一种极紫外光刻掩模近场计算方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种极紫外光刻掩模近场计算方法及系统，包括：基于部分相干照明中各个光源点的入射角和偏振类型，生成各个光源点对应的入射场；基于掩模图案和吸收层生成掩模吸收体；基于掩模吸收体的折射率计算掩模吸收体对应的散射势；基于掩模吸收体对应的散射势，各个光源点对应的入射场，以及各个光源点对应的电场分布的初值，采用修正玻恩级数法计算各个光源点在掩模吸收体的电场分布，以确定各个光源点的掩模近场；其中，对于第一个计算的光源点，电场分布的初值为预设的，对于其他光源点，电场分布的初值为与其他光源点相近的光源点对应的电场分布

【技术实现步骤摘要】
一种极紫外光刻掩模近场计算方法及系统


[0001]本专利技术属于散射近场
，更具体地，涉及一种极紫外光刻掩模近场计算方法及系统
。

技术介绍

[0002]集成电路是现代科技和工业领域中至关重要的组成部分
。
随着技术演进，集成电路先进节点中光刻晶圆上的特征尺寸已经远小于波长
。
在此情况下，由于光刻中投影系统的衍射受限特性和光学衍射现象，光学邻近效应变得愈专利技术显，必须使用光学邻近校正等计算光刻技术提高光刻质量
。
而在极紫外
(EUV)
计算光刻中，部分相干照明下的掩模近场计算是至关重要的一步
。
[0003]在严格考虑部分相干照明时，需要计算上千个点光源照明产生的近场，该计算在掩模图案优化中需要反复多次进行，因此，现有掩模的散射近场计算方法，例如时域有限差分方法
、
严格耦合波方法，对于部分相干照明的极紫外光刻掩模近场计算需要很长的计算时间和巨量的计算资源
。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种极紫外光刻掩模近场计算方法及系统，旨在解决现有掩模的散射近场计算方法对于部分相干照明的极紫外光刻掩模近场计算，需要很长的计算时间和巨量的计算资源的问题
。
[0005]为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种极紫外光刻掩模近场计算方法，包括以下步骤：
[0006]步骤
S101
，基于部分相干照明中各个光源点的入射角和偏振类型，生成各个光源点对应的入射场；
[0007]步骤
S102
，基于掩模图案和吸收层生成掩模吸收体；
[0008]步骤
S103
，基于掩模吸收体的折射率计算掩模吸收体对应的散射势；
[0009]步骤
S104
，基于掩模吸收体对应的散射势，各个光源点对应的入射场，以及各个光源点对应的电场分布的初值，采用修正玻恩级数法计算各个光源点在掩模吸收体的电场分布；其中，对于第一个计算的光源点，对应的电场分布的初值为预设的，对于其他光源点，对应的电场分布的初值为与所述其他光源点相近的光源点对应的电场分布；
[0010]步骤
S105
，基于各个光源点在掩模吸收体的电场分布，确定各个光源点的掩模近场
。
[0011]在一个可选的示例中，步骤
S103
具体包括：
[0012]基于掩模吸收体的折射率以及真空中的波矢，计算掩模吸收体的波矢；
[0013]基于掩模吸收体的波矢以及真空中的波矢，计算掩模吸收体对应的散射势
。
[0014]在一个可选的示例中，对于每一光源点，所述修正玻恩级数法的迭代收敛条件为迭代前后所述每一光源点的电场分布的幅值变化小于预设阈值；所述预设阈值基于所述每
一光源点的入射场的幅值确定
。
[0015]在一个可选的示例中，在掩模图案发生变化的情况下，步骤
S104
之后还包括：
[0016]基于变化后的掩模图案生成变化掩模吸收体；
[0017]基于变化掩模吸收体对应的散射势，各个光源点对应的入射场，以及各个光源点在掩模吸收体中的电场分布，计算各个光源点在变化掩模吸收体中的电场分布，以确定各个光源点对应的变化后的掩模图案的掩模近场
。
[0018]第二方面，本专利技术提供了一种极紫外光刻掩模近场计算系统，包括：
[0019]入射场计算模块，用于基于部分相干照明中各个光源点的入射角和偏振类型，生成各个光源点对应的入射场；
[0020]掩模吸收体构建模块，用于基于掩模图案和吸收层生成掩模吸收体；
[0021]散射势计算模块，用于基于掩模吸收体的折射率计算掩模吸收体对应的散射势；
[0022]电场分布计算模块，用于基于掩模吸收体对应的散射势，各个光源点对应的入射场，以及各个光源点对应的电场分布的初值，采用修正玻恩级数法计算各个光源点在掩模吸收体的电场分布；其中，对于第一个计算的光源点，对应的电场分布的初值为预设的，对于其他光源点，对应的电场分布的初值为与所述其他光源点相近的光源点对应的电场分布；
[0023]掩模近场计算模块，用于基于各个光源点在掩模吸收体的电场分布，确定各个光源点的掩模近场
