一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法，包括如下步骤：将待键合晶片抛光后在酸液中浸泡；将待键合晶片清洗后甩干；使用等离子体对晶片表面进行活化处理；使用碱性溶液冲洗晶片并甩干；将待键合晶片对准并加压；进行阶段式升降温退火，最终获得键合强度高且键合质量好的键合片

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法
。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术向着多功能
、
多类型化方向发展，需要将具有不同特征和材料的多个不同组件或晶片制造
、
组装和封装到单个器件上以提高新一代器件的性能，晶圆键合技术可以实现新结构
、
高效低成本制造和材料的异质集成，满足超摩尔定律的要求，因此在半导体领域成为了不可或缺的关键技术
。
[0003]钽酸锂
(LiTaO3，简称
LT)
晶体具有优良的压电
、
声光
、
铁电
、
热释电效应，是声表面波器件
、
光通讯
、
激光及光电子领域中的基本功能材料，随着第五代基础设施
、
网络
、
通信技术的发展，作为智能手机射频前端核心元器件的声表面波滤波器市场持续增长，与此同时市场对声表面波滤波器的性能要求本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法，其特征在于，包括下列具体步骤：
a
）将钽酸锂晶片及与钽酸锂晶片键合的晶片进行抛光加工，抛光后放入酸性溶液中浸泡，然后清洗晶片表面残余药液；
b
）将步骤
a
）处理后的晶片先后放入清洗液和超纯水中超声清洗，清洗完成后，将晶片甩干；
c
）使用等离子体对步骤
b)
处理后晶片的正面进行表面活化处理；
d
）冲洗步骤
c
）处理后的晶片，冲洗完成后，甩干晶片；
e
）将步骤
d
）处理后的两片待键合晶片正面贴合在一起并确保两片晶片边缘完全对准，将对准后的晶片放至键合腔中加压进行预键合；
f
）将步骤
e
）处理后的晶片进行退火处理，按以下工艺逐步调节退火温度：以1～
3℃/min
的速率升至
70
～
80℃
，保温2～
5h
；以
0.5
～
2℃/min
的速率升至
90
～
95℃
，保温2～
5h
；以
0.5
～
1.5℃/min
的速率升至
105
～
110℃
，保温2～
5h
；以
0.5
～
1℃/min
的速率升至
120
～
125℃
，保温2～
5h
；以
0.5
～
1℃/min
的速率升至
135
～
138℃
，保温2～
5h
；以
0.5
～
1℃/min
的速率升至
147
～
150℃
，保温8～
20h
；以
0.5
～
2℃/min
的速率降至
110
～
120℃
，保温1～
3h
；以1～
2℃/min
的速率降至
80
～
90℃
，保温1～
3h
；以1～
3℃/min
的速率降至室温，得到钽酸锂键合晶片
。2.
根据权利要求1所述的一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法，其特征在于，所述步骤
a)
中，对晶片进行抛光，抛光加工后的晶片平坦度小于3μ
m
，粗糙度小于
0.5nm
，抛光后放入酸液中浸泡，酸性溶液由硫酸和双氧水按体积比2～4：1混...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐秋峰，孔辉，汪万盾，钱煜，张忠伟，沈浩，钱陈强，
申请(专利权)人：天通控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：