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本发明公开了一种进气盘结构及半导体设备,进气盘结构包括进气盘主体、进气单元、供气单元以及匀气单元。进气单元包括至少两个相互独立的进气通道,供气单元包括至少两圈独立的供气通道,匀气单元至少具有两组,且进气通道、供气通道以及匀气单元一一对应;其...该专利属于拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种进气盘结构及半导体设备,进气盘结构包括进气盘主体、进气单元、供气单元以及匀气单元。进气单元包括至少两个相互独立的进气通道,供气单元包括至少两圈独立的供气通道,匀气单元至少具有两组,且进气通道、供气通道以及匀气单元一一对应;其...