存储器制造技术

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种存储器

【技术实现步骤摘要】
存储器、半导体结构及其形成方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种存储器
、
半导体结构及其形成方法
。

技术介绍

[0002]动态随机存储器
(Dynamic Random Access Memory
，
DRAM)
因具有体积小
、
集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机
、
平板电脑等移动设备中
。
电容器作为动态随机存储器的核心部件，主要用于存储电荷
。
然而，现有电容器存储容量较小，且受制备工艺限制，器件良率较低
。
[0003]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息
。

技术实现思路

[0004]本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种存储器
、
半导体结构及其形成方法，可提高电容存储容量，提高产品良率
。
[0005]根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：
[0006]提供衬底，所述衬底包括多个呈阵列分布的导电接触塞以及分隔各所述导电接触塞的绝缘层；
[0007]在所述衬底的表面形成多层沿垂直于所述衬底的方向堆叠分布的电容层，每层所述电容层均包括多个间隔分布的电容，各所述电容分别与不同的所述导电接触塞连接
。
[0008]在本公开的一种示例性实施例中，所述在所述衬底的表面形成多层沿垂直于所述衬底的方向堆叠分布的电容层，每层所述电容层均包括多个间隔分布的电容，各所述电容分别与不同的所述导电接触塞连接，包括：
[0009]在所述衬底的表面形成第一电容层，所述第一电容层包括多个第一电容，各所述第一电容分别与不同的所述导电接触塞连接；
[0010]在所述第一电容层背离所述衬底的一侧形成第二电容层，所述第二电容层包括多个第二电容，各所述第二电容分别与不同的所述导电接触塞连接，且与所述第二电容连接的所述导电接触塞和与所述第一电容连接的所述导电接触塞为不同的所述导电接触塞
。
[0011]在本公开的一种示例性实施例中，所述在所述衬底表面形成第一电容层，所述第一电容层包括多个第一电容，各所述第一电容分别与不同的所述导电接触塞连接，包括：
[0012]在所述衬底表面形成第一堆叠膜层；
[0013]在所述第一堆叠膜层内形成多个间隔分布的第一电容孔，每个所述第一电容孔露出至少一个所述导电接触塞；
[0014]在所述第一电容孔内形成第一电容
。
[0015]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一堆叠膜层包括第一支撑层和第一牺牲层，所述第一牺牲层形成于所述第一支撑层背离所述衬底的一侧，所述在所述第一电容孔
内形成第一电容，包括：
[0016]在所述第一电容孔的侧壁及底部形成第一电容的下电极层；
[0017]去除所述第一牺牲层；
[0018]在所述第一电容的下电极层的表面形成所述第一电容的介质层；
[0019]在所述第一电容的介质层的表面形成所述第一电容的上电极层
。
[0020]在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：
[0021]形成覆盖所述第一电容层的第一半导体层，所述第一半导体层填满所述第一电容内的空隙及各所述第一电容之间的间隙
。
[0022]在本公开的一种示例性实施例中，所述在所述第一电容层背离所述衬底的一侧形成第二电容层，所述第二电容层包括多个第二电容，各所述第二电容分别与不同的所述导电接触塞连接，且与所述第二电容连接的所述导电接触塞和与所述第一电容连接的所述导电接触塞为不同的所述导电接触塞，包括：
[0023]形成贯穿所述第一半导体层及所述第一支撑层的通孔，所述通孔在所述衬底上的正投影与所述第一电容孔在所述衬底上的正投影无交叠，且每个所述通孔均露出至少一个所述导电接触塞；
[0024]在所述通孔的侧壁形成绝缘材料层；
[0025]在所述通孔内填充导电材料，以形成导电柱，所述绝缘材料层与所述导电柱的侧壁接触连接；
[0026]在所述第一半导体层及所述导电柱背离所述衬底的一侧形成第二堆叠膜层；
[0027]在所述第二堆叠膜层内形成多个间隔分布的第二电容孔，每个所述第二电容孔露出至少一个所述导电柱；
[0028]在所述第二电容孔内形成第二电容
。
[0029]在本公开的一种示例性实施例中，所述第二堆叠膜层包括第二支撑层和第二牺牲层，所述第二牺牲层形成于所述第二支撑层背离所述衬底的一侧，所述在所述第二电容孔内形成第二电容，包括：
[0030]在所述第二电容孔的侧壁及底部形成第二电容的下电极层；
[0031]去除所述第二牺牲层；
[0032]在所述第二电容的下电极层的表面形成所述第二电容的介质层；
[0033]在所述第二电容的介质层的表面形成所述第二电容的上电极层
。
[0034]在本公开的一种示例性实施例中，所述形成方法还包括：
[0035]形成覆盖所述第二电容层的第二半导体层，所述第二半导体层填满所述第二电容内的空隙及各所述第二电容之间的间隙，且所述第二半导体层与所述第一半导体层接触连接
。
