一种晶圆清洗抛光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶圆清洗抛光装置，属于打磨设备技术领域，本实用新型专利技术包括旋转驱动设备，所述旋转驱动设备输出端设有旋转头，所述旋转头上方贴合有研磨垫，吊臂，所述吊臂通过轴承转动连接有研磨头，所述研磨头下方贴合吸附有晶圆片，负压压缩机，所述负压压缩机通过气道基座与旋转驱动设备以及吊臂均连通，所述气道基座与吊臂竖直滑动设置。本实用新型专利技术中，采用了双向吸附打磨机构，避免了直接将研磨液滴在晶圆片上时，打磨过程中研磨液顺晶圆片侧面滴落对晶圆片另一面造成污染的缺陷。片侧面滴落对晶圆片另一面造成污染的缺陷。片侧面滴落对晶圆片另一面造成污染的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗抛光装置


[0001]本技术涉及打磨设备
，尤其涉及一种晶圆清洗抛光装置。

技术介绍

[0002]晶圆片一般指硅晶片，是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，被广泛应用于集成电路的制造，在生产环节中，首先是从巨大的硅棒切割出厚度统一的硅盘，形成晶圆片，切割晶圆片后，开始进入研磨工艺，研磨晶圆片以减少正面和背面的锯痕和表面损伤，同时打薄晶圆片并帮助释放切割过程中积累的应力。
[0003]现有技术关于一种半导体芯片研磨方法及装置【公开号CN1328765C】记载了对于晶圆片的打磨方式，主要是通过将晶圆片固定在操作平台上，再通过上方以及侧面设置可转动的打磨设备，对于晶圆片进行研磨，然而通过这种方式进行打磨时，研磨液会通过晶圆片侧面流到晶圆片底面，对底面造成污染，而晶圆片双面在经过打磨抛光后，第一面已经打磨至高度光洁，晶圆表面处于极致的平坦状态，在对于第二面进行打磨时，此时经过打磨的第一面处于底部，对于晶圆第二面进行打磨时产生的研磨液会流动至位于底部的晶圆第一面，造成晶圆第一面受到研磨液废水的污染。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于：为了解决固定晶圆片后在上方打磨时容易污染晶圆片底面的问题，而提出的一种晶圆清洗抛光装置。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0006]一种晶圆清洗抛光装置，其特征在于，包括：
[0007]旋转驱动设备，所述旋转驱动设备输出端设有旋转头，所述旋转头上方贴合有研磨垫，<br/>[0008]吊臂，所述吊臂通过轴承转动连接有研磨头，所述研磨头下方贴合吸附有晶圆片，
[0009]负压压缩机，所述负压压缩机通过气道基座与旋转驱动设备以及吊臂均连通，所述气道基座与吊臂竖直滑动设置。
[0010]作为上述技术方案的进一步描述：
[0011]所述旋转驱动设备输出端设置有可转动的空心转轴，所述旋转头上开设有与空心转轴相连通的连通腔，所述空心转轴与负压压缩机相连通。
[0012]作为上述技术方案的进一步描述：
[0013]所述旋转头上开设有与研磨垫贴合的气孔，所述连通腔底部开口处旋合有螺旋塞。
[0014]作为上述技术方案的进一步描述：
[0015]所述气道基座上安装有竖杆，所述竖杆外侧设有膨胀滑轨，所述吊臂上设有与膨胀滑轨配合竖直滑动的内凹滑槽。
[0016]作为上述技术方案的进一步描述：
[0017]所述竖杆顶端与吊臂之间安装有电动伸缩器，所述竖杆内腔与吊臂内腔之间连通有软管。
[0018]作为上述技术方案的进一步描述：
[0019]所述吊臂与研磨头之间连接处设有轴承，所述研磨头、吊臂、竖杆以及气道基座内腔均设置空心腔与负压压缩机相连通。
[0020]综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：
[0021]1、本技术中，采用了双向吸附打磨机构，由于采用了研磨头与晶圆片之间的吸附，以及旋转头与研磨垫之间的吸附，可实现通过负压压缩机同时对研磨垫以及晶圆片的同时吸附固定，便于同时运行进行吸附作业，同时实现将晶圆片倒置设置，使得用于打磨的研磨液在可进行调整的研磨垫上方被旋转散开，避免了直接将研磨液滴在晶圆片上时，打磨过程中研磨液顺晶圆片侧面滴落对晶圆片另一面造成污染的缺陷。
附图说明
[0022]图1示出了根据本技术实施例提供的后侧立体结构示意图；
