一种半导体工艺设备及其进气调节装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体工艺设备及其进气调节装置

【技术实现步骤摘要】
一种半导体工艺设备及其进气调节装置


[0001]本技术涉及半导体设备
，具体涉及了一种半导体工艺设备的进气调节装置和一种半导体工艺设备
。

技术介绍

[0002]在现有技术中，半导体工艺设备，例如薄膜沉积设备，是半导体制造中的关键工艺设备
。
通过薄膜沉积设备进行薄膜沉积工艺可以生成可用于产生导电层或绝缘层
、
产生减反射膜提高吸光率
、
临时阻挡刻蚀等作用的薄膜
。
在薄膜制备方法中，薄膜沉积设备中的喷淋板的设置，对于需要有多种气体混合的工艺过程，通常需要将多种气体先进行混合，再将混合后的气体通过喷淋板喷淋至晶圆表面
。
[0003]然而，而在上述喷淋板装置中存在的问题是，如果想对喷淋的气体种类
、
浓度
、
气体流场
、
以及温度进行调节，目前只能对相应的硬件进行更换或者升级，例如，喷淋板
、
喷淋板加热器等，这种替换式或升级式的调节方式在一定程度上增大了成本开支，且在不使用该硬件功能时，则只能闲置，造成了成本浪费和经济损失
。
[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种改进的半导体工艺设备的进气调节装置，能够针对半导体工艺设备中的反应腔室内部进行局部区域的气体种类
、
浓度
、
气体流场，以及温度进行调节，而无需对相应硬件进行更换或者升级，减少了成本浪费和经济损失
。
技术内容
[0005]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解
。
此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围
。
其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序
。
[0006]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本技术提供了一种半导体工艺设备的进气调节装置和一种半导体工艺设备，能够针对半导体工艺设备中的反应腔室内部进行局部区域的气体种类
、
浓度
、
气体流场，以及温度进行调节，而无需对相应硬件进行更换或者升级，减少了成本浪费和经济损失
。
[0007]具体来说，根据本技术的第一方面提供的上述半导体工艺设备的进气调节装置，包括：进气盖板，设置于反应腔室上方，覆盖所述反应腔室，所述进气盖板从中心向外周同心地分布若干个圆环状的进气室，各所述进气室周围配有对应的进气加热环，以进行分室局部加热；功率控制器，分别连接各所述进气加热环，以调整各所述进气加热环的加热功率；以及气体供应箱，分别连接各所述进气室，以分别提供各所述进气室所需的工艺气体
。
[0008]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述进气室包括第一进气室
、
第二进气室，以及第三进气室，以所述第一进气室为圆心，所述第二进气室设置于所述第一进气室的外圈，所述第三进气室设置于所述第二进气室的外圈，并且，所述第一进气室对应的第一进
气加热环设置于所述第一进气室和所述第二进气室的圆环之间，所述第二进气室对应的第二进气加热环设置于所述第二进气室和所述第三进气室的圆环之间，所述第三进气室对应的第三进气加热环设置于所述第三进气室的外圈
。
[0009]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述气体供应箱内包括多种工艺气体的储存区，以提供多种各所述进气室所需的工艺气体
。
[0010]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述若干个圆环状的进气室的上表面均设有进气孔，以分别通过各自的连接管路连接所述气体供应箱，并且各所述连接管路中设有阀门，以控制通入的所述工艺气体的种类和
/
或浓度和
/
或气体流场
。
[0011]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述进气调节装置还包括顶盖挡板，设置于所述进气盖板的下方，所述顶盖挡板的外边沿上下凸起，以与所述进气盖板和所述反应腔室接触，所述顶盖挡板的中部面板的上表面向下凹陷，以与所述进气盖板构成混气室
。
[0012]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述顶盖挡板的中部面板的下表面设有导气孔，以将所述工艺气体导入所述反应腔室内
。
[0013]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述顶盖挡板的下方还包括喷淋板，其上分布多个喷淋头，用以将所述工艺气体均匀喷淋到所述反应腔室内
。
[0014]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述顶盖挡板的外侧还设有喷淋板加热环，用以加热所述混气室中的所述工艺气体
。
[0015]此外，根据本技术的第二方面提供的上述半导体工艺设备，包括：反应腔室，用于进行半导体加工工艺；本技术上述第一方面提供的半导体工艺设备的进气调节装置，设置于所述反应腔室上方，以调节进入所述反应腔室的工艺气体
。
[0016]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述反应腔内还包括抽气环，用于在完成所述半导体加工工艺之后，抽取所述反应腔室内的剩余工艺气体并排出
。
附图说明
[0017]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本技术的上述特征和优点
。
在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记
。
[0018]图1示出了根据本技术的一些实施例所提供的一种半导体工艺设备的进气调节装置的结构示意图；
[0019]图2示出了根据本技术的一些实施例所提供的进气调节装置的俯视图；以及
[0020]图3示出了根据本技术的一些实施例所提供的进气调节装置的气体流向示意图
。
[0021]附图标记：
[0022]100
半导体工艺设备；
[0023]110
反应腔室；
[0024]120
进气调节装置；
[0025]121
进气盖板；
[0026]122
进气室；
[0027]1221
第一进气室；
[0028]1222
第二进气室；
[0029]1223
第三进气室；
[0030]123
进气加热环；
[0031]1231
第一进气加热环；
[0032]1232
第二进气加热环；
[0033]1233
第三进气加热环；
[0034]124
功率控制器；
[0035]125
气体供应箱；
[0036]1251
阀门；
[0037]126
进气孔；
[0038]130
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体工艺设备的进气调节装置，其特征在于，包括：进气盖板，设置于反应腔室上方，覆盖所述反应腔室，所述进气盖板从中心向外周同心地分布若干个圆环状的进气室，各所述进气室周围配有对应的进气加热环，以进行分室局部加热；功率控制器，分别连接各所述进气加热环，以调整各所述进气加热环的加热功率；以及气体供应箱，分别连接各所述进气室，以分别提供各所述进气室所需的工艺气体
。2.
如权利要求1所述的进气调节装置，其特征在于，所述进气室包括第一进气室
、
第二进气室，以及第三进气室，以所述第一进气室为圆心，所述第二进气室设置于所述第一进气室的外圈，所述第三进气室设置于所述第二进气室的外圈，并且，所述第一进气室对应的第一进气加热环设置于所述第一进气室和所述第二进气室的圆环之间，所述第二进气室对应的第二进气加热环设置于所述第二进气室和所述第三进气室的圆环之间，所述第三进气室对应的第三进气加热环设置于所述第三进气室的外圈
。3.
如权利要求1所述的进气调节装置，其特征在于，所述气体供应箱内包括多种工艺气体的储存区，以提供多种各所述进气室所需的工艺气体
。4.
如权利要求3所述的进气调节装置，其特征在于，所述若干个圆环状的进气室的上表面均设有进气孔，以分别通过各自的连接管路连接所述气体供应箱，并且各所述连接管路中设有阀门，以控制通入的所述工艺气体的种...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨辰烨，
申请(专利权)人：拓荆科技，
类型：新型
国别省市：