCD光谱及所述辅助光谱。
5.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述OCD量测图形包括两种材料，分别为第一材料及第二材料；所述辅助图形的数目包括两个，分别为第一辅助图形及第二辅助图形。
6.根据权利要求5所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述第一材料包括氧化物，所述第二材料包括金属铜；所述第一辅助图形由所述氧化物形成，所述第二辅助图形由所述金属铜形成。
7.根据
8.根据权利要求6所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述OCD量测图形的周期为120nm。
9.根据权利要求8所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，在所述OCD量测图形中，一个周期内的所述金属铜的宽度值为所需量测的所述关键尺寸，其大小包括40nm～80nm。
10.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，半导体结构还包括衬底，且所述器件工艺膜层形成于所述衬底的表面。
...【技术特征摘要】
1.一种修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，在所述ocd量测图形中，紧邻设置的各种材料的一个总宽度值为所述ocd量测图形的周期，且所述关键尺寸为所述周期的1/3～2/3。
3.根据权利要求2所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述关键尺寸为所述周期的1/2。
4.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，在进行ocd量测的过程中，利用入射光源依次照射所述ocd量测图形及所述辅助图形以获取所述ocd光谱及所述辅助光谱。
5.根据权利要求1所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征在于，所述ocd量测图形包括两种材料，分别为第一材料及第二材料；所述辅助图形的数目包括两个，分别为第一辅助图形及第二辅助图形。
6.根据权利要求5所述的修正光学线宽量测准确性的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：卞玉洋，刘必秋，张聪，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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