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本实用新型涉及第三代半导体GaN制造技术领域，且公开了一种降低自支撑GaN衬底翘曲和位错的退火装置，包括石墨基座、支撑杆和退火腔室，所述石墨基座设置在退火腔室内侧，所述石墨基座所在退火腔室内壁设置有用于防止散热的保温材料，石墨基座所在退火腔...
该专利属于无锡吴越半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡吴越半导体有限公司授权不得商用。

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