[0023]图2示出了根据本技术实施例提供的前侧立体结构示意图；
[0024]图3示出了根据本技术实施例提供的立体结构展开图；
[0025]图4示出了根据本技术实施例提供的折线剖面结构示意图。
[0026]图例说明：
[0027]1、气道基座；11、竖杆；12、膨胀滑轨；2、负压压缩机；3、旋转驱动设备；31、旋转头；32、研磨垫；33、气孔；34、螺旋塞；35、空心转轴；36、连通腔；4、吊臂；41、电动伸缩器；42、内凹滑槽；43、研磨头；44、晶圆片；45、轴承；46、软管。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]请参阅图1
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4，本技术提供一种技术方案：一种晶圆清洗抛光装置，包括：通过气道基座1互相气动连接的旋转驱动设备3、吊臂4、负压压缩机2，负压压缩机2，负压压缩机2工作时产生负压环境，通过气道基座1的连通使得旋转驱动设备3输出端的空心转轴35以及连通腔36处形成负压，旋转头31顶端开设有用于与研磨垫32下端面吸附贴合的气孔33，吊臂4通过轴承45转动连接有研磨头43，研磨头43下方贴合吸附有晶圆片44，晶圆片44设置于研磨垫32上方，且晶圆片44的直径小于研磨垫32的半径，气道基座1与吊臂4竖直滑动设置，吊臂4通过软管46与竖杆11相连通，在吊臂4通过电动伸缩器41相对于竖杆11上下活动时，研磨头43内仍然保持负压对晶圆片44产生吸附作用。
[0030]其中，旋转驱动设备3通过旋转头31带动研磨垫32转动，随后向研磨垫32上滴入晶片抛光研磨液，使得研磨液在研磨垫32转动的过程中被均匀的分散到研磨垫32表面上，同时吊臂4通过与气道基座1之间的竖直滑动设置，使得吊臂4向下运动后，带动研磨头43下方
的晶圆片44向研磨垫32方向靠近，从而使得晶圆片44由上而下向研磨垫32方向靠近直至贴合，以达成研磨液对于晶圆片44的打磨，同时晶圆片44的表面液体张力不影响研磨液的展开，以便于对于晶圆片44的反向打磨使用，这一过程中将晶圆片44反向吸附固定，避免了原本研磨过程中研磨液由上而下滴在晶圆片44上，从而避免打磨过程中研磨液顺晶圆片侧面滴落，避免研磨液废液对晶圆片另一面造成的污染。
[0031]具体的，如图4所示，旋转驱动设备3输出端设置有可转动的空心转轴35，旋转头31上开设有与空心转轴35相连通的连通腔36，空心转轴35与负压压缩机2相连通，旋转头31上开设有与研磨垫32贴合的气孔33，连通腔36底部开口处旋合有螺旋塞34，其中，负压压缩机2用于工作时抽出气体生成负压环境，再通过气体的连通对气孔33处形成负压，使得旋转头31上方贴合的研磨垫32被大气压固定住，以减少研磨垫32在打磨过程中的位移。
[0032]具体的，如图3所示，吊臂4与研磨头43之间连接处设有轴承45，研磨头43、吊臂4、竖杆11以及气道基座1内腔均设置空心腔与负压压缩机2相连通，其中，轴承45用于吊臂4与研磨头43之间的转动连接，同时减少吊臂4内腔与研磨头43内腔的缝隙，避免漏气造成晶圆片44掉落，同时使得研磨垫32对晶圆片44打磨时可通过晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗抛光装置，其特征在于，包括：旋转驱动设备(3)，所述旋转驱动设备(3)输出端设有旋转头(31)，所述旋转头(31)上方贴合有研磨垫(32)，吊臂(4)，所述吊臂(4)通过轴承(45)转动连接有研磨头(43)，所述研磨头(43)下方贴合吸附有晶圆片(44)，负压压缩机(2)，所述负压压缩机(2)通过气道基座(1)与旋转驱动设备(3)以及吊臂(4)均连通，所述气道基座(1)与吊臂(4)竖直滑动设置。2.根据权利要求1所述的一种晶圆清洗抛光装置，其特征在于，所述旋转驱动设备(3)输出端设置有可转动的空心转轴(35)，所述旋转头(31)上开设有与空心转轴(35)相连通的连通腔(36)，所述空心转轴(35)与负压压缩机(2)相连通。3.根据权利要求2所述的一种晶圆清洗抛光装置，其特征在于，所述旋转头(31...

【专利技术属性】
技术研发人员：周聪波，
申请(专利权)人：苏州惠力达半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：