System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种异质结电池的制备方法及太阳能电池技术_技高网

一种异质结电池的制备方法及太阳能电池技术

技术编号:41279698 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-11 09:30
本发明专利技术提供了一种异质结电池的制备方法及太阳能电池,涉及太阳能电池制备技术领域。本发明专利技术的异质结电池的制备方法包括提供基底,并在基底处制备感光材料层;对感光材料层进行图形化形成预定图案的开口;提供一具有预定图案的孔的物理掩膜板;将物理掩膜板置于感光材料层上方,利用物理气相沉积的方法在感光材料层的开口处制备过渡金属层;移除物理掩膜板后,在过渡金属层上制备金属层;除去感光材料层。本发明专利技术的方法采用物理气相沉积的方法制备过渡金属层,无需溶液,不会对感光材料进行腐蚀,后续也不会出现渗镀的情况,无需额外对过渡金属层进行刻蚀,进而不会对金属层造成腐蚀,保证了电池性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池生产,特别是涉及一种异质结电池的制备方法及太阳能电池


技术介绍

1、现阶段hjt电池面临银浆耗量大和价格贵的问题,铜电镀的出现将解决这些问题。铜电镀技术是一种非接触式的电极金属化技术,在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜,制作铜栅线,收集光伏效应产生的载流子。电镀铜工艺过程中发生的电解化学反应简要概述如下:阴极反应:①cu2++2e-→cu,②2h++2e-→h2。阳极反应:①cu-2e-→cu2+,②4oh--4e-→2h2o+o2。金属化电极具有更小的金属线电阻,导电性能好。此外由于铜栅线相较于银栅线可以做到更细,导致铜电镀的遮光损失相对较少,将有效改善载流子收集。同时电镀铜电极的内部致密且均匀,没有明显的空隙,可有效地降低电池电极的欧姆损耗。综合来看,铜电镀技术相较于传统技术可以实现0.3%-0.5%的效率提升。目前现有电池片制备过程包括先涂布感光材料,并对其进行图形化,然后在开口处采用电化学的方法制备过渡金属层,然后在过渡金属层上方制备金属层,,最后去除掩膜层,由于该工艺为湿法制备过渡金属层,容易造成渗镀。具体按照该方法制备得到太阳能电池时容易出现渗镀,最终导致栅线变宽的情况。现有技术中制备的电池片切面的sem图如图1和图2所示,从图1和图2可以看出,通过该方法制备得到的电池片发生了很严重渗镀现象。这是由于掩膜材料硬度不够,长时间浸泡,化学溶液会往掩膜材料的缝隙里渗透,使掩膜材料容易撑开,造成栅线拓宽。

2、电池片表面为了获得较大的受光面积提升短路电流,栅线的细栅化已成为业内的发展趋势。而铜电镀防渗镀将成为hjt铜制程工艺中的工作重点。现有的而采用先形成感光材料,并对其进行曝光、显影形成具有开口的掩膜层,然后再在透明导电层上物理气相沉积制备金属种子层,然后再制备金属层。这种方法会在开口处的感光材料上也会沉积上过渡金属,后续需要通过蚀刻工艺去除过渡金属,会造成金属栅线及导电层的腐蚀损伤。


技术实现思路

1、本专利技术的第一方面的一个目的是要提供一种太阳能电池制备方法,解决现有技术中过渡金属腐蚀导致电池性能变差的问题。

2、本专利技术的第一方面的一个目的是解决在制备过程中因化学溶液的使用造成污染的问题。

3、本专利技术的第二方面的一个目的是提供一种太阳能电池。

4、特别地,本专利技术还提供一种异质结电池的制备方法,包括:

5、提供基底,并在所述基底处制备感光材料层;

6、对所述感光材料层进行图形化形成预定图案的开口;

7、提供一具有所述预定图案的孔的物理掩膜板;

8、将所述物理掩膜板置于所述感光材料层上方,利用物理气相沉积的方法在所述感光材料层的开口处制备过渡金属层;

9、移除所述物理掩膜板后,在所述过渡金属层上制备金属层;

10、除去所述感光材料层。

11、可选地,所述利用物理气相沉积的方法在所述感光材料层的开口处制备过渡金属层的步骤包括:

12、提供一掩膜基板;

13、将所述掩膜基板张紧,并置于金属框上;

14、采用激光切割或激光烧蚀的方式在所述掩膜基板上形成所述预定图案的孔得到所述物理掩膜板;掩膜板置于所述感光材料层上方,并使得所述孔与所述感光材料层上的开口对应。

15、可选地,所述物理掩膜板的材质选自铁、铝或耐高温尼龙布中的一种,且可根据需求制作不同图形,操作简单。

16、可选地,在所述基底处制备感光材料层的方法选自丝网印刷、喷涂、旋涂、滚轮热压中的一种。

17、可选地,所述感光材料层包括干膜、油墨、光刻胶或sio2。

18、可选地,对所述感光材料层进行图形化形成预定图案的开口的步骤中,形成开口的方法选自化学腐蚀、光刻、等离子体刻蚀或激光刻蚀中的一种。

19、可选地,所述过渡金属层选自au、cu、ni、cr、ag、al、zn中的一种。

20、可选地,在所述过渡金属层上制备金属层的方法选自电镀、电沉积、光诱导沉积或化学沉积中的一种。

21、可选地,所述金属层选自au、cu、ni、ag中的一种。

22、特别地,本专利技术还提供一种太阳能电池,该太阳能电池由上面所述的异质结电池的制备方法制备得到。

23、本方案的异质结电池的制备方法中,在制备过渡金属层之前采用的是将物理掩膜板置于感光材料层上方进行物理掩膜,由于有物理掩膜板的存在,在制备过渡金属层时,仅会在开口处存在过渡金属,感光材料层的上方不会沉积过渡金属层,后续也无需使用溶液对感光材料层进行浸泡除去过渡金属层,进而使得感光材料层不会受到化学药品的腐蚀,在后续制备金属层的过程中也不会出现渗镀的情况。本方案由于物理掩膜板的存在,感光材料层上方没有过渡金属层,无需进行刻蚀,不会对感光材料层的开口处的金属层和过渡金属层造成腐蚀损伤,保证了电池的性能。此外,由于过渡金属层采用的是物理气相沉积的方式,无需化学溶液,不会对感光材料进行腐蚀,同时也节约设备和药水的成本,也减少了对环境的污染。

24、根据下文结合附图对本专利技术具体实施例的详细描述,本领域技术人员将会更加明了本专利技术的上述以及其他目的、优点和特征。

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【技术保护点】

1.一种异质结电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

5.根据权利要求1或4所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

8.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

9.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

10.一种太阳能电池,其特征在于,由权利要求1-9中任一项所述的异质结电池的制备方法制备得到。

【技术特征摘要】

1.一种异质结电池的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

5.根据权利要求1或4所述的异质结电池的制备方法,其特征在于,

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:齐雅倩吕龙飞位野胡广豹曹周曹红平董刚强郁操
申请(专利权)人:苏州迈为科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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