一种真空镀膜设备及系统技术方案

本申请公开了一种真空镀膜设备及系统，属于太阳能电池领域

【技术实现步骤摘要】
一种真空镀膜设备及系统


[0001]本申请属于太阳能
，涉及电池片的制备，具体涉及一种真空镀膜设备及系统
。

技术介绍

[0002]目前，制备异质结太阳电池时一般采用
PVD(Physical Vapor Deposition
，物理气相沉积
)
设备，但
PVD
设备制备的太阳能电池转换效率并不十分理想
。
而
RPD(reactive plasma deposition
，反应等离子沉积法
)
设备在制备高效异质结太阳电池方面具有显著优势，其制备的太阳能电池转换效率比
PVD
能够提升
0.1
‑
0.3
％；但是
RPD
设备有其自身的缺陷，也就是产能较小，如果全部镀膜都选用
RPD
设备来完成，无法满足大产能需求，如果选择采用增加
RPD
设备的方式来增加产能，则又会造成设备成本高的问题
。
[0003]现有技术中，为了解决上述问题，也有将两种沉积工艺结合使用的，但一般是用
RPD
沉积工艺制备
SHJ
电池正面
TCO
薄膜，用
PVD
工艺制备
SHJ
电池背面
TCO
薄膜，以实现在控制成本的条件下还能提升
SHJ
电池的能量转化效率的目的
。
但这种方式仅是在一定程度上解决了上述问题，并不能完全解决，因为在这种结合方式中，对
RPD
设备的需求量依然较大，受限于其产能，依然存在一定程度的上述技术问题
。

