一种感温芯片的量产校准方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种感温芯片的量产校准方法及装置，该方法包括：安装对应设备的测试负载板，将感温模块固定在测试对接盘中，并将感温模块与测试负载板连接；通过所述感温模块获得当前环境实际温度；根据当前环境实际温度判断所述感温模块是否异常；读取被测芯片的感温值以及自补偿值；根据当前环境实际温度、被测芯片的感温值得到温度校正补偿值；根据所述温度校正补偿值修正被测芯片的自补偿值。本申请能够监控生产测试区域环境温度，对芯片的感温模块进行自校准，提高了校准的准确性，从而保证最终芯片出货时的感温精度，提高终端客户拿到的芯片的品质。到的芯片的品质。到的芯片的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种感温芯片的量产校准方法及装置


[0001]本专利技术属于半导体检测
，具体而言，涉及一种感温芯片的量产校准方法及装置。

技术介绍

[0002]许多感温MCU由于成本问题，内部感温模块不够敏感，往往需要在测试时进行补偿。而芯片所在的被测区域，通过分选机(Handler)或者探针台(Wafer Prober)监测到的温度往往不准确，导致这类芯片的温度补偿存在较大误差，难以满足高精度需求终端客户的使用。

技术实现思路

[0003]本申请实施例为一种感温芯片的量产校准方法及装置，提供了一种可靠性较高，精度较高的感温芯片温度变化控制补偿方案。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种感温芯片的量产校准方法，包括：
[0005]安装对应设备的测试负载板，将感温模块固定在测试对接盘中，并将感温模块与测试负载板连接；
[0006]通过所述感温模块获得当前环境实际温度；
[0007]根据当前环境实际温度判断所述感温模块是否异常；
[0008]读取被测芯片的感温值以及自补偿值；
[0009]根据当前环境实际温度、被测芯片的感温值得到温度校正补偿值；
[0010]根据所述温度校正补偿值修正被测芯片的自补偿值。
[0011]其中，所述感温模块包括两个TMP275芯片。
[0012]其中，根据当前环境实际温度判断所述感温模块是否异常，包括：
[0013]计算两颗TMP275芯片获得的环境温度的差值，如果差值没有在阈值区间内，TMP275芯片存在异常，如果差值在阈值区间内，TMP275芯片正常。
[0014]其中，根据当前环境实际温度、被测芯片的感温值得到温度校正补偿值，包括：
[0015]T_DUT＝12.9852
‑
0.002828*bintodec(tpsdata)；
[0016]TMP275温度＝bintodec(TMP275 DATA)；
[0017]toff＝tpsdata
‑
(AVG(TMP275_1+TMP275_2)
‑
12.9852)/(
‑
0.002828)；
[0018]其中，T_DUT为被测芯片温度，bintodec为二进制转十进制函数，tpsdata为被测芯片中感温传感器的感知数值，TMP275温度为TMP275测得的当前环境实际温度，TMP275 DATA为TMP275感温传感器的返回值，toff为温度校正补偿值，AVG为求平均值的函数，TMP275_1和TMP275_2分别为2颗TMP275的感温数值。
[0019]其中，根据所述温度校正补偿值修正被测芯片的自补偿值，包括：将温度校正补偿值写入被测芯片的info校准值区。
[0020]第二方面，本申请提供了一种感温芯片的量产校准装置，测试对接盘中固定有感
温模块，感温模块与测试负载板连接；所述感温芯片的量产校准装置用于：
[0021]通过所述感温模块获得当前环境实际温度；
[0022]根据当前环境实际温度判断所述感温模块是否异常；
[0023]读取被测芯片的感温值以及自补偿值；
[0024]根据当前环境实际温度、被测芯片的感温值得到温度校正补偿值；
[0025]根据所述温度校正补偿值修正被测芯片的自补偿值。
[0026]其中，所述感温模块包括两个TMP275芯片。
[0027]其中，所述感温芯片的量产校准装置用于：
[0028]计算两颗TMP275芯片获得的环境温度的差值，如果差值没有在阈值区间内，TMP275芯片存在异常，如果差值在阈值区间内，TMP275芯片正常。
[0029]其中，所述感温芯片的量产校准装置用于：根据当前环境实际温度、被测芯片的感温值得到温度校正补偿值：
[0030]T_DUT＝12.9852
‑
0.002828*bintodec(tpsdata)；
[0031]TMP275温度＝bintodec(TMP275 DATA)；
[0032]toff＝tpsdata
‑
(AVG(TMP275_1+TMP275_2)
‑
12.9852)/(
