【技术实现步骤摘要】
真空腔室加热器和半导体设备
[0001]本专利技术涉及半导体设备
,具体而言,涉及一种真空腔室加热器和半导体设备
。
技术介绍
[0002]在加工半导体材料时,需要在衬底表面形成图案化材料层作为集成电路;其中,图案化材料层的形成需要进行加热,而加热时晶圆载盘的位置精度,会对衬底上图案化材料层的精度产生直接的影响
。
[0003]但是,相关技术提供的半导体设备的真空腔室加热器难以调整晶圆载盘的位置,进而容易对衬底上的图案化材料层造成不良影响
。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种真空腔室加热器和半导体设备,该真空腔室加热器能够调整晶圆载盘的位置,以提高在衬底上形成图案化材料层时的精度
。
[0005]本专利技术的实施例是这样实现的:
[0006]第一方面,本专利技术提供一种真空腔室加热器,用于半导体设备,真空腔室加热器包括:
[0007]基座;
[0008]晶圆载盘,晶圆载盘装配于基座;以及,
[0009] ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种真空腔室加热器,用于半导体设备,其特征在于,所述真空腔室加热器包括:基座
(100)
;晶圆载盘
(200)
,所述晶圆载盘
(200)
装配于所述基座
(100)
;以及,调节装置
(300)
,所述调节装置
(300)
设置于所述基座
(100)
,且与所述晶圆载盘
(200)
传动配合;其中,所述调节装置
(300)
包括第一调节机构
(310)、
第二调节机构
(320)、
第三调节机构
(330)
和第四调节机构
(340)
四者中的至少一者;所述第一调节机构
(310)
被配置为能沿第一方向调节所述晶圆载盘
(200)
的位置,所述第二调节机构
(320)
被配置为能沿第二方向调节所述晶圆载盘
(200)
的位置,所述第一方向和所述第二方向在设定平面呈夹角分布;所述第三调节机构
(330)
被配置为能使所述晶圆载盘
(200)
沿设定轴线转动,所述设定轴线与所述设定平面呈夹角分布;所述第四调节机构
(340)
被配置为能调节所述晶圆载盘
(200)
相对于所述设定平面的水平度
。2.
根据权利要求1所述的真空腔室加热器,其特征在于,所述基座
(100)
包括支撑梁
(110)
和第一支撑平台
(120)
,所述第一支撑平台
(120)
与所述支撑梁
(110)
固定连接;所述晶圆载盘
(200)
装配于所述支撑梁
(110)
;所述第四调节机构
(340)
设置于所述第一支撑平台
(120)
,且所述第四调节机构
(340)
被配置为能调节所述第一支撑平台
(120)
相对于所述设定平面的水平度,以带动所述支撑梁
(110)
同步调节所述晶圆载盘
(200)
相对于所述设定平面的水平度
。3.
根据权利要求2所述的真空腔室加热器,其特征在于,所述第四调节机构
(340)
包括基准件
(341)
和第四螺纹组件
(342)
,所述基准件
(341)
固定设置于所述第一支撑平台
(120)
,且支撑所述晶圆载盘
(200)
;所述第四螺纹组件
(342)
可活动地设置于所述第一支撑平台
(120)
,且被配置为能调节所述第一支撑平台
(120)
相对于所述设定平面的水平度,以带动所述支撑梁
(110)
同步调节所述晶圆载盘
(200)
相对于所述设定平面的水平度;和
/
或,所述基准件
(341)
的轴线与所述设定轴线平行分布
。4.
根据权利要求2所述的真空腔室加热器,其特征在于,所述第四调节机构
(340)
包括第四螺纹组件
(342)
,所述第四螺纹组件
(342)
包括第四螺纹件
(343)
,所述第四螺纹件
(343)
与所述第一支撑平台
(120)
连接,当所述第四螺纹件
(343)
绕自身的转动轴线转动时,能调节所述第一支撑平台
(120)
相对于所述设定平面的水平度,以带动所述支撑梁
(110)
同步调节所述晶圆载盘
(200)
相对于所述设定平面的水平度
。5.
根据权利要求4所述的真空腔室加热器,其特征在于,所述第四螺纹组件
(342)
包括至少两个所述第四螺纹件
(343)
,至少两个所述第四螺纹件
(343)
均连接于所述第一支撑平台
(120)
,且绕所述设定轴线间隔地分布于所述第一支撑平台
(120)。6.
根据权利要求5所述的真空腔室加热器,其特征在于,所述晶圆载盘
(200)
包括载盘本体
(210)
和连接于所述载盘本体
(210)
的支撑件,所述支撑件装配于所述支撑梁
(110)
;所述第一支撑平台
(120)
具有避让口
(121)
,所述支撑件位于所述避让口
(121)
内;至少两个所述第四螺纹件
(343)
均分布于所述支撑件的外周侧
。7.
根据权利要求4所述的真空腔室加热器,其特征在于,所述第四螺纹组件
(342)
还包括锁定件<...
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