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本发明涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法，包括如下步骤：将待键合晶片抛光后在酸液中浸泡；将待键合晶片清洗后甩干；使用等离子体对晶片表面进行活化处理；使用碱性溶液冲洗晶片并甩干；将待键合晶片对准并加压；进行阶段式...
该专利属于天通控股股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天通控股股份有限公司授权不得商用。

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