本发明专利技术涉及一种半导体装置、显示装置及电子设备，其目的在于减少实际工作的不良影响且减少由于杂波所引起的不良影响。本发明专利技术包括：电极；电连接到所述电极的布线；在平面视上重叠于所述电极的氧化物半导体层；在截面视上设置在所述电极与所述氧化物半导体层之间的绝缘层；以及通过所述布线从所述电极输入信号且根据输入的所述信号被控制工作的驱动电路。使用氧化物半导体层、绝缘层及布线或电极形成电容元件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置。另外，本专利技术还涉及显示装置，并且涉及在显示部中 具有显示装置的电子设备。
技术介绍
金属氧化物的种类繁多且其用途广泛。例如氧化铟为较普遍的材料而被用作液晶 显示器等中所需要的透明电极材料。有的金属氧化物中呈现半导体特性。作为呈现半导体特性的金属氧化物，例如有 氧化钨、氧化锡、氧化铟和氧化锌等，并且将这些呈现半导体特性的金属氧化物用作沟道形 成区的薄膜晶体管(专利文献1至4、非专利文献1)已经是众所周知的。另外，已知金属氧化物不仅有一元氧化物还有多元氧化物。例如，作为具有In、Ga 及Zn的多元氧化物半导体，具有同系物(homologous series)的InGa03(Zn0)m(m 自然数) 是周知的(非专利文献2至4)。并且，已经确认到可以将上述那样的由In-Ga-Zn类氧化物构成的氧化物半导体 用于薄膜晶体管的沟道层(专利文献5、非专利文献5以及6)。使用氧化物半导体形成沟道形成层的TFT获得比使用非晶硅的TFT更高的场效应 迁移率。被期待将使用这些氧化物半导体的TFT形成在玻璃衬底、塑料衬底上来应用于液 晶显示器、电致发光显示器(也称为EL显示器)或电子纸等显示装置。另一方面显示装置等的半导体装置有由于杂波导致不正常工作或显示装置内的 电路被破坏的问题。作为上述杂波例如有传导杂波和放射性杂波等，作为传导性杂波例如有高速突发 波等，作为放射性杂波例如有静电放电等。为了减少上述杂波所引起的不良影响，现在提供设置有避免杂波的各种保护单元 的显示装置(专利文献6)。日本专利申请公开昭60-198861日本专利申请公开平8-264794PCT国际申请平11-505377的日文译文日本专利申请公开No. 2000-150900日本专利申请公开No.2004-103957日本专利申请公开平11-150275M. ff. Prins, K. 0. Grosse-Holz, G. Muller, J. F. M. Cillessen, J.B.Giesbers,R. P. Weening,and R. M. Wolf, " A ferroelectrictransparent thin-film transistor “(透明铁电薄膜晶体管)，Appl. Phys. Lett.，17 June 1996，Vol. 68 p.3650-3652M. Nakamura,N. Kimizuka,and T. Mohri, “ The PhaseRelationsin the In203-Ga2Zn04_Zn0 System at 1350°C" (In203-Ga2Zn04_Zn0 类在 1350°C 时的相位 关系)，J. Solid Sta te Chem.，1991，Vol. 93，p. 298-315N. Kimizuka, M. Isobe, and M. Nakamura, " Syntheses andSingle-Crystal Data of Homologous Compounds, ln203 (Zn0)m(m = 3,4, and 5), InGa03 (ZnO) 3, and Ga203 (ZnO) m (m = 7,8,9, and 16) in the In203-ZnGa204-Zn0System “(同 系物的合成和单晶数据，In203-ZnGa204-Zn0 类的 In203(Zn0)m(m = 3,4, and 5)， InGa03(ZnO)3,and Ga203(Zn0)m(m = 7，8，9，and 16))，J. Solid StateChem.，1995，Vol. 116， p.170-178中村真佐樹、君塚昇、毛利尚彦、磯部光正，“** 口力'^相、 InFe03(Zn0)m(m:自然数)ilO同型化合物 合成杉結晶構造〃(同系物、铟铁锌氧 化物(InFe03(Zn0)m) (m为自然数)及其同型化合物的合成以及结晶结构)，固体物理(SOLID STATE PHYSICS)，1993，Vol. 28，No. 5，p.317-327K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, andH. Hosono, " Thin-film transistor fabricated in single-crystallinetransparent oxide semiconductor"(由单晶透明氧化物半导体制造的薄膜晶体管)，SCIENCE, 2003, Vol. 300，p.1269-1272K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, andH.Hosono, " Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-filmtransistors using amorphous oxide semiconductors“(室温下的使用非晶 氧化物半导体的透明柔性薄膜晶体管的制造)，NATURE, 2004，Vol. 432 p. 488-49
技术实现思路
在本专利技术的一个方式中，目的在于减少实际工作的不良影响且减少由于杂波所引 起的不良影响。本专利技术的一个方式包括电容元件，该电容元件使用成为端子电极或布线的导电 层、氧化物半导体层及绝缘层构成，并且通过使用该电容元件和电阻元件构成滤波电路，来 进行滤波而减少杂波所引起的不良影响。本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括端子电极；电连接到端子电极的布 线；在平面视上重叠于端子电极的氧化物半导体层；在截面视上设置在端子电极和氧化物 半导体层之间的绝缘层；以及通过布线从端子电极输入信号且根据输入的信号被控制工作 的功能电路。本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括端子电极；电连接到端子电极的布 线；在平面视上重叠于布线的氧化物半导体层；在截面视上设置在布线和氧化物半导体层 之间的绝缘层；以及通过布线从端子电极输入信号且根据输入的信号被控制工作的功能电路。注意，在本专利技术的一个方式中，可以采用将电源电压施加到氧化物半导体层的结 构。本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括端子电极；第一布线；电连接到端子 电极的第二布线；电连接到第二布线且在平面视上重叠于第一布线的氧化物半导体层；在截面视上设置在第一布线和氧化物半导体层之间的绝缘层；以及通过第二布线从端子电极 输入信号且根据输入的信号被控制工作的功能电路。注意，在本专利技术的一个方式中，可以采用将电源电压施加到第一布线的结构。另外，在本专利技术的一个方式中，功能电路也可以采用具有使用氧化物半导体层的 半导体元件的结构。本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括衬底；设置在衬底上的布线；隔着布线 设置在衬底上的第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；隔着第一氧化 物半导体层设置在第一绝缘层上的第二绝缘层；设置在第二绝缘层上且通过设置在第一绝 缘层及第二绝缘层中的开口部电连接到布线的端子电极；通过布线从端子电极输入信号且 根据输入的信号被控制工作的驱动电路；以及由驱动电路控制工作的像素，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：端子电极；电连接到所述端子电极的布线；在平面视上重叠于所述端子电极的氧化物半导体层；在截面视上设置在所述端子电极和所述氧化物半导体层之间的绝缘层；以及通过所述布线从所述端子电极输入信号且根据输入的所述信号被控制工作的功能电路。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：鱼地秀贵，河江大辅，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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