一种晶圆承载装置及气相沉积设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种晶圆承载装置及气相沉积设备，所述晶圆承载装置包括：一个或多个托盘，所述托盘具有晶圆安置面和与所述晶圆安置面相对的背面，所述晶圆安置面包括多个曲面，多个所述曲面由不同的曲率半径确定

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆承载装置及气相沉积设备


[0001]本技术涉及半导体制备
，尤其涉及一种晶圆承载装置及气相沉积设备
。

技术介绍

[0002]气相沉积
(CVD)
是一种在晶圆表面生长薄膜，以形成半导体器件的工艺；其工艺流程为：在气相沉积设备的反应腔内将晶圆加热到一定温度，然后向反应腔通入工艺气体，使得工艺气体在晶圆表面产生化学反应，从而实现薄膜材料的沉积
。
[0003]对于半导体发光器件
(
例如
LED)
而言，在晶圆表面生长与
GaN/InGaN
材料相关的器件结构时，
GaN/InGaN
量子阱的发光波长将影响发光器件的发光均匀性；其中
GaN/InGaN
量子阱的发光波长分布很大程度上取决于其生长时晶圆表面温场的分布，而晶圆表面温场分布又与承载晶圆的托盘的形状和尺寸密切相关
。
因此，为保证发光器件的制备良率，需要对托盘的结构进行专门设计
。

技术实现思路

[0004]本技术的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：一个或多个托盘，所述托盘具有晶圆安置面和与所述晶圆安置面相对的背面，所述晶圆安置面包括多个曲面，多个所述曲面由不同的曲率半径确定
。2.
如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述曲面为凹曲面或凸曲面
。3.
如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所有所述曲面皆为凹曲面
。4.
如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括：凸台，设置于所述晶圆安置面上，用于支撑所述晶圆
。5.
如权利要求4所述的晶圆承载装置，其特征在于，所有所述曲面皆为凸曲面
。6.
如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述曲面的曲率中心位于经过所述托盘的中心的垂线上
。7.
如权利要求6所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述曲面的曲率半径由所述曲面的曲率中心
、
内侧高度和外侧高度确定，其中所述曲面的内侧高度和外侧高...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡建正，柴若皓，郭世平，姜勇，张昭，汪国元，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：