像素结构与对准标记制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构与对准标记，该像素结构包括主动组件、电容下电极、电容上电极、保护层、彩色滤光薄膜以及像素电极。电容下电极具有开口。电容上电极位于电容下电极上方，并与主动组件电性连接。保护层覆盖主动组件、电容下电极与电容上电极。彩色滤光薄膜配置于保护层上以覆盖主动组件、电容下电极与电容上电极，其中保护层与彩色滤光薄膜具有接触窗，而接触窗位于开口上方并暴露出电容上电极的部分区域。像素电极配置于彩色滤光薄膜上，并通过接触窗与电容上电极电性连接，其中接触窗的侧壁位于开口的侧壁与电容上电极的外缘之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种像素结构与对准标记，且特别是有关于一种易于检测误对准 (mis-alignment)的像素结构与对准标记。
技术介绍
随着显示科技的日益进步，人们借着显示器的辅助可使生活更加便利，为求显示 器轻、薄的特性，促使平面显示器(flat panel display, FPD)成为目前的主流。在诸多平 面显示器中，液晶显示器(liquid crystal display, IXD)具有高空间利用效率、低消耗功 率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性，因此，液晶显示器深受消费者欢迎。在一般的液晶显示器中，整合有彩色滤光薄膜的主动组件阵列基板(C0A)与整合 有黑矩阵的主动组件阵列基板(BOA)已经属于目前的主流。就现有的C0A基板或BOA基板 来说，在同一块基板上的彩色滤光薄膜与其下薄膜(即主动组件阵列中的图案化薄膜)之 间的误对准问题(mis-alignment issue)通常会影响到显示质量以及产品合格率。因此， 如何快速地判定出是否有误对准的问题，并判断出误对准的程度是否在容许范围之内，是 目前研发者关注的问题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，有助于快速地检测出电容区域处的误对准的程度是否 超出容许范围。本专利技术另提供一种对准标记，有助于快速地检测出误对准的程度是否超出容许范 围。本专利技术提出一种像素结构，其包括主动组件、电容下电极、电容上电极、保护层、彩 色滤光薄膜以及像素电极。电容下电极具有开口。电容上电极位于电容下电极上方，并与 主动组件电性连接。保护层覆盖主动组件、电容下电极与电容上电极。彩色滤光薄膜配置 于保护层上以覆盖主动组件、电容下电极与电容上电极，其中保护层与彩色滤光薄膜具有 接触窗，而接触窗位于开口上方并暴露出电容上电极的部分区域。像素电极配置于彩色滤 光薄膜上，并通过接触窗与电容上电极电性连接，其中接触窗的侧壁位于开口的侧壁与电 容上电极的外缘之间。依照本专利技术实施例所述的像素结构，上述的开口的面积例如小于接触窗的面积， 而接触窗的面积例如小于电容上电极的面积。依照本专利技术实施例所述的像素结构，上述的电容上电极的外缘例如位于电容下电 极的外缘与接触窗的侧壁之间。依照本专利技术实施例所述的像素结构，上述的电容下电极例如为环形电容下电极。依照本专利技术实施例所述的像素结构，还可以包括配置于电容下电极与电容上电极 之间的介电层。依照本专利技术实施例所述的像素结构，还可以包括配置于彩色滤光薄膜与像素电极之间的覆盖层(overcoat)。本专利技术另提出一种对准标记，适于制作于整合有彩色滤光薄膜的主动组件阵列基 板上，其中整合有彩色滤光薄膜的主动组件阵列基板包括第一图案化导电层、第二图案化 导电层以及多个彩色滤光薄膜，而对准标记包括第一图案、第二图案以及第三图案。第一图 案具有第一开口，其中第一图案的材质与第一图案化导电层的材质实质上相同。第二图案 具有第二开口且位于第一图案上方，其中第二图案的材质与第二图案化导电层的材质实质 上相同。第三图案位于第一开口与第二开口上方，其中第三图案的材质与彩色滤光薄膜的 材质实质上相同，且第三图案的外缘位于第一开口的侧壁与第二开口的侧壁之间。依照本专利技术实施例所述的对准标记，上述的第一开口的面积例如小于第三图案的 面积，而第三图案的面积例如小于第二开口的面积。依照本专利技术实施例所述的对准标记，上述的第一开口例如为矩形开口，而第二开 口例如为矩形开口。依照本专利技术实施例所述的对准标记，上述的第一开口例如为十字形开口，而第二 开口例如为十字形开口。依照本专利技术实施例所述的对准标记，还可以包括配置于第一图案与第二图案之间 的介电层。