。
[0024]在一个可选的示例中，所述散射势计算模块具体用于：
[0025]基于掩模吸收体的折射率以及真空中的波矢，计算掩模吸收体的波矢；
[0026]基于掩模吸收体的波矢以及真空中的波矢，计算掩模吸收体对应的散射势
。
[0027]在一个可选的示例中，所述电场分布计算模块中对于每一光源点，所述修正玻恩级数法的迭代收敛条件为迭代前后所述每一光源点的电场分布的幅值变化小于预设阈值；所述预设阈值基于所述每一光源点的入射场的幅值确定
。
[0028]在一个可选的示例中，在掩模图案发生变化的情况下，所述系统还包括掩模图案变化模块，用于：
[0029]基于变化后的掩模图案生成变化掩模吸收体；
[0030]基于变化掩模吸收体对应的散射势，各个光源点对应的入射场，以及各个光源点在掩模吸收体中的电场分布，计算各个光源点在变化掩模吸收体中的电场分布，以确定各个光源点对应的变化后的掩模图案的掩模近场
。
[0031]总体而言，通过本专利技术所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：
[0032]本专利技术提供一种极紫外光刻掩模近场计算方法及系统，通过利用计算面向部分相干光源的极紫外光刻中相近光源点的掩模电场分布，为修正玻恩级数方法计算其他光源点对应的掩模电场分布提供了无需额外计算量的初值，实现了修正玻恩级数方法的加速，计算得到每个光源点对应的掩模电场分布之后，即可确定每个光源点的掩模近场，从而实现了面向部分相干光源的极紫外光刻掩模近场计算的加速，缩短了计算时间，节省了计算资源
。
附图说明
[0033]图1是本专利技术实施例提供的极紫外光刻掩模近场计算方法的流程示意图之一；
[0034]图2是本专利技术实施例提供的极紫外光刻掩模近场计算方法的流程图之二；
[0035]图3是本专利技术实施例提供的
EUV
光刻掩模图案的示例图；
[0036]图4是本专利技术实施例提供的方法与不优化初值的修正玻恩级数方法的效果对比图；
[0037]图5是本专利技术实施例提供的极紫外光刻掩模近场计算方法的流程图之三；
[0038]图6是本专利技术实施例提供的变化后的掩模图案的示例图以及计算效果对比图；
[0039]图7是本专利技术实施例提供的极紫外光刻掩模近场计算系统的架构图
。
具体实施方式
[0040]为了使本专利技术的目的
、
技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明
。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种极紫外光刻掩模近场计算方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤
S101
，基于部分相干照明中各个光源点的入射角和偏振类型，生成各个光源点对应的入射场；步骤
S102
，基于掩模图案和吸收层生成掩模吸收体；步骤
S103
，基于掩模吸收体的折射率计算掩模吸收体对应的散射势；步骤
S104
，基于掩模吸收体对应的散射势，各个光源点对应的入射场，以及各个光源点对应的电场分布的初值，采用修正玻恩级数法计算各个光源点在掩模吸收体的电场分布；其中，对于第一个计算的光源点，对应的电场分布的初值为预设的，对于其他光源点，对应的电场分布的初值为与所述其他光源点相近的光源点对应的电场分布；步骤
S105
，基于各个光源点在掩模吸收体的电场分布，确定各个光源点的掩模近场
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤
S103
具体包括：基于掩模吸收体的折射率以及真空中的波矢，计算掩模吸收体的波矢；基于掩模吸收体的波矢以及真空中的波矢，计算掩模吸收体对应的散射势
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于每一光源点，所述修正玻恩级数法的迭代收敛条件为迭代前后所述每一光源点的电场分布的幅值变化小于预设阈值；所述预设阈值基于所述每一光源点的入射场的幅值确定
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在掩模图案发生变化的情况下，步骤
S104
之后还包括：基于变化后的掩模图案生成变化掩模吸收体；基于变化掩模吸收体对应的散射势，各个光源点对应的入射场，以及各个光源点在掩模吸收体中的电场分布，计算各个光源点在变化掩模吸收体中的电场分布，以确定各个光源点...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世元，谷洪刚，何玭炫，江浩，刘佳敏，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：