一种芯片烘烤装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种芯片烘烤装置，属于芯片设备技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种芯片烘烤装置


[0001]本技术涉及芯片设备
，尤其涉及一种芯片烘烤装置
。

技术介绍

[0002]在半导体行业中，
IC(IntegratedCircuit
，集成电路
)
芯片是将大量的微电子元器件形成的集成电路放在一块塑基上，然后制作成一块芯片
。
在生产厂家生产
IC
芯片的生产过程中，当芯片受潮以后，其芯片内部的水分就会在通过部分热工序时，由于温度的急剧上升而汽化，从而造成芯片的膨胀
、
变形
。
芯片的膨胀较为严重时，芯片会直接形成爆米花现象，芯片直接报废
。
芯片的膨胀较为轻微时，则芯片会在内部产生开裂
、
分层
、
剥离
、
微裂纹等不良状况，这些不良状况，会直接导致芯片的寿命减短
。
[0003]因此在芯片生产过程中需要对芯片进行烘烤，以避免上述情况发生
。
现有技术中，在芯片使用常规烤盘进行烘烤的过程中，
IC
芯片与烤盘进行接触时有静电，由于
IC
芯片表面的绝缘层较薄，容易出现
IC
芯片被电场直接击穿的问题
。
[0004]因此，亟需一种芯片烘烤装置以解决上述问题，保证
IC
芯片在烘烤过程的品质
。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种芯片烘烤装置，能够防止
IC
芯片与烤盘进行接触时有静电，降低
IC
芯片在烘烤过程中发生芯片击穿的概率
。
[0006]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0007]一种芯片烘烤装置，包括箱体，所述箱体内设有加热组件
、
支撑结构和烤盘，所述支撑结构与所述箱体连接，用于支撑所述烤盘，所述烤盘用于承载芯片，所述加热组件用于提供热量以对所述烤盘内的芯片进行烘烤，所述烤盘朝向所述芯片的一侧设有
ESD
层
。
[0008]作为优选，所述
ESD
层的静电电阻阻值范围为
105欧姆至
109欧姆
。
[0009]作为优选，所述烤盘包括底板和围板，所述底板和所述围板形成一个有开口的容纳空间，所述容纳空间用于容纳所述芯片；所述底板和所述围板朝向所述容纳空间内部的一侧均设置有所述
ESD
层
。
[0010]作为优选，所述底板和
/
或所述围板上开设有散热孔
。
[0011]作为优选，所述散热孔的开孔面积不大于芯片的截面面积
。
[0012]作为优选，所述支撑结构包括层板，所述层板与所述箱体连接，所述烤盘设于所述层板上，所述层板开设有通孔，所述散热孔与所述通孔连通
。
[0013]作为优选，所述烤盘上设置有盖板，所述盖板能够将所述容纳空间开口进行封闭
。
[0014]作为优选，所述盖板朝向所述底板的一侧设置有所述
ESD
层
[0015]作为优选，所述烤盘为铝制烤盘
。
[0016]作为优选，所述
ESD
层为铝制烤盘表面形成的硬质氧化铝层
。
[0017]本技术的有益效果：
[0018]本技术所提供的一种芯片烘烤装置，通过在烤盘朝向芯片的一侧设置
ESD
(Electro
‑
Staticdischarge
，静电放电
)
层，使烤盘在朝向芯片的一侧形成一层耗散材料，
ESD
层能够有效地消除或者减少静电的产生和积累，从而使得烤盘朝向芯片的一侧相较于常规烤盘具有静电控制优势，能够将烤盘朝向芯片的一侧的静电电荷通过
ESD
层转移至地面，降低烤盘朝向芯片的一侧直接放电的概率，从而降低芯片在烘烤过程中发生静电击穿的概率，从而保证芯片在烘烤过程中的品质
。
附图说明
[0019]图1是本技术所提供的芯片烘烤装置的烤盘与盖板的爆炸图；
[0020]图2是本技术所提供的芯片烘烤装置的层板与烤盘安装示意图
。
[0021]图中：
[0022]1、
烤盘；
101、
底板；
102、
围板；
103、
容纳空间；
104、
散热孔；
105、
第二把手；
[0023]2、
盖板；
201、
第一把手；
[0024]3、
层板；
301、
通孔
。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件
。
下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制
。
[0026]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制
。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性
。
其中，术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置
。
[0027]除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系
。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义
。
[0028]除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一特征和第二特征直接接触，也可以包括第一特征和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触
。
而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征
。
第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征
。
[0029]下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片烘烤装置，其特征在于，包括箱体，所述箱体内设有加热组件
、
支撑结构和烤盘
(1)
，所述支撑结构与所述箱体连接，用于支撑所述烤盘
(1)
，所述烤盘
(1)
用于承载芯片，所述加热组件用于提供热量以对所述烤盘
(1)
内的芯片进行烘烤，所述烤盘
(1)
朝向所述芯片的一侧设有
ESD
层
。2.
根据权利要求1所述的芯片烘烤装置，其特征在于，所述
ESD
层的静电电阻阻值范围为
105欧姆至
109欧姆
。3.
根据权利要求1所述的芯片烘烤装置，其特征在于，所述烤盘
(1)
包括底板
(101)
和围板
(102)
，所述底板
(101)
和所述围板
(102)
形成一个有开口的容纳空间
(103)
，所述容纳空间
(103)
用于容纳所述芯片；所述底板
(101)
和所述围板
(102)
朝向所述容纳空间
(103)
内部的一侧均设置有所述
ESD
层
。4.
根据权利要求3所述的芯片烘烤装置，其特征在于，所述底板
(101)
和
/
或所述围...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏广峰，王小龙，
申请(专利权)人：安测半导体技术义乌有限公司，
类型：新型
国别省市：