电子器件制造技术

本申请提供一种电子器件

【技术实现步骤摘要】
电子器件、芯片、电路板和电子设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种电子器件
、
芯片
、
电路板和电子设备
。

技术介绍

[0002]芯片和电路板的整个生产过程中，需要在不同的生产流程下对芯片和电路板进行作业，这就使得在生产的过程中，需要不断搬运芯片和电路板
。
[0003]而若芯片和电路板中的金属层和介电层之间的层间结合较弱，则在搬运过程中，可能导致金属层与介电层断开，影响芯片和电路板中器件的稳定性，存在产品合格率低的问题
。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种电子器件
、
芯片
、
电路板和电子设备，可以利用黏附层，提高第一金属层与介电层的层间结合力
。
[0005]第一方面，本申请提供一种一种电子器件，该电子器件包括衬底，依次层叠设置在衬底上介电层
、
黏附层
、
以及第一金属层
。
黏附层的材料包括第一金属层的材料的至少一种元素和介电层的材料的至少一种元素
。
其中，第一金属层和介电层可以是一层，也可以是多层
。
[0006]本申请通过在介电层与第一金属层之间设置黏附层，以使得形成介电层后，先生长黏附层，再生长第一金属层
。
并且，由于黏附层的材料包括第一金属层的材料的元素和介电层的材料的元素，因此，黏附层的化学性质和物理性质均介于第一金属层与介电层的化学性质和物理性质之间，从而使得黏附层的层间结合能力介于第一金属层与介电层之间
。
具体的，金属层的表面通常为结晶状态，表面凹凸不平，平坦度较低；介电层的表面通常是无定型的形态，表面较光滑，平坦度较高
。
这使得金属层与介电层之间具有较多间隙，二者的层间结合力较弱
。
而黏附层的表面平坦度介于第一金属层的平坦度与介电层的平坦度之间，可以填补第一金属层表面的缝隙，以使得第一金属层与黏附层之间的粘附性以及介电层与黏附层之间的粘附性，均大于第一金属层与介电层的粘附性，从而提高电子器件的稳定性
。
[0007]例如，第一金属层的材料包括钨
、
钼
、
铝中的至少一种；介电层的材料包括二氧化硅
、
氮化硅
、
多晶硅
、
非晶硅中的至少一种；黏附层的材料包括氮化钛
、
硅化钨
、
碳氮化钨中的至少一种
。
[0008]在一些可能实现的方式中，黏附层的热膨胀系数介于介电层的热膨胀系数与第一金属层的热膨胀系数之间
。
以解决因第一金属层的金属材料的热膨胀系数，与介电层的材料的热膨胀系数相差较大，导致在制备芯片或电路板的过程中，存在第一金属层受热易变形
、
产生空穴的问题，提高电子器件的稳定性
。
[0009]在一些可能实现的方式中，在第一金属层为多层的情况下，黏附层的介电常数小于介电层的介电常数，以避免因在相邻第一金属层之间增加黏附层，导致相邻第一金属层
之间的寄生电容升高，影响电子器件的性能
。
[0010]在一些可能实现的方式中，每层第一金属层和与其相邻的介电层之间，均设置有黏附层
。
可以利用黏附层填补第一金属层表面的缝隙，以使得第一金属层与黏附层之间的粘附性以及介电层与黏附层之间的粘附性，均大于第一金属层与介电层的粘附性，从而提高电子器件的稳定性
。
[0011]在一些可能实现的方式中，黏附层与介电层的刻蚀选择比，大于介电层与第一金属层的刻蚀选择比
。
由于黏附层与介电层的刻蚀选择比较大，因此，在回刻介电层时，黏附层的图案不会受到刻蚀材料的影响，进而可以利用黏附层作为刻蚀阻挡层，来保护第一金属层不被刻蚀材料刻蚀，避免形成第一金属层被侧掏或与介电层分层
、
过孔角度倾斜的情况，避免电子器件失效
。
[0012]例如，电子器件还包括第一过孔，第一过孔贯穿黏附层和介电层；相邻第一金属层通过第一过孔电连接
。
[0013]又例如，电子器件为存储器单元，电子器件还包括第二过孔，第二过孔贯穿第一金属层
