【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法
。
此外，本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体晶片
、
模块以及电子设备
。
[0002]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置
。
除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路
、
运算装置或存储装置也是半导体装置的一个实施方式
。
显示装置
(
液晶显示装置
、
发光显示装置等
)、
投影装置
、
照明装置
、
电光装置
、
蓄电装置
、
存储装置
、
半导体电路
、
成像装置及电子设备等有时包括半导体装置
。
[0003]注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
。
本说明书等所公开的专利技术的一个实施方式涉及一种
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种半导体装置，包括：氧化物；所述氧化物上的第一导电体及第二导电体；所述氧化物上的第三导电体；所述氧化物与所述第三导电体之间的第一绝缘体，该第一绝缘体覆盖所述第三导电体的侧面；所述第三导电体及所述第一绝缘体上的第二绝缘体；位于所述第一导电体上且与所述第二绝缘体的第一侧面接触的第三绝缘体；位于所述第二导电体上且与所述第二绝缘体的第二侧面...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，松林大介，方堂凉太，伊藤大吾，本多大章，冈本悟，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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