反应腔体以及薄膜沉积设备制造技术

本发明专利技术提供了一种反应腔体和薄膜沉积设备

【技术实现步骤摘要】
反应腔体以及薄膜沉积设备


[0001]本专利技术涉及半导体处理设备，尤其涉及半导体薄膜沉积设备
。

技术介绍

[0002]薄膜沉积技术的原理是将晶圆置于反应腔体中，通入适量的反应气体，利用反应气体的物理变化和化学反应，在晶圆表面形成固态薄膜
。
[0003]反应腔体中设有传片口，将晶圆通过该传片口被传送至腔体内部的支撑件上进行薄膜沉积
。
薄膜沉积后的晶圆通过该传片口被传送出反应腔室
。
由于该传片口的存在，反应腔室的结构存在不对称性
。
[0004]由于反应腔体的不对称性以及在高温工作环境下产生热变形，腔体传片口方向结构较薄弱总变形量大于其它方向，导致连接的喷淋板也会产生变形不对称情况，影响工艺效果，例如成膜均匀性
。
[0005]因此，亟需一种改进的反应腔体结构，以改善高温工作过程中的成膜均匀性
。

技术实现思路

[0006]为了改善高温工作过程中的成膜均匀性，本专利技术提供了一种反应腔体
。
[0007]该反应腔体包括传片口
、
可移动块体
、
气缸推动组件以及导轨组件
。
[0008]该可移动块体设置在该传片口下方并具有内侧壁和外侧壁
。
[0009]该气缸推动组件安装在该可移动块体下方
。
[0010]该导轨组件设置在该可移动块体的两侧
。
[0011]其中，当进行工艺制程时，该气缸推动组件带动该可移动块体上升，使该可移动块体组件沿着该导轨组件上升直至该传片口空间被封堵
。
[0012]在一个实施例中，该可移动块体的外侧壁与反应腔体的侧壁对齐，使得当该可移动块体上移直至该反应腔体的外壁封闭后其外侧壁与反应腔体的侧壁齐平
。
[0013]在一个实施例中，该可移动块体的内侧壁呈弧形
。
[0014]在一个实施例中，该可移动块体的内侧壁与该反应腔体内的晶圆支撑盘的外周贴合
。
[0015]在一个实施例中，当该可移动块体被该气缸推动组件带动上移直至该传片口空间被封堵后，该反应腔体的内部结构呈对称性
。
[0016]本专利技术还提供了一种薄膜沉积设备，包括喷淋板以及反应腔体
。
[0017]该喷淋板位于该反应腔体的上部
。
[0018]该反应腔体包括传片口
、
可移动块体
、
气缸推动组件以及导轨组件
。
[0019]该可移动块体设置在该传片口下方并具有内侧壁和外侧壁
。
[0020]该气缸推动组件安装在该可移动块体下方
。
[0021]该导轨组件设置在该可移动块体的两侧
。
[0022]其中，当进行工艺制程时，该气缸推动组件带动该可移动块体上升，使该可移动块
体组件沿着该导轨组件上升直至该传片口空间被封堵
。
[0023]在一个实施例中，该可移动块体的外侧壁与反应腔体的侧壁对齐，使得当该可移动块体上移直至该反应腔体的外壁封闭后其外侧壁与反应腔体的侧壁齐平
。
[0024]在一个实施例中，该可移动块体的内侧壁呈弧形
。
[0025]在一个实施例中，该可移动块体的内侧壁与该反应腔体内的晶圆支撑盘的外周贴合
。
[0026]在一个实施例中，当该可移动块体被该气缸推动组件带动上移直至该传片口空间被封堵后，该反应腔体的内部结构呈对称性
。
[0027]本专利技术所提供的反应腔体结构使得在工艺制程中腔体部分结构能上移至封堵传片口空间，以抵抗一部分热变形，进而改善高温工作过程中成膜均匀性
。
附图说明
[0028]本专利技术的以上
技术实现思路
以及下面的具体实施方式在结合附图阅读时会得到更好的理解
。
需要说明的是，附图仅作为所请求保护的专利技术的示例
。
在附图中，相同的附图标记代表相同或类似的元素
。
[0029]图1示出一种薄膜沉积设备的内部结构；
[0030]图2示出根据本专利技术一实施例的反应腔体结构；
[0031]图3示出根据本专利技术一实施例的反应腔体结构的侧视图；
[0032]图4示出根据本专利技术一实施例的反应腔体结构的剖视图；
[0033]图5示出根据本专利技术一实施例的反应腔体结构的立体剖视图
。
具体实施方式
[0034]以下在具体实施方式中详细叙述本专利技术的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域技术人员了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所揭露的说明书
、
权利要求及附图，本领域技术人员可轻易地理解本专利技术相关的目的及优点
。
虽然本专利技术的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此专利技术的特征仅限于该实施方式
。
恰恰相反，结合实施方式作专利技术介绍的目的是为了覆盖基于本专利技术的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造
。
为了提供对本专利技术的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节
。
本专利技术也可以不使用这些细节实施
。
此外，为了避免混乱或模糊本专利技术的重点，有些具体细节将在描述中被省略
。
[0035]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通
。
对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义
。
[0036]另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位
。
此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本专利技术的限制
。
[0037]能理解的是，虽然在此可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种部件
、
通道
、
组件
、
区域
、
层和
/
或部分，这些部件
、
通道
、
组件
、
区域
、
层和
/
或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的部件
、
通道
、
组件
、
区域
、
层和
/
或部分
。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种反应腔体，其特征在于，该反应腔体包括：传片口；可移动块体，设置在该传片口下方并具有内侧壁和外侧壁；气缸推动组件，安装在该可移动块体下方；以及导轨组件，设置在该可移动块体的两侧；其中，当进行工艺制程时，该气缸推动组件带动该可移动块体上升，使该可移动块体组件沿着该导轨组件上升直至该传片口空间被封堵
。2.
如权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，该可移动块体的外侧壁与反应腔体的侧壁对齐，使得当该可移动块体上移直至该反应腔体的外壁封闭后其外侧壁与反应腔体的侧壁齐平
。3.
如权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，该可移动块体的内侧壁呈弧形
。4.
如权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，该可移动块体的内侧壁与该反应腔体内的晶圆支撑盘的外周贴合
。5.
如权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，当该可移动块体被该气缸推动组件带动上移直至该传片口空间被封堵后，该反应腔体的内部结构呈对称性
。6.
一种薄膜沉积设备，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏薇，褚鑫辉，张赛谦，王婷，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：