、
黏附层和介电层；电子器件还包括设置于第二过孔中的存储膜层和第二金属层，存储膜层与第一金属层
、
黏附层和介电层的侧壁贴合，第二金属层设置于存储膜层构成的贯穿槽中
。
相较于相关技术
。
先形成具有横向沟槽和纵向沟槽的介电层，再在横向沟道和纵向沟槽中依次填充存储膜层和金属层的存储器单元，其在横向沟槽中，金属层的侧面
、
以及朝向和背离衬底的表面均设置有存储膜层，导致相关技术的存储器单元的电阻增大
。
而本申请可以先形成第一金属层和介电层的堆叠结构，再纵向刻蚀出第二过孔，并依次在第二过孔中填充存储膜层和第二金属层
。
在存储器单元的尺寸相同的情况下，第二金属层与存储膜层接触的面积降低，存储器单元的电阻减小
。
[0014]第二方面，本申请提供一种芯片，所述芯片包括裸片和用于承载所述裸片的封装基板，该裸片包括第一方面所述的电子器件
。
[0015]第二方面的实现方式与第一方面任意一种实现方式相对应
。
第二方面的实现方式所对应的技术效果可参见上述第一方面以及第一方面的任意一种实现方式所对应的技术效果，此处不再赘述
。
[0016]第三方面，本申请提供一种电路板，该电路板包括电路板本体和元器件，该电路板本体包括第一方面所述的电子器件
。
[0017]第三方面的实现方式与第一方面任意一种实现方式相对应
。
第三方面的实现方式所对应的技术效果可参见上述第一方面以及第一方面的任意一种实现方式所对应的技术效果，此处不再赘述
。
[0018]第四方面，本申请提供一种电子设备，该电子设备包括第二方面所述的芯片和第三方面所述的电路板，芯片设置于电路板上
。
[0019]第四方面的实现方式与第二方面或者第三方面任意一种实现方式相对应
。
第四方面的实现方式所对应的技术效果可参见上述第二方面
、
第三方面以及第二方面和第三方面的任意一种实现方式所对应的技术效果，此处不再赘述
。
附图说明
[0020]图
1a
为本申请实施例提供的手机与音箱之间的交互示意图；
[0021]图
1b
为本申请实施例提供的电路板与芯片的结构示意图；
[0022]图
2a
为本申请实施例提供的电子器件的一种结构示意图；
[0023]图
2b
为相关技术提供的利用探针对第一金属层和介电层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电子器件，其特征在于，包括衬底，依次层叠设置在衬底上介电层
、
黏附层
、
以及第一金属层；所述黏附层的材料包括所述第一金属层的材料的至少一种元素和所述介电层的材料的至少一种元素
。2.
根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一金属层的材料包括钨
、
钼
、
铝中的至少一种；所述介电层的材料包括二氧化硅
、
氮化硅
、
多晶硅
、
非晶硅中的至少一种；所述黏附层的材料包括氮化钛
、
硅化钨
、
碳氮化钨中的至少一种
。3.
根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，所述黏附层的热膨胀系数介于所述介电层的热膨胀系数与所述第一金属层的热膨胀系数之间
。4.
根据权利要求1‑3任一项所述的电子器件，其特征在于，所述第一金属层
、
所述黏附层和所述介电层均为多层
。5.
根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述黏附层的介电常数小于所述介电层的介电常数
。6.
根据权利要求4或5所述的电子器件，其特征在于，每层所述第一金属层和与其相邻的所述介电层之间，均设置有所述黏附层
...

【专利技术属性】
技术研发人员：童哲源，李夏冰，宋伟基，许俊豪，徐建华，肖张茹，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：