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提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：电容器结构，其中，电容器结构包括：下电极，布置在基底上，其中，下电极包括沿与基底的上表面基本垂直的方向延伸的电极层，其中，电极层包括氮化铌；支撑件，布置在下电极的侧壁上；介电层，布置在下电极和支...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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