发光元件、发光器件和电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种发光元件、发光器件和电子设备，其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如２－叔丁基－９，１０－双（２－萘基）蒽、蒽、９，１０－二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、２，５，８，１１－四（叔丁基）二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件，其具有在电极之间包含发光物质的层，本专利技术还涉及 具有该发光元件的发光器件以及电子设备。
技术介绍
近年来作为显示装置的像素或照明装置的光源吸引注意力的发光元件，具有在电 极之间的发光层，而且包含在该发光层中的发光物质在电极之间有电流流过时发光。在这种发光元件的研发领域，重要的目的之一是要延长发光元件的使用寿命。这 是因为为发光器件提供的发光元件需要令人满意地长时间运行，以便在令人满意的条件下 长时间使用发光器件如照明装置或显示装置。作为实现发光元件的寿命延长的技术之一，例如在专利文献1 (专利文献1 日本 专利公开文本H9-63771)中提到了一种涉及使用氧化钼等等作为阳极的发光元件的技术。可以想到专利文献1中提到的技术也是有效的；但是，氧化钼很容易结晶，因此在 专利文献1提到的技术中，很容易出现发光元件由于结晶而产生运行故障的问题。此外，氧 化钼具有较低的电导率；因此如果由氧化钼制成的层太厚则电流不容易流过。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是要提供一种发光元件，该发光元件可以减少由于在电极之间 的层中包含的化合物结晶而导致的运行故障。本专利技术的一个方面是一种发光元件，其具有在一对电极之间包括芳族烃和金属氧 化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有lX10-6cm7Vs或更大的空穴迁 移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、蒽、 9，10_ 二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金 属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化 物，例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。本专利技术的一个方面是一种发光元件，其在第一电极和第二电极之间具有发光层， 以及在该发光层和第一电极之间包括芳族烃和金属氧化物的层。当对每个电极施加电压， 使得第一电极的电位高于第二电极的电位时，包含在发光层中的发光物质就发射光。对芳 族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有lX10_6Cm2/VS或更大的空穴迁移率的芳族烃是 优选的。作为这样的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并 四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出 对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。本专利技术的一个方面是一种发光元件，其在第一电极和第二电极之间具有发光层、 第一混合层和第二混合层，其中当对每个电极施加电压，使得第一电极的电位高于第二电 极的电位时，包含在发光层中的发光物质就发射光。在这种发光元件中，发光层比第一混 合层更靠近第一电极，而且第二混合层比第一混合层更靠近第二电极。第一混合层是包括 电子传输物质和从碱性金属、碱土金属、碱性金属氧化物、碱土金属氧化物、碱性金属氟化 物以及碱土金属氟化物中选择的一种物质的层。在此，作为碱性金属例如给出锂(Li)、钠 (Na)、钾(K)等。作为碱土金属，例如给出镁(Mg)、钙(Ca)等。作为碱性金属氧化物，例 如给出氧化锂(Li20)、氧化钠(Na20)、氧化钾(K20)等。作为碱土金属氧化物，给出氧化镁 (MgO)、氧化钙(CaO)等。作为碱性金属氟化物，给出氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)等。作为 碱土金属氟化物，给出氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)等。第二混合层是包括芳族烃和金属氧 化物的层。在此，对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有lX10-6cm7Vs或更大的空 穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、 蒽、9，10_ 二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为 金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧 化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。本专利技术的一个方面是一种发光元件，其在第一电极和第二电极之间具有11(11是2 或更大的任意自然数)个发光层，以及在第m (m是任意自然数，2彡m+1彡n)个发光层和第 (m+1)个发光层之间具有第一混合层和第二混合层，其中当对每个电极施加电压，使得第一 电极的电位高于第二电极的电位时，包含在发光层中的发光物质就发射光。在此，第一混合 层比第二混合层更靠近第一电极。第一混合层是包括电子传输物质和从碱性金属、碱土金 属、碱性金属氧化物、碱土金属氧化物、碱性金属氟化物以及碱土金属氟化物中选择的一种 物质的层。在此，作为碱性金属例如给出锂(Li)、钠(Na)、钾(K)等。作为碱土金属，例如给 出镁(Mg)、钙(Ca)等。作为碱性金属氧化物，例如给出氧化锂(Li20)、氧化钠(Na20)、氧化 钾(K20)等。作为碱土金属氧化物，给出氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)等。作为碱性金属氟 化物，给出氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)等。作为碱土金属氟化物，给出氟化镁(MgF2)、氟化 钙(CaF2)等。第二混合层是包括芳族烃和金属氧化物的层。在此，对芳族烃的种类没有什 么特殊限制；但是，具有lX10-6cm7Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样 的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、蒽、9，10_ 二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘 嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接 受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、 氧化铼等等。本专利技术的一个方面是使用上述任意一种发光元件作为像素或光源的发光器件。本专利技术的一个方面是一种电子设备，其中采用上述任意一种发光元件作为像素的 发光器件用于显示部分。本专利技术的一个方面是一种电子设备，其中采用上述任意一种发光元件作为光源的 发光器件用于照明部分。根据本专利技术的一个方面，提供了一种发光器件以及包括该发光器件的电子设备， 该发光器件包括第一电极；第二电极；形成在第一电极和第二电极之间的发光层；以及形成在第二电极和发光层之间的第一混合层和第二混合层，其中第二混合层与第二电极接 触，其中第一混合层包括电子传输物质和双极物质中的至少一种，以及碱性金属、碱土金 属、碱性金属氧化物、碱土金属氧化物、碱性金属氟化物以及碱土金属氟化物中的至少一 种，其中第二混合层包括芳族烃和金属氧化物。根据本专利技术的一个方面，提供了一种发光器件以及包括该发光器件的电子设备， 该发光器件包括第一电极；第二电极；形成在第一电极和第二电极之间的n个发光层，其 中n是2或更大的任意自然数；以及形成在第m个发光层和第m+1个发光层之间的第一混 合层和第二混合层，其中m是任意自然数，l^m^n-1，其中第一混合层被设置为比第二混 合层更靠近第一电极，其中第一混合层包括电子传输物质和双极物质中的至少一种，以及 碱性金属、碱土金属、碱性金属氧化物、碱土金属氧化物、碱性金属氟化物以及碱土金属氟 化物中的至少一种，其中第二混合层包括芳族烃和金属氧化物。通过本专利技术的实施，可以获得可以减少由于包含在设置于一对电极之间的层内的 化合物结晶而导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：第一电极；第二电极；形成在第一电极和第二电极之间的发光层；以及形成在第二电极和发光层之间的第一混合层和第二混合层，其中第二混合层与第二电极接触，其中第一混合层包括电子传输物质和双极物质中的至少一种，以及碱性金属、碱土金属、碱性金属氧化物、碱土金属氧化物、碱性金属氟化物以及碱土金属氟化物中的至少一种，并且其中第二混合层包括芳族烃和金属氧化物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：岩城裕司，濑尾哲史，川上贵洋，池田寿雄，坂田淳一郎，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]