一种化学源的导入系统和导入方法及薄膜沉积设备技术方案

本发明专利技术公开了一种化学源的导入系统及导入方法和薄膜沉积设备

【技术实现步骤摘要】
一种化学源的导入系统和导入方法及薄膜沉积设备


[0001]本专利技术涉及半导体设备的
，具体涉及了一种化学源的导入系统
、
一种化学源的导入方法
、
一种薄膜沉积设备，以及一种计算机可读存储介质
。

技术介绍

[0002]原子层沉积
(Atomic Layer Deposition
，
ALD)
工艺作为较为常用镀膜的一种技术手段
。
一个完整的
ALD
循环可分为四步：第一步为将第一种前驱体化学源通入反应室，在暴露的衬底表面发生化学吸附反应，第二步为通过载气体吹扫剩余的未反应的第一种前驱体化学源，第三步为第二种前驱体化学源通入反应室，和第一种前驱体化学源发生化学反应，第四步为通入载气吹扫剩余的未反应的前驱体和副产物出反应腔
。
[0003]现有的原子层沉积镀膜设备在
ALD
循环的四步反应过程中，携带前驱体化学源的载气均被通入反应腔内，但在实际过程中，只有在第一步反应中，载气才有较为实质性的作用，在此之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种化学源的导入系统，包括：化学源腔，其内部存储液态化学源；第一管路，一端连接到所述化学源腔，以向所述化学源腔内通入载气；第二管路，一端连接所述化学源腔，另一端连接反应腔，以将所述液态化学源经由所述载气传送到所述反应腔内进行沉积反应，其特征在于，所述导入系统还包括：第三管路组，包括第三主管路和第三支路，所述第三支路连通所述第一管路
、
所述第二管路以及所述第三主管路，并且所述第三主管路内持续流通吹扫气体，以在向所述反应腔送入携带液态化学源的载气后，使得继续通入的所述载气经由所述第三支路进入所述第三主管路，并被所述吹扫气体顶出所述第三主管路
。2.
如权利要求1所述的导入系统，其特征在于，所述第三主管路的一端连接吹扫气体源，以向所述第三主管路内持续通入所述吹扫气体，所述第三主管路的另一端连接抽气泵，以加快所述第三主管路内的所述吹扫气体和所述载气的流速
。3.
如权利要求2所述的导入系统，其特征在于，所述吹扫气体包括惰性气体
。4.
如权利要求1所述的导入系统，其特征在于，所述第一管路上包括第一阀门，用以控制所述化学源腔内的所述载气的通入，所述第二管路上包括第二阀门和第三阀门，其中，所述第二阀门用以控制所述化学源腔内的所述携带液态化学源的载气的送出，所述第三阀门用以控制所述反应腔内的所述携带液态化学源的载气的通入
。5.
如权利要求4所述的导入系统，其特征在于，所述第三支路中连接所述第一管路和所述第二管路的第一段支路上包括第四阀门，所述第三支路中连接所述第二管路和所述第三主管路的第二段支路上包括第五阀门，用以控制所述继续通入的所述载气进入所述第三主管路
。6.
一种化学源的导入方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王政，柴雪，李晶，刘佳臻，
申请(专利权)人：拓荆科技，
类型：发明
国别省市：