【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善nmos中磷硅外延层形貌的方法。
技术介绍
1、现有技术中，通过dislocation stress memory technique(d-smt，错位应力记忆技术)工艺可提高nmos性能。
2、在d-smt工艺后，还需要在nmos s/d(源/漏)刻出约200埃的沟槽，并外延生长嵌入式磷硅(sip)作为增强的s/d，可进一步对器件沟道施加拉应力，提高电子迁移率，从而提升nmos性能。
3、在前期工艺开发中，sip外延生长工艺得到的sip呈‘v’字型形貌，而后续m0a(金属零层)刻蚀要同时兼顾pmos sige外延层平整的形貌和sip外延层的‘v’字型形貌，因此工艺窗口较小；严重的可能引起后续nmos接触孔扎穿。
4、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善nmos中磷硅外延层形貌的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善nmos中磷硅外延层形貌的方法，用于解决现有技术中sip外延生长工艺得到的sip呈‘v’字型形貌，而后续m0a(金属零层)刻蚀要同时兼顾pmos sige外延层平整的形貌和sip外延层的‘v’字型形貌，因此工艺窗口较小；严重的可能引起后续nmos接触孔扎穿的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善nmos中磷硅外延层形貌的方法，包括：
3、步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有nmos的有源区，所述有
4、步骤二、以cl2h2si和sih4作为硅源气体，在所述硅源气体、磷源气体、刻蚀气体的气体氛围下，调节所述cl2h2si和所述sih4的气体比例以调节(100)/(110)晶面的生长速率，使得形成的磷硅外延层为平坦形貌。
5、优选地，步骤一中的所述衬底为硅衬底。
6、优选地，步骤一中的所述衬底上还形成有pmos结构，所述pmos结构的有源区上形成有pmos外延层。
7、优选地，步骤一中的所述pmos外延层为锗硅外延层。
8、优选地，步骤二中的调节所述cl2h2si和所述sih4的气体比例为1/1～3/1。
9、优选地，步骤二中的所述磷源气体为ph3。
10、优选地，步骤二中的所述刻蚀气体为hcl。
11、优选地，所述方法还包括步骤三、在所述nmos结构和所述pmos结构上形成金属栅结构；形成覆盖所述金属栅结构的层间介质层；利用光刻、刻蚀形成接触孔；在所述接触孔中形成导电金属。
12、如上所述，本专利技术的改善nmos中磷硅外延层形貌的方法，具有以下有益效果：
13、本专利技术能够改善nmos中磷硅外延层的形貌。
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1.一种改善NMOS中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善NMOS中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的改善NMOS中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底上还形成有PMOS结构，所述PMOS结构的有源区上形成有PMOS外延层。
4.根据权利要求3所述的改善NMOS中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：步骤一中的所述PMOS外延层为锗硅外延层。
5.根据权利要求1所述的改善NMOS中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：步骤二中的调节所述Cl2H2Si和所述SiH4的气体比例为1/1～3/1。
6.根据权利要求1所述的改善NMOS中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：步骤二中的所述磷源气体为PH3。
7.根据权利要求1所述的改善NMOS中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：步骤二中的所述刻蚀气体为HCL。
8.根据权利要求3或4所述的改善NMOS中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：所述方法还包括步骤三、在
...【技术特征摘要】
1.一种改善nmos中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善nmos中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的改善nmos中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底上还形成有pmos结构，所述pmos结构的有源区上形成有pmos外延层。
4.根据权利要求3所述的改善nmos中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于：步骤一中的所述pmos外延层为锗硅外延层。
5.根据权利要求1所述的改善nmos中磷硅外延层形貌的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪佳琪，谭俊，颜强，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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