【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电池制造，尤其涉及一种磁棒组件及磁控溅射设备。
技术介绍
1、磁控溅射镀膜是指将镀膜材料作为阴极，利用氩离子轰击靶材，产生阴极溅射，把靶材原子溅射沉积到待镀膜基片上形成沉积层的一种镀膜技术。
2、旋转阴极的靶材利用率高、可加载的电功率大等优点，旋转阴极的使用越来越广泛。旋转阴极的靶材和靶材内筒固定在一起成为一个整体，一般简称为靶筒，在阴极工作时靶材旋转，磁棒组件固定不动位于靶筒的中心，使得磁棒组件能够提供固定的、稳定的磁场，使得溅射能稳定、持续的发生，靶材表面能够均匀刻蚀。
3、在现有技术中，为了增强磁棒组件的磁场强度，通常是通过增加磁铁的体积实现的，这样无疑会增加磁棒组件的制造成本，且需要更大的安装设计空间。此外，磁铁体积的增大，会导致溅射角度增加，这样会造成被溅射的靶材无法有效地沉积在带镀膜基片上，降低靶材的利用率。
4、综上所述，亟需设计一种磁棒组件及磁控溅射设备，来解决以上技术问题。
技术实现思路
1、本技术的第一目的在于提出一种磁棒组件，不仅能够提高磁场强度，还能够确保具有较窄的溅射角度，节约成本。
2、为达此目的，本技术采用以下技术方案：
3、本技术提供一种磁棒组件，包括：
4、磁轭；在所述磁轭上，沿所述磁轭的长度方向设置有多个第一磁铁单元，所述第一磁铁单元包括多个第一磁铁，多个所述第一磁铁呈海尔贝克阵列排布，且所述第一磁铁单元呈扇形状或梯形状，所述第一磁铁单元的外表面能够与靶材的内表面贴
5、作为一种磁棒组件的可选技术方案，当所述第一磁铁单元呈扇形状时，多个所述第一磁铁呈扇形状，且多个所述第一磁铁的张角不同。
6、作为一种磁棒组件的可选技术方案，在所述磁轭的两个端部处分别设置有第二磁铁单元，所述第二磁铁单元被配置为减弱所述磁棒组件端部磁场强度。
7、作为一种磁棒组件的可选技术方案，所述第二磁铁单元设置为多个，且每一个所述第二磁铁单元包括多个第二磁铁，沿所述磁轭中部到所述磁轭端部的方向，所述第二磁铁单元内的所述第二磁铁数量减少。
8、作为一种磁棒组件的可选技术方案，所述第二磁铁单元关于所述磁轭的中轴线呈对称设置或非对称设置。
9、作为一种磁棒组件的可选技术方案，每一个所述第二磁铁单元包括多个所述第二磁铁，相邻两个所述第二磁铁的充磁方向不同。
10、作为一种磁棒组件的可选技术方案，所述磁棒组件还包括支撑件和连接块，所述磁轭设置在所述连接块上，所述支撑件与所述连接块连接。
11、作为一种磁棒组件的可选技术方案，所述磁棒组件还包括调节件，所述调节件穿过所述连接块与所述磁轭活动连接，所述调节件能够调节所述磁轭与所述靶材之间的距离。
12、作为一种磁棒组件的可选技术方案，所述磁棒组件还包括冷却水管，所述冷却水管穿设固定在所述连接块中。
13、本技术的第二目的在于提出一种磁控溅射设备，该磁控溅射设备能够在不增加第一磁铁体积的前提下，实现提高磁场强度的目的，提高该磁控溅射设备的工作效率。同时也能够保证较小的溅射角度，提高对靶材的利用效率，节约成本。
14、为达此目的，本技术采用以下技术方案：
15、本技术提供一种磁控溅射设备，所述磁控溅射设备包括真空腔室、待镀膜基片、靶材以及以上所述的磁棒组件，所述磁棒组件穿设在所述靶材的内部，所述待镀膜基片和所述靶材均设置在所述真空腔室内，所述磁棒组件产生的磁力线能够将所述靶材溅射的原子沉积到所述待镀膜基片上。
16、本技术的有益效果至少包括：
