【技术实现步骤摘要】
用于基板处理装置的温度控制组件及其使用方法
[0001]本申请是
2020
年6月
29
日提交的中国专利技术专利申请第
202010606546.7
号
(
申请人:
ASM IP
私人控股有限公司,专利技术名称:用于基板处理装置的温度控制组件及其使用方法
)
的分案申请
。
[0002]本公开总体上涉及气相装置
、
组件
、
系统和方法
。
更具体地,本公开涉及包括气体供应单元的装置
、
组件和系统,及其使用方法
。
技术介绍
[0003]气相反应器,如化学气相沉积
(CVD)、
等离子体增强
CVD(PECVD)、
原子层沉积
(ALD)
等,可以用于各种应用,包括在基板表面上清洁
、
沉积以及蚀刻材料
。
例如,气相反应器可以用于在基板上清洁
、
沉积和
/
或蚀刻各层以形成半导体装置
、
平板显示装置
、
光伏装置
、
微电子机械系统
(MEMS)
等
。
[0004]典型的气相反应器系统包括反应器,所述反应器包括反应室,流体联接到反应室的一个或多个前体和
/
或反应气体源,流体联接到反应室的一个或多个载气和
/<
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种控制气相反应器的组件的温度的方法,所述方法包括以下步骤:提供组件,所述组件包括:气体供应单元;安装在气体供应单元上的气帘,其中所述气帘包括凹陷部分和布置在凹陷部分上的多个销;覆盖所述气体供应单元的绝缘体;覆盖所述绝缘体的防护盖;以及连接到所述防护盖的一部分的排气单元;以及使流体在所述气帘的表面上移动
。2.
根据权利要求1所述的方法,其还包括测量所述气体供应单元的温度的步骤
。3.
根据权利要求1所述的方法,其还包括使用控制器来控制供应到所述排气单元的功率的步骤
。4.
根据权利要求1所述的方法,其中所述排气单元包括变速风扇
。5.
根据权利要求2所述的方法,还包括使用控制器来控制供应到所述排气单元的功率的步骤
。6.
根据权利要求1所述的方法,还包括导致所述流体通过所述排气单元排放的步骤
。7.
根据权利要求1所述的方法,其中,其中所述多个销中的至少一个为柱形或筒形
。8.
根据权利要求1所述的方法,其中,其中所述多个销中的至少一个包括中空空间
。9.
根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个销中每一个的高度不延伸超过所述气体供应单元的顶表面
。10.
根据权利要求1所述的方法,其中,其中所述多个销之间的间隔在从所述凹陷部分的中心到所述凹陷部分的周边的方向上大致恒定
。11.
根据权利要求1所述的方法,其中,所述气帘靠近所述排气单元的表面不包括销
...
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