【技术实现步骤摘要】
本申请涉及磁控溅射镀膜，特别是涉及一种磁棒组件及磁控溅射设备。
技术介绍
1、磁控溅射镀膜技术是利用永磁体产生的磁场，约束电子运动轨迹，在靶材表面形成电子跑道，从而影响靶材刻蚀形貌。由于旋转靶的重量利用率优于平面靶，因此旋转靶被广泛应用于磁控溅射镀膜生产线。
2、通常，用于旋转靶的磁棒组件包括中部磁体和两个边部磁体，两个边部磁体对称设置于中部磁体的两侧，并且边部磁体靠近待镀膜基片一侧的磁极与中部磁体靠近待镀膜极片一侧的磁极相反，形成闭合磁场，从而在靶材表面形成电子跑道。
3、相关技术中磁棒组件的结构，所形成的电子跑道在靶材两端处转弯180°，电子通常在此处聚集，局部等离子体浓度高，溅射速率高于靶材中间区域，这样，一方面会加快靶材两端的刻蚀速率，靶材寿命较短，同时也会导致靶材两端沉积通量增加，从而导致镀膜厚度分布不均匀。
技术实现思路
1、基于此，提供一种磁棒组件及磁控溅射设备，旨在改善靶材寿命较短，以及镀膜厚度分布不均匀的问题。
2、本申请第一方面的实施例提供了一种磁棒组件，所述磁棒组件包括磁轭基板以及设置于所述磁轭基板上的多个磁组，所述多个磁组沿第一方向排布，每个所述磁组包括沿第二方向排列的多个第一磁铁，所述第一方向和所述第二方向垂直；所述多个磁组包括至少一个中部磁组和位于所述中部磁组两侧的边部磁组；其中，至少一个所述磁组中的所述多个第一磁铁的充磁方向沿所述第二方向呈周期性变化。
3、本申请实施例中的磁棒组件，其包括至少一个中部磁组
4、在一些实施例中，所述中部磁组的数量为两个，两个所述中部磁组分别为第一中部磁组和第二中部磁组；所述第一中部磁组和/或所述第二中部磁组中的所述多个第一磁铁的充磁方向沿所述第二方向呈周期性变化。
5、在一些实施例中，所述第一中部磁组中的第一磁铁和所述第二中部磁组中的第一磁铁沿所述第一方向错位设置。
6、在一些实施例中，所述第一中部磁组中的第一磁铁和所述第二中部磁组中的第一磁铁沿所述第一方向错位的距离，大于或等于所述第一磁铁沿第二方向的长度的1/3，且小于或等于所述第一磁铁沿第二方向的长度的2/3。
7、在一些实施例中，所述边部磁组的数量为两个，两个所述边部磁组分别为第一边部磁组和第二边部磁组；所述第一边部磁组和/或所述第二边部磁组中的所述多个第一磁铁的充磁方向沿所述第二方向呈周期性变化。
8、在一些实施例中，所述第一边部磁组中的第一磁铁和所述第二边部磁组中的第一磁铁沿所述第一方向错位设置。
9、在一些实施例中，所述第一边部磁组中的第一磁铁和所述第二边部磁组中的第一磁铁沿所述第一方向错位的距离，大于或等于所述第一磁铁沿第二方向的长度的1/3，且小于或等于所述第一磁铁沿第二方向的长度的2/3。
10、在一些实施例中，所述中部磁组还包括两个第二磁铁，两个所述第二磁铁分别位于所述多个第一磁铁沿第二方向的两端；
11、所述第二磁铁的充磁方向平行于所述第二方向且指向所述第一磁铁。
12、在一些实施例中，所述第二磁铁沿所述第二方向的长度小于所述第一磁铁沿所述第二方向的长度。
13、在一些实施例中，各所述第一磁铁的长度相等。
14、在一些实施例中，相邻两个所述第一磁铁的长度不相等。
15、本申请第二方面的实施例提供了一种磁控溅射设备，所述磁控溅射设备包括真空腔室、待镀膜基片、靶材以及上述任一实施例中的磁棒组件，所述磁棒组件穿设在所述靶材的内部，所述待镀膜基片和所述靶材设置在所述真空腔室内，所述磁棒组件产生的磁力线能够控制所述靶材的溅射区域，以使所述靶材溅射的原子沉积到所述待镀膜基片上。
16、本申请实施例中的磁控溅射设备，其中的磁棒组件包括至少一个中部磁组和位于中部磁组两侧的边部磁组，每个磁组均包括沿第二方向排列的多个第一磁铁，至少一个磁组中的多个第一磁铁的充磁方向沿第二方向呈周期性变化。如此设置，可以使形成的电子跑道中段部分呈现为周期性变化的波形，由此，可以改善电子向电子跑道两端漂移的现象。其中，波形中波峰区域内等离子体浓度上升，波谷区域内等离子体浓度下降，即等离子体浓度呈现为周期性变化，这样，可以保证电子跑道整体上具有较为均匀的等离子体浓度。从而可以降低靶材两端的刻蚀速率，有利于提高靶材寿命，同时，也会使靶材各位置处的沉积通量大体一致，从而可以提高镀膜厚度的分布均匀性。
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1.一种磁棒组件，其特征在于，包括磁轭基板以及设置于所述磁轭基板上的多个磁组，所述多个磁组沿第一方向排布，每个所述磁组包括沿第二方向排列的多个第一磁铁，所述第一方向和所述第二方向垂直；
2.根据权利要求1所述的磁棒组件，其特征在于，所述中部磁组的数量为两个，两个所述中部磁组分别为第一中部磁组和第二中部磁组；
3.根据权利要求2所述的磁棒组件，其特征在于，所述第一中部磁组中的第一磁铁和所述第二中部磁组中的第一磁铁沿所述第一方向错位设置。
4.根据权利要求3所述的磁棒组件，其特征在于，所述第一中部磁组中的第一磁铁和所述第二中部磁组中的第一磁铁沿所述第一方向错位的距离，大于或等于所述第一磁铁沿第二方向的长度的1/3，且小于或等于所述第一磁铁沿第二方向的长度的2/3。
5.根据权利要求1所述的磁棒组件，其特征在于，所述边部磁组的数量为两个，两个所述边部磁组分别为第一边部磁组和第二边部磁组；
6.根据权利要求5所述的磁棒组件，其特征在于，所述第一边部磁组中的第一磁铁和所述第二边部磁组中的第一磁铁沿所述第一方向错位设置。
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