一种降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及第三代半导体GaN制造技术领域，且公开了一种降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置，包括石墨基座、支撑杆和退火腔室，所述石墨基座设置在退火腔室内侧，所述石墨基座所在退火腔室内壁设置有用于防止散热的保温材料，石墨基座所在退火腔室外侧壁设置有环形的电阻丝加热器，石墨基座的顶部样本放置面放置有自支撑GaN衬底。该降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置，保证自支撑GaN衬底能够均匀稳定受热，电阻丝加热器能够根据测量的温度对加热输出功率进行实时调整和优化，稳定至所需温度范围内(1200℃

【技术实现步骤摘要】
一种降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置


[0001]本技术涉及第三代半导体GaN制造
，具体为一种降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置。

技术介绍

[0002]GaN作为第三代半导体材料因其优异的物理化学性能，被广泛应用在短波长光电子器件和高频微波器件等领域，由于自然界中缺乏天然生长的GaN单晶，目前大部分商用的GaN都是在异质衬底上外延生长获得的。
[0003]在GaN薄膜外延生长技术中，氢化物气相外延(HVPE)结构简单，生长速率快，可达到200μm/h以上，且外延尺寸最大可达到6英寸，在GaN单晶生长商业化应用中最为广泛。
[0004]激光剥离(LLO)是为了得到自支撑GaN自支撑的一种新兴技术，针对HVPE生产的300μm GaN薄膜外延片，利用激光对蓝宝石和GaN薄膜之间的交界面进行局部加热，促进分解为N2和Ga滴，使得GaN和蓝宝石分离，进而获得完整无裂的自支撑GaN衬底，尺寸最大可达到4英寸。
[0005]然而，通过激光剥离得到的自支撑GaN衬底受到在HVPE中引入的生长应力等的影响，会出现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置，包括石墨基座、支撑杆和退火腔室，其特征在于：所述石墨基座设置在退火腔室内侧，所述石墨基座所在退火腔室内壁设置有用于防止散热的保温材料，石墨基座所在退火腔室外侧壁设置有环形的电阻丝加热器，石墨基座的顶部样本放置面放置有自支撑GaN衬底，支撑杆贯穿退火腔室并与石墨基座相连接，石墨基座的镂空内侧通过支撑杆安装有用于实时测温的TC测温元件。2.根据权利要求1所述的一种降低自支撑Ga...

【专利技术属性】
技术研发人员：方国栋，许柯，郝丽，潘华，庞博，张海涛，
申请(专利权)人：无锡吴越半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：