一种进气盘结构及半导体设备制造技术

本发明专利技术公开了一种进气盘结构及半导体设备，进气盘结构包括进气盘主体、进气单元、供气单元以及匀气单元。进气单元包括至少两个相互独立的进气通道，供气单元包括至少两圈独立的供气通道，匀气单元至少具有两组，且进气通道、供气通道以及匀气单元一一对应；其中，匀气单元包括沿圆周方向分布的多个孔道，各孔道的孔径沿第一方向逐渐增大，第一方向为从靠近对应进气通道入口向远离对应进气通道入口的方向。本发明专利技术通过进气单元设置至少两个独立的进气通道，并分别唯一连通供气单元中至少两圈独立的供气通道，使得晶圆不同的圆周区域的气体种类和流量能够被独立控制和调整，解决了背景技术中单一通道无法独立调控次外圈气体分布的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种进气盘结构及半导体设备。

技术介绍

1、在半导体薄膜沉积设备中，薄膜均匀性直接影响器件性能及工艺稳定性。现有进气盘装置仅在侧面设置单一进气通道，该通道仅能调控晶圆最外圈区域的气体分布，无法独立调节次外圈区域的气体分布，导致晶圆边缘至次边缘区域的工艺调控自由度受限。同时，由于缺乏匀气结构，气体从进气口直接进入腔体时产生周向分布不均，靠近进气口处气体浓度过高而远离区域浓度不足，造成薄膜沉积的圆周方向均匀性下降。尤其对于需单次沉积多层薄膜的先进工艺，现有装置无法通过独立控制外圈与次外圈气体参数实现局部薄膜性能的精确调整，成为提升沉积均匀性的技术瓶颈。

技术实现思路

1、本专利技术的实施例提供了一种进气盘结构及半导体设备，解决传统进气盘结构存在的气体从进气口直接进入腔体时产生周向分布不均的技术问题。

2、为了解决上述问题，根据本申请的一个方面，本专利技术的实施例提供了一种进气盘结构，所述进气盘结构包括进气盘主体、进气单元、供气单元以及匀气单元，所述进气单元设置于所述进气盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种进气盘结构，其特征在于，所述进气盘结构包括进气盘主体、进气单元、供气单元以及匀气单元，所述进气单元设置于所述进气盘主体的侧面，所述供气单元布设于所述进气盘主体内，且与所述进气单元连通，所述匀气单元设置在所述供气单元内；

2.根据权利要求1所述的进气盘结构，其特征在于，所述匀气单元包括一级匀气部和二级匀气部，所述一级匀气部包括孔径渐变的多个所述孔道，所述二级匀气部包括两个分支通道，每个所述孔道的输出端分流至两个所述分支通道；且气体流经所述孔道至所述分支通道时流阻逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的进气盘结构，其特征在于，所述分支通道的孔径大于对应的所述孔道的...

【技术特征摘要】

1.一种进气盘结构，其特征在于，所述进气盘结构包括进气盘主体、进气单元、供气单元以及匀气单元，所述进气单元设置于所述进气盘主体的侧面，所述供气单元布设于所述进气盘主体内，且与所述进气单元连通，所述匀气单元设置在所述供气单元内；

2.根据权利要求1所述的进气盘结构，其特征在于，所述匀气单元包括一级匀气部和二级匀气部，所述一级匀气部包括孔径渐变的多个所述孔道，所述二级匀气部包括两个分支通道，每个所述孔道的输出端分流至两个所述分支通道；且气体流经所述孔道至所述分支通道时流阻逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的进气盘结构，其特征在于，所述分支通道的孔径大于对应的所述孔道的孔径。

4.根据权利要求2所述的进气盘结构，其特征在于，所述分支通道的气体喷射方向与所述进气盘主体的水平面呈30°-45°夹角。

5.根据权利要求1所述的进气盘结构，其特征在于，所述进气单元包括第一进气通道和第二进气通道，所述供气单元包括外圈供气通道和次外圈供气通道；所述第一进气通道连通所述外圈供气通道，所述第二进...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡祥明，孙少东，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：