半导体装置、存储装置制造方法及图纸

技术编号:41141207 阅读:28 留言:0更新日期:2024-04-30 18:11
提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物、金属氧化物上的第二导电体、第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体以及第二绝缘体上的第三导电体。第一导电体具有与金属氧化物重叠的区域。金属氧化物具有第一开口。第二导电体具有第二开口。第一开口与第二开口重叠。第一绝缘体配置在第一开口及第二开口的内侧。第二绝缘体配置在第一绝缘体的凹部中。第三导电体配置在第二绝缘体的凹部中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置、存储装置及电子设备。此外,本专利技术的一个方式涉及一种晶体管的制造方法及半导体装置的制造方法。另外,本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。注意,在本说明书等中,半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等半导体元件之外,半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置及发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置及电子设备等有时包括半导体装置。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外,本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。


技术介绍

1、由一个电容器和一个晶体管(也称为单元晶体管)构成的dram(dynamic randomaccess memory,动态随机存取存储器)作为典型的存储装置被广泛应用。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,

7.一种存储装置,包括:

8.一种半导体装置,包括:

9.根据权利要求8所述的半导体装置,在所述第二绝缘体及所述第三绝缘体与所述第五导电体之间还包括第四绝缘体,

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置,

11.根据权利...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,

7.一种存储装置,包括:

8.一种半导体装置,包括:

9.根据权利要求8所述的半导体装置,在所述第二绝缘体及所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:宫入秀和中岛基
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:

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