[0036]根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：
[0037]衬底，包括多个呈阵列分布的导电接触塞以及分隔各所述导电接触塞的绝缘层；
[0038]多层电容层，各所述电容层形成于所述衬底的表面，并沿垂直于所述衬底的方向堆叠分布，每层所述电容层均包括多个间隔分布的电容，各所述电容分别与不同的所述导电接触塞连接
。
[0039]在本公开的一种示例性实施例中，所述多层电容层包括：
[0040]第一电容层，位于所述衬底表面，且包括多个第一电容，各所述第一电容分别与不同的所述导电接触塞连接；
[0041]第二电容层，位于所述第一电容层背离所述衬底的一侧，所述第二电容层包括多个第二电容，各所述第二电容分别与不同的所述导电接触塞连接，且与所述第二电容连接的所述导电接触塞和与所述第一电容连接的所述导电接触塞为不同的所述导电接触塞
。
[0042]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电容层包括：
[0043]多个第一电容，各所述第一电容间隔分布，且每个所述第一电容与一所述导电接触塞连接
。
[0044]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电容层包括第一支撑层，所述第一电容包括下电极层
、
介质层和上电极层，所述第一支撑层包覆于所述下电极层靠近所述衬底一侧的外周，所述介质层形成于所述下电极层的表面；所述上电极层形成于所述介质层的表面
。
[0045]在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括多个呈阵列分布的导电接触塞以及分隔各所述导电接触塞的绝缘层；在所述衬底的表面形成多层沿垂直于所述衬底的方向堆叠分布的电容层，每层所述电容层均包括多个间隔分布的电容，各所述电容分别与不同的所述导电接触塞连接
。2.
根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述衬底的表面形成多层沿垂直于所述衬底的方向堆叠分布的电容层，每层所述电容层均包括多个间隔分布的电容，各所述电容分别与不同的所述导电接触塞连接，包括：在所述衬底的表面形成第一电容层，所述第一电容层包括多个第一电容，各所述第一电容分别与不同的所述导电接触塞连接；在所述第一电容层背离所述衬底的一侧形成第二电容层，所述第二电容层包括多个第二电容，各所述第二电容分别与不同的所述导电接触塞连接，且与所述第二电容连接的所述导电接触塞和与所述第一电容连接的所述导电接触塞为不同的所述导电接触塞
。3.
根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述在所述衬底表面形成第一电容层，所述第一电容层包括多个第一电容，各所述第一电容分别与不同的所述导电接触塞连接，包括：在所述衬底表面形成第一堆叠膜层；在所述第一堆叠膜层内形成多个间隔分布的第一电容孔，每个所述第一电容孔露出至少一个所述导电接触塞；在所述第一电容孔内形成第一电容
。4.
根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一堆叠膜层包括第一支撑层和第一牺牲层，所述第一牺牲层形成于所述第一支撑层背离所述衬底的一侧，所述在所述第一电容孔内形成第一电容，包括：在所述第一电容孔的侧壁及底部形成第一电容的下电极层；去除所述第一牺牲层；在所述第一电容的下电极层的表面形成所述第一电容的介质层；在所述第一电容的介质层的表面形成所述第一电容的上电极层
。5.
根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：形成覆盖所述第一电容层的第一半导体层，所述第一半导体层填满所述第一电容内的空隙及各所述第一电容之间的间隙
。6.
根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述在所述第一电容层背离所述衬底的一侧形成第二电容层，所述第二电容层包括多个第二电容，各所述第二电容分别与不同的所述导电接触塞连接，且与所述第二电容连接的所述导电接触塞和与所述第一电容连接的所述导电接触塞为不同的所述导电接触塞，包括：形成贯穿所述第一半导体层及所述第一支撑层的通孔，所述通孔在所述衬底上的正投影与所述第一电容孔在所述衬底上的正投影无交叠，且每个所述通孔均露出至少一个所述导电接触塞；在所述通孔的侧壁形成绝缘材料层；在所述通孔内填充导电材料，以形成导电柱，所述绝缘材料层与所述导电柱的侧壁接
触连接；在所述第一半导体层及所述导电柱背离所述衬底的一侧形成第二堆叠膜层；在所述第二堆叠膜层内形成多个间隔分布的第二电容孔，每个所述第二电容孔露出至少一个所述导电柱；在所述第二电容孔内形成第二电容
。7.
根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二堆叠膜层包括第二支撑层和第二牺牲层，所述第二牺牲层形成于所述第二支撑层背离所述衬底的一侧，所述在所述第二电容孔内形成第二电容，包括：在所述第二电容孔的侧壁及底部形成第二电容的下电极层；去除所述第二牺牲层；在所述第二电容的下电极层的表面形成所述第二电容的介质层；在所述第二电容的介质层的表面形成所述第二电容的上电极层
。8.
根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：