依照本专利技术实施例所述的对准标记，还可以包括覆盖于第二图案上的保护层。依照本专利技术实施例所述的对准标记，还可以包括第一刻度图案(graduation pattern)以及第二刻度图案，其中第一刻度图案的材质与第一图案化导电层或第二图案化 导电层的材质实质上相同，而第二刻度图案的材质与彩色滤光薄膜的材质实质上相同。基于上述，在本专利技术的一实施例中，由于电容下电极具有开口，因此可藉由检测彩 色滤光薄膜的接触窗的侧壁是否位于电容下电极的开口的侧壁与电容上电极的外缘之间 来判定形成彩色滤光薄膜时的误对准程度是否超出容许范围，以迅速地判定产品是否符合 规格，且可在生产过程中进行重复确认。此外，在本专利技术的另一实施例中，同样可藉由检测对准标记中的第三图案(其材 质与彩色滤光薄膜的材质实质上相同)的外缘是否位于第一图案的开口的侧壁与第二图 案的开口的侧壁之间来判定形成彩色滤光薄膜时的误对准程度是否超出容许范围。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。附图说明图1A为依照本专利技术实施例所绘示的像素结构的上视示意图；图1B为沿图1A中的1-1’剖线所绘示的剖面示意图；图2A为依照本专利技术一实施例所绘示的对准标记的上视示意图；图2B为沿图2A中的11-11’剖线所绘示的剖面示意图；图3为依照本专利技术另一实施例所绘示的对准标记的上视示意图；图4为本专利技术的对准标记中的刻度图案的上视示意图。其中，附图标记10 像素结构100 基板102 主动组件102a 通道层104、108 图案化导电层104a 电容下电极104a’、206a、206b、208a、208b 开口104b 扫描线104d、108e、108f、108g 导电部分106,212 介电层108a 电容上电极108a’ 外缘108b 资料线108c 漏极108d 源极110 保护层112 彩色滤光薄膜114 覆盖层116 像素电极118a、118b 像素区120 接触窗200、300 对准标记202 整合有彩色滤光薄膜的主动组件阵列基板204 周边区域206、208、210 图案400、402 刻度图案具体实施例方式图1A为依照本专利技术实施例所绘示的像素结构的上视示意图。图1B为沿图1A中 的1-1’剖线所绘示的剖面示意图。在本实施例中，为了便于说明，仅绘示出一个像素区。此 像素区具有二个像素电极，且对应设置有二个主动组件。当然，视实际设计需求，像素区也 可以仅具有一个或更多个像素电极，且设置依实际设计需求的主动组件。此外，为了使图式 清晰，图1A中省略了部分的膜层，如介电层106、覆盖层114等。请同时参照图1A与图1B，像素结构10位于基板100上。像素结构10包括主动组 件102、图案化导电层104、介电层106、图案化导电层108、保护层110、彩色滤光薄膜112、 覆盖层114以及像素电极116。主动组件102例如为薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)，其具有栅极(图中未示)、通道层102a、源极108c与漏极108d等。图案化导电层 104包括电容下电极104a、相互平行的扫描线104b、主动组件102的栅极以及作为共通线 (common line)的导电部分104d。电容下电极104a具有开口 104a，。开口 104a，意思是 指，电容下电极104a的材料于预定要形成开口 104a’的位置被移除，而可以暴露出其下的 膜层(图中未示)或基板100。电容下电极104a例如为环形电容下电极，但不限于此。于 其它实施例中，电容下电极1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：一主动组件；一电容下电极，具有一开口；一电容上电极，位于该电容下电极上方，并与该主动组件电性连接；一保护层，覆盖该主动组件、该电容下电极与该电容上电极；一彩色滤光薄膜，配置于该保护层上以覆盖该主动组件、该电容下电极与该电容上电极，其中该保护层与该彩色滤光薄膜具有一接触窗，该接触窗位于该开口上方并暴露出该电容上电极的部分区域；以及一像素电极，配置于该彩色滤光薄膜上，并通过该接触窗与该电容上电极电性连接，其中该接触窗的侧壁位于该开口的侧壁与该电容上电极的外缘之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑为元，黄彦衡，白佳蕙，曾文贤，陈宗凯，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]