一种内置沟道二极管的沟槽制造技术

本发明专利技术提供一种内置沟道二极管的沟槽

【技术实现步骤摘要】
一种内置沟道二极管的沟槽SiC MOSFET及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种内置沟道二极管的沟槽
SiC MOSFET
及制备方法
。

技术介绍

[0002]相较于以硅为代表的第一代半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料，第三代半导体材料碳化硅具有带隙宽
、
击穿场强高
、
热导率高
、
饱和电子迁移速率高
、
物理化学性能稳定等特性，可适用于高温，高频，大功率和极端环境
。
碳化硅具有更大的禁带宽度和更高的临界击穿场强
。
相比同等条件下的硅功率器件，碳化硅器件的耐压程度约为硅材料的
10
倍
。
另外，碳化硅器件的电子饱和速率较高
、
正向导通电阻小
、
功率损耗较低，适合大电流大功率运用，降低对散热设备的要求
。
相对于其它第三代半导体
(
如
GaN)/>而言，碳化硅能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种内置沟道二极管的沟槽
SiC MOSFET
，其特征在于，包括：第一
P+
区
、
第二
P+
区
、
第一
N+
区
、N
‑
区
、N
柱和
P
柱；所述第一
P+
区
、
所述第一
N+
区和所述
N
‑
区位于分裂栅极下方并依次邻接；所述第二
P+
区位于所述第一
P+
区
、
所述第一
N+
区和所述
N
‑
区的下方并与所述第一
P+
区
、
所述第一
N+
区和所述
N
‑
区邻接；所述
P
柱位于
N
‑
drift
层两侧；所述
N
柱包覆所述
P
柱并与所述
N
‑
drift
层邻接
。2.
根据权利要求1所述的一种内置沟道二极管的沟槽
SiC MOSFET
，其特征在于，还包括：
CSL
层；所述
CSL
层位于
P
‑
body
层下方并与所述
P
柱邻接
。3.
根据权利要求1所述的一种内置沟道二极管的沟槽
SiC MOSFET
，其特征在于，所述第一
P+
区的掺杂浓度为2×
10
18
cm
‑3。4.
根据权利要求1所述的一种内置沟道二极管的沟槽
SiC MOSFET
，其特征在于，所述第一
N+
区的掺杂浓度为
10
19
cm
‑3。5.
根据权利要求1所述的一种内置沟道二极管的沟槽
SiC MOSFET
，其特征在于，所述
N
‑
区的掺杂浓度为
10
15
cm
‑3。6.
根据权利要求1所述的一种内置沟道二极管的沟槽
SiC MOSFET
，其特征在于，所述
N
柱的厚度为
1um。7.
根据权利要求1所述的一种内置沟道二极管的沟槽
SiC MOSFET
，其特征在于，所述
N
柱的掺杂浓度为6×
10
16
cm
‑3。8.
根据权利要求1所述的一种内置沟道二极管的沟槽
SiC MOSFET
，其特征在于，还包括：漏极
、
源极
、
栅极
、
衬底
、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张婷，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：