17、本技术提供一种磁棒组件，该磁棒组件包括磁轭和第一磁铁单元。其中，在磁轭上，沿磁轭的长度方向设置有多个第一磁铁单元，第一磁铁单元包括多个第一磁铁，多个第一磁铁呈海尔贝克阵列排布，且第一磁铁单元呈扇形状或梯形状，第一磁铁单元的外表面能够与靶材的内表面贴合，或，第一磁铁单元的外表面能够与靶材的内表面保持预设间隙。通过对第一磁铁单元中的第一磁铁按照海尔贝克阵列的方式进行排布，从而能够最充分地利用第一磁铁组合在一起时产生的磁场强度，因此能够在较小体积的第一磁铁的条件下获得较高的磁场强度，从而实现在不增加第一磁铁数量和体积的前提下，使磁棒组件获得较强的磁场强度，提高磁控溅射的效率。同时，由于本技术中未改变第一磁铁的体积，因此，较小体积的第一磁铁有利于磁场发射到靶材表面后形成的溅射张角收窄，避免对靶材产生浪费的现象。
18、本技术还提供一种磁控溅射设备，该磁控溅射设备能够在不增加第一磁铁体积的前提下，实现提高磁场强度的目的，提高该磁控溅射设备的工作效率。同时也能够保证较小的溅射角度，提高对靶材的利用效率，节约成本。
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1.磁棒组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁棒组件，其特征在于，当所述第一磁铁单元(200)呈扇形状时，多个所述第一磁铁(210)呈扇形状，且多个所述第一磁铁(210)的张角不同。
3.根据权利要求1所述的磁棒组件，其特征在于，在所述磁轭(100)的两个端部处分别设置有第二磁铁单元(300)，所述第二磁铁单元(300)被配置为减弱所述磁棒组件端部磁场强度。
4.根据权利要求3所述的磁棒组件，其特征在于，所述第二磁铁单元(300)设置为多个，且每一个所述第二磁铁单元(300)包括多个第二磁铁(310)，沿所述磁轭(100)中部到所述磁轭(100)端部的方向，所述第二磁铁单元(300)内的所述第二磁铁(310)数量减少。
5.根据权利要求4所述的磁棒组件，其特征在于，所述第二磁铁单元(300)关于所述磁轭(100)的中轴线呈对称设置或非对称设置。
6.根据权利要求4所述的磁棒组件，其特征在于，每一个所述第二磁铁单元(300)包括多个所述第二磁铁(310)，相邻两个所述第二磁铁(310)的充磁方向不同。
...【技术特征摘要】
1.磁棒组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁棒组件，其特征在于，当所述第一磁铁单元(200)呈扇形状时，多个所述第一磁铁(210)呈扇形状，且多个所述第一磁铁(210)的张角不同。
3.根据权利要求1所述的磁棒组件，其特征在于，在所述磁轭(100)的两个端部处分别设置有第二磁铁单元(300)，所述第二磁铁单元(300)被配置为减弱所述磁棒组件端部磁场强度。
4.根据权利要求3所述的磁棒组件，其特征在于，所述第二磁铁单元(300)设置为多个，且每一个所述第二磁铁单元(300)包括多个第二磁铁(310)，沿所述磁轭(100)中部到所述磁轭(100)端部的方向，所述第二磁铁单元(300)内的所述第二磁铁(310)数量减少。
5.根据权利要求4所述的磁棒组件，其特征在于，所述第二磁铁单元(300)关于所述磁轭(100)的中轴线呈对称设置或非对称设置。
6.根据权利要求4所述的磁棒组件，其特征在于，每一个所述第二磁铁单元(300)包括多个所述第二磁铁(310)，相邻...
【专利技术属性】
技术研发人员：周振国，彭孝龙，莫超超，张永胜，杨肸曦，解传佳，董刚强，
申请(专利权)人：苏州迈为科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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