【技术实现步骤摘要】
一种硅片氧化层去除装置
[0001]本技术涉及半导体加工
,尤其涉及一种硅片氧化层去除装置
。
技术介绍
[0002]半导体器件生产中硅片须经严格清洗,微量污染也会导致器件失效,清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物,这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面,会导致各种缺陷,清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种
。
[0003]现有技术中,硅片氧化层去除装置通过清洗器皿和升降存放框等组装,硅片放置在升降存放框中,从而收纳到清洗器皿的稀氢氟酸中进行氧化层的去除
。
[0004]但是,上述硅片氧化层去除装置在浸泡去除氧化层的时候,堆积在一起的硅片具有一定吸附力,而升降存放框采用直上直下的方式工作,不能左右摆动,从而堆积在一起的硅片不能分离产生一定间隙空间,使得稀氢氟酸液不能和堆积在一起的硅片充分接触,这样在浸泡硅片氧化处理时不是很高效的问题
。
技术实现思路
[0005]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种硅片氧化层去除装置,升降浸泡收纳框因直线丝杠导轨模组的左右摆动,使得硅片本体可以晃动分离产生间隙,这样在浸泡时更加充分全面
。
[0006]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
[0007]一种硅片氧化层去除装置,包括直角顶板和底部箱体,所述直角顶板安装固定在底部箱体的上端位置上,所述底部箱体的上端左侧设置有氧化浸泡腔,所述底部箱体的上端右侧设置有干燥处理器
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种硅片氧化层去除装置,包括直角顶板
(4)
和底部箱体
(8)
,其特征在于,所述直角顶板
(4)
安装固定在底部箱体
(8)
的上端位置上,所述底部箱体
(8)
的上端左侧设置有氧化浸泡腔
(7)
,所述底部箱体
(8)
的上端右侧设置有干燥处理器
(6)
,所述底部箱体
(8)
的下端中间设置有支撑放置座
(5)
,所述直角顶板
(4)
的顶端中间设置有直线丝杠导轨模组
(3)
,所述直线丝杠导轨模组
(3)
的下端设置有升降浸泡收纳框
(2)
,所述升降浸泡收纳框
(2)
的下端内侧设置有硅片本体
(1)。2.
根据权利要求1所述的一种硅片氧化层去除装置,其特征在于,所述干燥处理器
(6)
包括风机机体
(61)、U
型管道
(62)、
外侧风板
(63)、
托盘壳体
(64)
和连接管道
(65)
,所述托盘壳体
(64)
的两端内侧设置有外侧风板
(63)
,所述外侧风板
(63)
的外端设置有连接管道
(65)
,所述连接管道
(65)
的外端设置有
U
型管道
(62)
,所述
U
型管道
(62)
的下端设置有风机机体
(61)
,所述托盘壳体
(64)
连接在底部箱体
(8)
上
。3.
根据权利要求1所述的一种硅片氧化层去除装置,其特征在于,所述升降浸泡收纳框
(2)
包括顶部面板
(21)、
电动伸缩缸
(22)、
顶部凹板
(23)、
镂空玻璃框
(24)、
外侧玻璃挡板
(25)
和硅片存放腔
(26)
,所述顶部面板
(21)
的下端设置有电动伸缩缸
(22)
...
【专利技术属性】
技术研发人员:田枫,
申请(专利权)人:苏州惠力达半导体材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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