集成电路装置制造方法及图纸

提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的上表面基本垂直的方向延伸的电极层，其中，电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在下电极的侧壁与介电层之间以及在下电极的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌。铌。铌。

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置
[0001]本申请要求于2022年6月3日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
‑
0068514号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]本专利技术构思涉及一种集成电路装置，并且更具体地，涉及一种包括电容器结构的集成电路装置。

技术介绍

[0003]由于集成电路装置(例如，动态随机存取存储器(DRAM)装置)的缩小，包括在集成电路装置中的电容器结构的尺寸也减小。随着电容器结构的尺寸的减小，正在开发各种电容器结构以增大电容并改善泄漏特性。

技术实现思路

[0004]本专利技术构思提供包括电容器结构的集成电路装置，通过电容器结构，电容可被增大并且泄漏特性可被改善。
[0005]根据本专利技术构思的实施例，一种集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的上表面基本垂直的方向延伸的电极层，其中，电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在下电极的侧壁与介电层之间以及在下电极的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌。
[0006]根据本专利技术构思的实施例，一种集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的顶表面基本垂直的方向延伸的电极层，并且电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在电极层的侧壁与介电层之间以及在电极层的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌，并且其中，下电极还包括第一晶种层，第一晶种层至少部分地被支撑件围绕并且接触电极层的至少一部分。
[0007]根据本专利技术构思的实施例，一种集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的第一表面基本垂直的方向延伸的电极层，并且电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在电极层的侧壁与介电层之间以及在电极层的第一表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌；以及第二界面层，布置在介电层与上电极之间，其中，第二界面层包括导电金属氧化物，其中，支撑件包括第一支撑件和第二支撑件，第一支撑件和第二支撑件分别被设置在下电极的侧壁的中间部分和下电极的侧壁的上部部分上，并且其
中，下电极还包括布置在电极层上的覆盖层，其中，覆盖层的表面被布置为低于第二支撑件的表面。
附图说明
[0008]通过参照附图详细描述本专利技术构思的实施例，本专利技术构思的以上和其他方面将变得更加清楚，其中：
[0009]图1是根据本专利技术构思的实施例的集成电路装置的布局图；
[0010]图2是沿图1中示出的线A1
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A1'截取的集成电路装置的剖视图；
[0011]图3和图4分别是图2中示出的部分EL1和部分EL2的放大视图；
[0012]图5是根据本专利技术构思的实施例的集成电路装置的剖视图；
[0013]图6是图5中示出的部分EL3的放大视图；
[0014]图7是根据本专利技术构思的实施例的集成电路装置的剖视图；
[0015]图8是图7中示出的部分EL4的放大视图；
[0016]图9是根据本专利技术构思的实施例的集成电路装置的剖视图；
[0017]图10和图11分别是图9中示出的部分EL5和部分EL6的放大视图；
[0018]图12是根据本专利技术构思的实施例的集成电路装置的剖视图；
[0019]图13和图14分别是图12中示出的部分EL7和部分EL8的放大视图；
[0020]图15是根据本专利技术构思的实施例的集成电路装置的剖视图；
[0021]图16和图17是图15中示出的部分EL9和部分EL10的放大视图；
[0022]图18是根据本专利技术构思的实施例的集成电路装置的剖视图；
[0023]图19是图18中示出的部分EL11的放大视图；
[0024]图20、图21、图22和图23是用于描述根据本专利技术构思的实施例的制造集成电路装置的方法的剖视图；
[0025]图24、图25、图26、图27、图28和图29是用于描述根据本专利技术构思的实施例的制造集成电路装置的方法的剖视图；
[0026]图30、图31、图32、图33和图34是用于描述根据本专利技术构思的实施例的制造集成电路装置的方法的剖视图；
[0027]图35和图36是用于描述根据本专利技术构思的实施例的制造集成电路装置的方法的剖视图；以及
[0028]图37、图38、图39和图40是用于描述根据本专利技术构思的实施例的制造集成电路装置的方法的剖视图。
具体实施方式
[0029]在下文中，将参照附图详细描述本专利技术构思的示例实施例。下面描述的本专利技术构思的实施例可通过任何一个单个实施例来实现。另外，下面描述的实施例可通过一个或多个实施例的组合来实现。因此，本专利技术构思不应被解释为限于任何特定实施例。