技术实现思路

[0004]本申请旨在至少在一定程度上解决上述相关技术中的技术问题之一
。
[0005]为此，本申请的目的在于提供一种真空镀膜设备，能够在保证制备的电池的转换效率的前提下
、
最大程度降低设备投入成本，而且能突破
RPD
设备产能受限问题
。
[0006]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0007]本申请实施例提供了一种真空镀膜设备，所述设备包括第一面镀膜组
、
自动翻片装置
、
第二面镀膜组和主控单元；所述第一面镀膜组
、
所述自动翻片装置和所述第二面镀膜组均与所述主控单元连接并在所述主控单元的控制下进行工作；
[0008]所述第一面镀膜组包括：用于实现外部环境向制膜工艺环境过渡的第一进端室组
、
用于对电池片第一面进行
TCO
薄膜制备的第一
PVD
磁控溅射室以及用于实现制膜工艺环境向外部环境过渡的第一出端室组；
[0009]所述第二面镀膜组包括：用于实现外部环境向制膜工艺环境过渡的第二进端室组
、
依次设置且用于对电池片第二面进行
TCO
薄膜制备的
RPD
镀膜腔室和第二
PVD
磁控溅射室
、
用于实现制膜工艺环境向外部环境过渡的第二出端室组；所述
RPD
镀膜腔室和所述第二
PVD
磁控溅射室，用于在电池片的第二面制备
RPD+PVD
复合
TCO
膜；所述复合
TCO
膜为
PVD
膜沉积在
RPD
膜的远离电池片硅片的一面的层叠式复合膜
。
[0010]另外，根据本申请的真空镀膜设备，还可以具有如下附加的技术特征：
[0011]在其中的一些实施方式中，所述第一
PVD
磁控溅射室的腔室内配设有1‑
10
对旋转阴极或平面阴极，任意一阴极均为向上镀膜；
[0012]所述
RPD
镀膜腔室的腔室内配设有1‑8个等离子发生装置，所述等离子发生装置以任一组合方式排布；每个所述等离子装置都对应设有一个安装靶材的坩埚，所述坩埚下方配有自动供应靶材的靶材供应结构；所述等离子发生装置向上镀膜；
[0013]所述第二
PVD
磁控溅射室的腔室内配设有1‑
10
对旋转阴极或平面阴极，任意一阴极均为向上镀膜
。
[0014]在其中的一些实施方式中，所述第一进端室组包括依次设置的第一进端锁室
、
第一进端缓冲室和第一进端过渡室；所述第一出端室组包括依次设置第一出端过渡室
、
第一出端缓冲室和第一出端锁室；
[0015]所述第二进端室组包括依次设置的第二进端锁室
、
第二进端缓冲室和第二进端过渡室；所述第二出端室组包括依次设置第二出端过渡室
、
第二出端缓冲室和第二出端锁室
。
[0016]在其中的一些实施方式中，所述第一和第二进端过渡室的腔室内均设有第一传动方式变更结构，将载板的传动方式从间断模式转变成连续模式；
[0017]所述第一和第二出端过渡室的腔室内均设有第二传动方式变更结构，将载板的传动方式从连续模式转变成间断模式
。
[0018]在其中的一些实施方式中，所述第一和第二进端锁室的进口端
、
所述第一进端锁室与所述第一进端缓冲室之间
、
所述第一进端缓冲室与所述第一进端过渡室之间
、
所述第二进端锁室与所述第二进端缓冲室之间
、
所述第二进端缓冲室与所述第二进端过渡室之间均设有门阀结构；所述门阀结构与所述主控单元连接；
[0019]所述第一出端过渡室和所述第一出端缓冲室之间
、
所述第一出端缓冲室和所述第一出端锁室之间
、
所述第二出端过渡室和所述第二出端缓冲室之间
、
所述第二出端缓冲室和所述第二出端锁室之间以及所述第一和第二出端锁室的出口端均设有门阀结构；所述门阀结构与所述主控单元连接
。
[0020]在其中的一些实施方式中，所述第一和第二进端锁室
、
所述第一和第二进端缓冲室
、
所述第一和第二出端缓冲室
、
所述第一和第二出端锁室的腔室处分别配设有第一抽真空泵组，腔室内分别配设有第一真空计组；所述第一抽真空泵组与对应腔室连接；所述第一抽真空泵组和所述第一真空计组均与所述主控单元连接，所述主控单元根据所述第一真空计组的测量结果控制所述第一抽真空泵组工作实现对腔室的抽真空
。
[0021]在其中的一些实施方式中，所述第一进端锁室
、
所述第一进端缓冲室和所述第一进端过渡室的腔室内真空度以及所述第二进端锁室
、
所述第二进端缓冲室和所述第二进端过渡室的腔室内真空度均为依次增强本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种真空镀膜设备，其特征在于，所述设备包括第一面镀膜组
、
自动翻片装置
、
第二面镀膜组和主控单元；所述第一面镀膜组
、
所述自动翻片装置和所述第二面镀膜组均与所述主控单元连接并在所述主控单元的控制下进行工作；所述第一面镀膜组包括：用于实现外部环境向制膜工艺环境过渡的第一进端室组
、
用于对电池片第一面进行
TCO
薄膜制备的第一
PVD
磁控溅射室以及用于实现制膜工艺环境向外部环境过渡的第一出端室组；所述第二面镀膜组包括：用于实现外部环境向制膜工艺环境过渡的第二进端室组
、
依次设置且用于对电池片第二面进行
TCO
薄膜制备的
RPD
镀膜腔室和第二
PVD
磁控溅射室
、
用于实现制膜工艺环境向外部环境过渡的第二出端室组；所述
RPD
镀膜腔室和所述第二
PVD
磁控溅射室，用于在电池片的第二面制备
RPD+PVD
复合
TCO
膜；所述复合
TCO
膜为
PVD
膜沉积在
RPD
膜的远离电池片硅片的一面的层叠式复合膜
。2.
根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一
PVD
磁控溅射室的腔室内配设有1‑
10
对旋转阴极或平面阴极，任意一阴极均为向上镀膜；所述
RPD
镀膜腔室的腔室内配设有1‑8个等离子发生装置，所述等离子发生装置以任一组合方式排布；每个所述等离子发生装置都对应设有一个安装靶材的坩埚，所述坩埚下方配有自动供应靶材的靶材供应结构；所述等离子发生装置向上镀膜；所述第二
PVD
磁控溅射室的腔室内配设有1‑
10
对旋转阴极或平面阴极，任意一阴极均为向上镀膜
。3.
根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一进端室组包括依次设置的第一进端锁室
、
第一进端缓冲室和第一进端过渡室；所述第一出端室组包括依次设置第一出端过渡室
、
第一出端缓冲室和第一出端锁室；所述第二进端室组包括依次设置的第二进端锁室
、
第二进端缓冲室和第二进端过渡室；所述第二出端室组包括依次设置第二出端过渡室
、
第二出端缓冲室和第二出端锁室
。4.
根据权利要求3所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一和第二进端过渡室的腔室内均设有第一传动方式变更结构，将载板的传动方式从间断模式转变成连续模式；所述第一和第二出端过渡室的腔室内均设有第二传动方式变更结构，将载板的传动方式从连续模式转变成间断模式
。5.
根据权利要求3所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一和第二进端锁室的进口端
、
所述第一进端锁室与所述第一进端缓冲室之间
、
所述第一进端缓冲室与所述第一进端过渡室之间
、
所述第二进端锁室与所述第二进端缓冲室之间
、
所述第二进端缓冲室与所述第二进端过渡室之间均设有门阀结构；所述门阀结构与所述主控单元连接；所述第一出端过渡室和所述第一出端缓冲室之间
、
所述第一出端缓冲室和所述第一出端锁室之间
、
所述第二出端过渡室和所述第二出端缓冲室之间
、
所述第二出端缓冲室和所述第二出端锁室之间以及所述第一和第二出端锁室的出口端均设有门阀结构；所述门阀结构与所述主控单元连接
。6.
根据权利要求3所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述第一和第二进端锁室
、
所述第一和第二进端缓冲室
、
所述第一和第二出端缓冲室
、
所述第一和第二出端锁室的腔室处分别配设有第一抽真空泵组，腔室内分别配设有第一真空计组；所述第一抽真空泵组与对应腔室连接；所述第一抽真空泵组和所述第一真空计组均与所述主控单元连接，所述主...

【专利技术属性】
技术研发人员：董刚强，王琦，赵宇，冉孝超，郁操，
申请(专利权)人：苏州迈为科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：