改善金属铝栅损耗的方法技术

本申请提供一种改善金属铝栅损耗的方法，包括：步骤

【技术实现步骤摘要】
改善金属铝栅损耗的方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种改善金属铝栅损耗的方法
。

技术介绍

[0002]集成电路制造到了
28nm
技术节点以后，基本都会切换到高
k
‑
金属栅工艺，原本用作栅极的多晶硅会在工艺中期被去掉，取而代之的是金属栅
。
[0003]去除作为伪栅极的多晶硅栅极后，在形成的凹槽内填充金属铝以形成金属铝栅
。
凹槽内存在的颗粒杂质以及伪栅极的特征尺寸
(CD)
偏小都会造成金属铝填充缺陷，通过沉积工艺在凹槽内填充金属铝之后实施的研磨就会在金属铝表面形成比较深的坑槽，这类坑槽深宽比大，无法被后续形成的层间介质层封堵，在层间介质层中形成接触孔后实施的清洗工艺的清洗液会进入坑槽腐蚀金属铝栅造成金属铝栅的损耗
。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种改善金属铝栅损耗的方法，用于解决现有技术中形成的金属铝栅的表面存在坑槽造成后续工艺对金属铝栅的损耗的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种改善金属铝栅损耗的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤
S1
，提供一衬底，在所述衬底上形成伪栅极；步骤
S2
，去除所述伪栅极，在形成的凹槽中填充金属铝；步骤
S3
，实施研磨以去除所述凹槽外的金属铝；步骤
S4
，实施氧化处理以在所述金属铝的表面形成氧化层；步骤
S5
，形成连接所述金属铝的接触塞
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积腔室中通入氧气实施所述氧化处理
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤
S5
包括：通过沉积工艺在所述衬底上形成一层间介质层；通过光刻
、
刻蚀工艺在所述层间介质层上形成具有所述接触塞图案的掩模层；以所述掩模层为掩模，通过刻蚀在所述层间介质层中形成连接所述金属铝的接触孔；去除所述掩模层，对所述接触孔实施预清洗处理；通过沉积工艺在所述接触孔内填充金属；通过研...

【专利技术属性】
技术研发人员：周思敏，潘宗延，陈明志，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：