[0030]应当理解，除非上下文另有清楚地指示，否则组件或元件的单数形式也可包括复数形式。在附图中，各种厚度、长度和角度被示出，并且虽然示出的布置确实表示本专利技术构思的实施例，但是应当理解，在本专利技术构思的精神和范围内，各种厚度、长度和角度的修改
可以是可行的，并且本专利技术构思不必限于示出的特定厚度、长度和角度。
[0031]图1是根据本专利技术构思的实施例的集成电路装置100的布局图。图2是沿图1中示出的线A1
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A1'截取的剖视图。图3和图4分别是图2中示出的部分EL1和部分EL2的放大视图。
[0032]例如，在集成电路装置100中，基底110可包括由装置隔离层112限定的有源区AC。在本专利技术构思的实施例中，基底110可包括半导体材料(诸如，Si、Ge或SiGe、SiC、GaAs、InAs或InP)。在本专利技术构思的实施例中，基底110可包括导电区(例如，掺杂杂质的阱(well)或掺杂杂质的结构)。
[0033]装置隔离层112可具有浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)结构。例如，装置隔离层112可包括填充形成在基底110中的装置隔离层112的绝缘材料。绝缘材料可包括例如氟硅酸盐玻璃(FSG)、未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)、可流动氧化物(flowable oxide，FOX)、等离子体增强原硅酸四乙酯(PE
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TEOS)或东燃硅氮烷(TOSZ)，但是本专利技术构思不限于此。
[0034]有源区AC可具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的上表面垂直的方向延伸的电极层，其中，电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在下电极的侧壁与介电层之间以及在下电极的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌。2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电极层包括单层和双层中的任一者，其中，所述单层包括氮化铌，其中，所述双层包括布置在基底上的第一子电极层和布置在第一子电极层上的第二子电极层，其中，第一子电极层包括氮化钛，并且其中，第二子电极层包括氮化铌。3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，电极层包括三层，所述三层包括布置在基底上的第一子电极层、布置在第一子电极层上的第二子电极层和布置在第二子电极层上的第三子电极层，其中，第一子电极层包括氮化钛，其中，第二子电极层包括氮化铌，并且其中，第三子电极层包括氮化钛。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的集成电路装置，还包括：第二界面层，布置在介电层与上电极之间，并且第二界面层包括导电金属氧化物。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的集成电路装置，其中，支撑件包括分别在下电极的侧壁的第一部分和下电极的侧壁的第二部分上的第一支撑件和第二支撑件，并且其中，下电极还包括覆盖层，覆盖层被布置在电极层上并且被布置为低于第二支撑件的表面。6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，上电极包括单层和双层中的任一者，其中，所述单层包括氮化铌，其中，所述双层包括布置在介电层上的第四子电极层和布置在第四子电极层上的第五子电极层，其中，第四子电极层包括氮化钛，并且其中，第五子电极层包括氮化铌。7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，上电极包括三层，所述三层包括布置在介电层上的第四子电极层、布置在第四子电极层上的第五子电极层和布置在第五子电极层上的第六子电极层，其中，第四子电极层包括氮化钛，其中，第五子电极层包括氮化铌，并且其中，第六子电极层包括氮化钛。8.一种集成电路装置，包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：
下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的顶表面垂直的方向延伸的电极层，并且电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支撑件上；第一界面层，布置在电极层的侧壁与介电层之间以及在电极层的顶表面与介电层之间，其中，第一界面层包括导电金属氮化物；以及上电极，布置在介电层上，其中，上电极覆盖下电极并且包括氮化铌，并且其中，下电极还包括第一晶种层，第一晶种层至少部分地被支撑件围绕并且接触电极层的至少一部分。9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，下电极还包括布置在电极层的底部上的第二晶种层，并且第一晶种层和第二晶种层中的每个包括氮化钛。10.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，电极层包括第一侧壁部分和第二侧壁部分，其中，第一侧壁部分至少部分地被第一晶种层围绕，并且其中，第二侧壁部分至少部...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜埈求，南多妍，尹晟准，李东建，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：