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用于基板处理装置的温度控制组件及其使用方法制造方法及图纸

技术编号:39721520 阅读:4 留言:0更新日期:2023-12-17 23:27
本公开的示例性实施例提供了改进的反应器系统

【技术实现步骤摘要】
用于基板处理装置的温度控制组件及其使用方法
[0001]本申请是
2020
年6月
29
日提交的中国专利技术专利申请第
202010606546.7

(
申请人:
ASM IP
私人控股有限公司,专利技术名称:用于基板处理装置的温度控制组件及其使用方法
)
的分案申请



[0002]本公开总体上涉及气相装置

组件

系统和方法

更具体地,本公开涉及包括气体供应单元的装置

组件和系统,及其使用方法


技术介绍

[0003]气相反应器,如化学气相沉积
(CVD)、
等离子体增强
CVD(PECVD)、
原子层沉积
(ALD)
等,可以用于各种应用,包括在基板表面上清洁

沉积以及蚀刻材料

例如,气相反应器可以用于在基板上清洁

沉积和
/
或蚀刻各层以形成半导体装置

平板显示装置

光伏装置

微电子机械系统
(MEMS)


[0004]典型的气相反应器系统包括反应器,所述反应器包括反应室,流体联接到反应室的一个或多个前体和
/
或反应气体源,流体联接到反应室的一个或多个载气和
/<br/>或吹扫气体源,在反应室内分配气体的气体供应单元,以及流体联接到反应室的排气源

[0005]图
1(a)
示出了包括气体供应单元
102
的反应器
100
的沿着图
1(b)
中的方向“A”截取的横截面图


1(b)
示出了气体供应单元
102
的俯视图

反应器
100
还包括
RF

104、
气帘
(GC)106、
基板支撑件
108、
排气管
110、
顶盖
112、
流量控制环
114、
流量控制环支座
116、
加热器
118、
气体入口
120、
反应空间
122、
排气路径
124、
气流通道
126、
绝缘体
128、
防护盖单元
130
以及绝缘体
132。
[0006]在反应器
100
的操作期间,通过气体供应单元
102
的气流通道
126
的气体入口
120
将气体供应到安装在基板支撑件
108
上的基板
(
未显示
)。
气体供应单元
102
可以是喷头装置,如图所示

气帘
106
安装在气体供应单元
102
上,并且气流通道
126
形成在气帘
106
和气体供应单元
102
之间

气流通道
126
提供空间以将气体均匀地散布到气体供应单元
102。
气体经由气体入口
120、
气帘
114
和气体供应单元
102
流入反应空间
122
中,并且经由形成在排气管
110
和流量控制环
114
之间的间隙而排放到排气路径
124。
取决于排气口
(
未示出
)
的位置,气体可以向上和
/
或向下排放

[0007]气帘
106
和气体供应单元
102
通常由诸如金属的导电材料制成,并且气帘
106
直接安装在气体供应单元
102


绝缘体
128
设置在气体供应单元
102
和防护盖单元
130
之间

另一绝缘体
132
布置在气体入口
120
和气帘
106
之间

绝缘体
128

132
由非导电材料
(
例如陶瓷,如
Al2O3)
制成,并且防止或减轻
RF
功率从气体供应单元
102
泄漏到防护盖单元
130
和气体入口
120。
防护盖单元
130
放置在反应器
100
的顶部处以覆盖气体供应单元
102
和气帘
106
的凹陷顶部分

防护盖单元
130
可以被提供用于等离子工艺期间的工人的安全

防护盖单元
130
可以选择性地附接到反应器
100
和从反应器
100
分离

防护盖单元
130
可以包括含金属的材料

例如,防护盖单元
130
可以包括铝
(Al)。
防护盖单元
130
可以防止
RF
功率扩散到大气环


[0008]基板支撑件
108
可以是其中包括加热元件的加热块

来自基板支撑件
108
的热可以辐射到气体供应单元
102
和气帘
106
,原因是气体供应单元
102
由金属形成,气帘
106
由金属形成,并且气帘
106
与气体供应单元
102
直接接触

[0009]如图
1(b)
中所示,气体供应单元
102
可以包括一个或多个
RF

104

/
或加热器
118。RF

104
将来自
RF
发生器
(
未示出
)

RF
功率输送到气体供应单元
102。
可以是金属的气体供应单元
102
可以用作等离子工艺的电极

加热器
118
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种控制气相反应器的组件的温度的方法,所述方法包括以下步骤:提供组件,所述组件包括:气体供应单元;安装在气体供应单元上的气帘,其中所述气帘包括凹陷部分和布置在凹陷部分上的多个销;覆盖所述气体供应单元的绝缘体;覆盖所述绝缘体的防护盖;以及连接到所述防护盖的一部分的排气单元;以及使流体在所述气帘的表面上移动
。2.
根据权利要求1所述的方法,其还包括测量所述气体供应单元的温度的步骤
。3.
根据权利要求1所述的方法,其还包括使用控制器来控制供应到所述排气单元的功率的步骤
。4.
根据权利要求1所述的方法,其中所述排气单元包括变速风扇
。5.
根据权利要求2所述的方法,还包括使用控制器来控制供应到所述排气单元的功率的步骤
。6.
根据权利要求1所述的方法,还包括导致所述流体通过所述排气单元排放的步骤
。7.
根据权利要求1所述的方法,其中,其中所述多个销中的至少一个为柱形或筒形
。8.
根据权利要求1所述的方法,其中,其中所述多个销中的至少一个包括中空空间
。9.
根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个销中每一个的高度不延伸超过所述气体供应单元的顶表面
。10.
根据权利要求1所述的方法,其中,其中所述多个销之间的间隔在从所述凹陷部分的中心到所述凹陷部分的周边的方向上大致恒定
。11.
根据权利要求1所述的方法,其中,所述气帘靠近所述排气单元的表面不包括销
...

【专利技术属性】
技术研发人员:田星训郑熙喆全然孮
申请(专利权)人:ASMIP
类型:发明
国别省市:

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