【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀设备
[0001]本技术涉及晶圆加工
,尤其涉及一种刻蚀设备
。
技术介绍
[0002]现有技术中,面板
、
半导体和光伏等行业大量使用湿法刻蚀机,目前的刻蚀罩酸排风系统存在酸气外溢的问题,刻蚀机内部实际为正压状态,导致大量的酸气会通过传送入口处外泄到刻蚀前设备,进而外溢到车间造成车间酸气严重,极大影响人员健康和造成设备腐蚀
。
[0003]晶圆在刻蚀前会进行清洗除去表面异物,但因清洗后晶圆输送至刻蚀机的传送带较长,传送过程仍有异物落入晶圆表面导致刻蚀不净的问题
。
[0004]基于此,亟需一种刻蚀设备,以解决上述存在的问题
。
技术实现思路
[0005]基于以上所述,本技术的目的在于提供一种刻蚀设备,去除晶圆在进入刻蚀设备前的工序中附着的杂质,防止酸气通过传送入口处外泄到刻蚀前设备,防止腐蚀设备,保证人员健康安全
。
[0006]为达上述目的,本技术采用以下技术方案:
[0007]一种刻蚀设备,包括:
[0008]箱体;
[0009]传送组件,所述传送组件位于所述箱体内,所述传送组件用于传送晶圆;
[0010]所述箱体内沿所述传送组件的传输方向依次设置有第一水淋槽
、
第一风刀槽和刻蚀槽;
[0011]所述第一水淋槽内设置有第一喷淋装置,所述第一喷淋装置位于所述传送组件的上方,所述第一喷淋装置用于清洗所述晶圆;
[0012]所述第一风刀槽内设置有第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种刻蚀设备,其特征在于,包括:箱体
(1)
;传送组件
(2)
,所述传送组件
(2)
位于所述箱体
(1)
内,所述传送组件
(2)
用于传送晶圆;所述箱体
(1)
内沿所述传送组件
(2)
的传输方向依次设置有第一水淋槽
(11)、
第一风刀槽
(12)
和刻蚀槽
(14)
;所述第一水淋槽
(11)
内设置有第一喷淋装置
(111)
,所述第一喷淋装置
(111)
位于所述传送组件
(2)
的上方,所述第一喷淋装置
(111)
用于清洗所述晶圆;所述第一风刀槽
(12)
内设置有第一风刀
(121)
,所述第一风刀
(121)
位于所述传送组件
(2)
的上方,所述第一风刀
(121)
用于吹扫所述晶圆;所述刻蚀槽
(14)
内设置有第二喷淋装置,所述第二喷淋装置位于所述传送组件
(2)
的上方,所述第二喷淋装置用于向所述晶圆喷射刻蚀溶液
。2.
根据权利要求1所述的刻蚀设备,其特征在于,所述箱体
(1)
内还设置有过渡槽
(13)
,所述过渡槽
(13)
位于所述第一风刀槽
(12)
和所述刻蚀槽
(14)
之间
。3.
根据权利要求2所述的刻蚀设备,其特征在于,所述箱体
(1)
内还设置有第二水淋槽
(15)
,所述第二水淋槽
(15)
位于所述刻蚀槽
(14)
的下游,所述第二水淋槽
(15)
内设置有第三喷淋装置,所述第三喷淋装置位于所述传送组件
(2)
的上方,所述第三喷淋装置用于清洗所述晶圆
。4.
根据权利要求3所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第二水淋槽
(15)
为多个且依次设置
。5.
根据权利要求4所述的刻蚀设备...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨宗苓,李勇,周志锋,陈相逾,马中生,
申请(专利权)人:苏州清越光电科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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