‑
0.002828)；
[0033]其中，T_DUT为被测芯片温度，bintodec为二进制转十进制函数，tpsdata为被测芯片中感温传感器的感知数值，TMP275温度为TMP275测得的当前环境实际温度，TMP275 DATA为TMP275感温传感器的返回值，toff为温度校正补偿值，AVG为求平均值的函数，TMP275_1和TMP275_2分别为2颗TMP275的感温数值。
[0034]第三方面，本申请提供了一种芯片测试系统，包括上述任一项所述感温芯片的量产校准装置。
[0035]本申请实施例感温芯片的量产校准方法及装置具有如下有益效果：
[0036]本申请能够监控生产测试区域环境温度，对芯片的感温模块进行自校准，提高了校准的准确性，从而保证最终芯片出货时的感温精度，提高终端客户拿到的芯片的品质。
附图说明
[0037]图1为本申请实施例感温芯片的量产校准方法流程示意图；
[0038]图2为本申请实施例感温芯片的量产校准方法另一种流程示意图。
具体实施方式
[0039]下面结合附图和实施例对本申请进行进一步的介绍。
[0040]下述介绍提供了本专利技术的多个实施例，不同实施例之间可以替换或者合并组合，因此本申请也可认为包含所记载的相同和/或不同实施例的所有可能组合。因而，如果一个实施例包含特征A、B、C，另一个实施例包含特征B、D，那么本申请也应视为包括含有A、B、C、D的一个或多个所有其他可能的组合的实施例，尽管该实施例可能并未在以下内容中有明确的文字记载。
[0041]许多感温MCU由于成本问题，内部感温模块不够敏感，往往需要在测试时进行补偿。而芯片所在的被测区域，通过分选机(Handler)或者探针台(Wafer Prober)监测到的温度往往不准确，导致这类芯片的温度补偿存在较大误差，难以满足高精度需求终端客户的
使用。
[0042]鉴于以上问题，如图1所示，本申请提供了一种感温芯片的量产校准方法，包括：S101，安装对应设备的测试负载板，将感温模块固定在测试对接盘中，并将感温模块与测试负载板连接；S102，通过感温模块获得当前环境实际温度；S103，根据当前环境实际温度判断感温模块是否异常；S104，读取被测芯片的感温值以及自补偿值；S105，根据当前环境实际温度、被测芯片的感温值得到温度校正补偿值；S106，根据温度校正补偿值修正被测芯片的自补偿值。
[0043]如图1
‑
2所示，本申请提供了一种有较高可靠性和精度的环境温差补偿方案，包括以下步骤：
[0044]安装对应设备(device)的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感温芯片的量产校准方法，其特征在于，包括：安装对应设备的测试负载板，将感温模块固定在测试对接盘中，并将感温模块与测试负载板连接；通过所述感温模块获得当前环境实际温度；根据当前环境实际温度判断所述感温模块是否异常；读取被测芯片的感温值以及自补偿值；根据当前环境实际温度、被测芯片的感温值得到温度校正补偿值；根据所述温度校正补偿值修正被测芯片的自补偿值。2.根据权利要求1所述感温芯片的量产校准方法，其特征在于，所述感温模块包括两个TMP275芯片。3.根据权利要求2所述感温芯片的量产校准方法，其特征在于，根据当前环境实际温度判断所述感温模块是否异常，包括：计算两颗TMP275芯片获得的环境温度的差值，如果差值没有在阈值区间内，TMP275芯片存在异常，如果差值在阈值区间内，TMP275芯片正常。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述感温芯片的量产校准方法，其特征在于，根据当前环境实际温度、被测芯片的感温值得到温度校正补偿值，包括：T_DUT＝12.9852
‑
0.002828*bintodec(tpsdata)；TMP275温度＝bintodec(TMP275 DATA)；toff＝tpsdata
‑
(AVG(TMP275_1+TMP275_2)
‑
12.9852)/(
‑
0.002828)；其中，T_DUT为被测芯片温度，bintodec为二进制转十进制函数，tpsdata为被测芯片中感温传感器的感知数值，TMP275温度为TMP275测得的当前环境实际温度，TMP275 DATA为TMP275感温传感器的返回值，toff为温度校正补偿值，AVG为求平均值的函数，TMP275_1和TMP275_2分别为2颗TMP275的感温数值。5.根据权利要求1
‑
3任一项所述感温芯片的量产校准方法，其特征在于，根据所述温度校正补偿值修正被测芯片的自补偿值，包括：将温...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏广峰，王伟，孙清，姜有伟，
申请(专利权)人：安测半导体技术义乌有限公司，
类型：发明
国别省市：